Semiconductors-Discrete semiconductors-FETs | CoreStaff ONLINE

日本半導體・電子部品零件・模組產品的購物網站

Language: 繁體中文 - ZH-TW ▼

Currency: USD ▼
- RMB

新會員登錄

登錄

查看購物車

客服洽詢

Top >
Semiconductors > Discrete semiconductors >
FETs

Manufacturer

清除

點擊數22753～ / 型號名稱： / 狀態：全部 / 數量：0PCS~

Page　302 of 456

搜尋結果(Excel)

庫存類別供應商排名	庫存所在位置	型號 / 製造商 / 其他	庫存量	生產年份/批號	最低訂貨數量 / 後續訂購數量	預定出貨日	資訊核友管理編號	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Operating Temperature Range	Mounting Type	Device Package	Technology	FET Feature
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3709STRLPBF INFINEON	1			預計 11個工作天	核友型號：st75141167	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	90A(Tc)	2672 pF @ 16 V	3.1W(Ta), 120W(Tc)	9mOhms @ 15A, 10V	3V @ 250μA	41 nC @ 5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3709ZPBF INFINEON	40			預計 11個工作天	核友型號：st75141168	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	30V	4.5V, 10V	87A(Tc)	2130 pF @ 15 V	79W(Tc)	6.3mOhms @ 21A, 10V	2.25V @ 250μA	26 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710LPBF INFINEON	366			預計 11個工作天	核友型號：st75141169	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	57A(Tc)	3130 pF @ 25 V	200W(Tc)	23mOhms @ 28A, 10V	4V @ 250μA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-262	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710PBF INFINEON	974			預計 11個工作天	核友型號：st75141170	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	57A(Tc)	3130 pF @ 25 V	200W(Tc)	23mOhms @ 28A, 10V	4V @ 250μA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742467	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	57A(Tc)	3130 pF @ 25 V	200W(Tc)	23mOhms @ 28A, 10V	4V @ 250μA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710STRLPBF INFINEON	165			預計 11個工作天	核友型號：st75141171	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	57A(Tc)	3130 pF @ 25 V	200W(Tc)	23mOhms @ 28A, 10V	4V @ 250μA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710STRLPBF INFINEON	7,200	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361748	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	57A(Tc)	3130 pF @ 25 V	200W(Tc)	23mOhms @ 28A, 10V	4V @ 250μA	130 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710ZPBF INFINEON	2			預計 11個工作天	核友型號：st75141172	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	59A(Tc)	2900 pF @ 25 V	160W(Tc)	18mOhms @ 35A, 10V	4V @ 250μA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3710ZSTRLPBF INFINEON	800	22+		預計 11個工作天	核友型號：st75023622	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	59A(Tc)	2900 pF @ 25 V	160W(Tc)	18mOhms @ 35A, 10V	4V @ 250μA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3805STRLPBF INFINEON	1			預計 11個工作天	核友型號：st75141173	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	55V	10V	75A(Tc)	7960 pF @ 25 V	300W(Tc)	3.3mOhms @ 75A, 10V	4V @ 250μA	290 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3808PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742468	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310 pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250μA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3808PBF INFINEON	25			預計 11個工作天	核友型號：st75141174	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310 pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250μA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3808PBF INFINEON	662	20+		預計 11個工作天	核友型號：st71361749	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310 pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250μA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF3808SPBF INFINEON	6			預計 11個工作天	核友型號：st75141175	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	106A(Tc)	5310 pF @ 25 V	200W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250μA	220 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF40B207 INFINEON	740			預計 11個工作天	核友型號：st75141176	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	95A(Tc)	2110 pF @ 25 V	83W(Tc)	4.5mOhms @ 57A, 10V	3.9V @ 50μA	68 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF40R207 INFINEON	500			預計 11個工作天	核友型號：st75141177	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	56A(Tc)	2110 pF @ 25 V	83W(Tc)	5.1mOhms @ 55A, 10V	3.9V @ 50μA	68 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	PG-TO252-3	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4104PBF INFINEON	5			預計 11個工作天	核友型號：st75141178	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	10V	75A(Tc)	3000 pF @ 25 V	140W(Tc)	5.5mOhms @ 75A, 10V	4V @ 250μA	100 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF4104PBF INFINEON	12,907	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49404337	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	10V	75A(Tc)	3000 pF @ 25 V	140W(Tc)	5.5mOhms @ 75A, 10V	4V @ 250μA	100 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4104SPBF INFINEON	28			預計 11個工作天	核友型號：st75141179	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	10V	75A(Tc)	3000 pF @ 25 V	140W(Tc)	5.5mOhms @ 75A, 10V	4V @ 250μA	100 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905LPBF INFINEON	44			預計 11個工作天	核友型號：st75141180	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-262	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647273	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400 pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905PBF INFINEON	106			預計 11個工作天	核友型號：st75141181	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400 pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證	來自供應商的訂	IRF4905PBF INFINEON	83,004	23+		預計 16個工作天	核友型號：st60358342	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400 pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905PbF INFINEON	871	10+		預計 11個工作天	核友型號：st73652239
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905STRLPBF INFINEON	800	25+		預計 11個工作天	核友型號：st75027783	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905STRLPBF INFINEON	89			預計 11個工作天	核友型號：st75141182	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905STRLPBF INFINEON	4,803	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361750	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905STRLPBF INFINEON	50,400	23+		預計 16個工作天	核友型號：st61363128	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647274	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500 pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF510PBF VISHAY	3,363	22+		預計 16個工作天	核友型號：st76083656
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF520NPBF INFINEON	8			預計 11個工作天	核友型號：st75141185	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330 pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250μA	25 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF520NPBF INFINEON	2,842	24+		預計 16個工作天	核友型號：st61363129	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330 pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250μA	25 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF5210PBF INFINEON	5,014	24+		預計 16個工作天	核友型號：st49404342	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700 pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5210PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	12	04+		預計 11個工作天	核友型號：st65434572	INTERNATIONAL RECTIFIER	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700 pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250μA	180 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5210STRLPBF INFINEON	89			預計 11個工作天	核友型號：st75141187	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	230 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5210STRLPBF INFINEON	1,841	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361752	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	230 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF5210STRLPBF INFINEON	28,006	24+		預計 16個工作天	核友型號：st49404343	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	230 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742469	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	230 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)