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庫存類別供應商排名	庫存所在位置	型號 / 製造商 / 其他	庫存量	生產年份/批號	最低訂貨數量 / 後續訂購數量	預定出貨日	資訊核友管理編號	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Operating Temperature Range	Mounting Type	Device Package	Technology	FET Feature
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5210STRRPBF INFINEON	3,400	21+/22+	MOQ : 45 SPQ : 800	預計 8個工作天	核友型號：st73485677	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250μA	230 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5305PBF INFINEON	924			預計 11個工作天	核友型號：st75141188	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	31A(Tc)	1200 pF @ 25 V	110W(Tc)	60mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	63 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證	來自供應商的訂	IRF530NPBF INFINEON	50,000	25+		預計 16個工作天	核友型號：st60358356	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920 pF @ 25 V	70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647276	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920 pF @ 25 V	70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530NPbF INFINEON	1,000			預計 8個工作天	核友型號：st66225768
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530NSTRLPBF INFINEON	30,000	20+		預計 11個工作天	核友型號：st71361753	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530NSTRLPBF INFINEON	581			預計 11個工作天	核友型號：st75141190	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742470	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF530PBF VISHAY	284	20		預計 11個工作天	核友型號：st65329677
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NLPBF INFINEON	50			預計 11個工作天	核友型號：st75141191	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-262	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NPBF INFINEON	400	25+		預計 11個工作天	核友型號：st75027285	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證	來自供應商的訂	IRF540NPBF INFINEON	33,063	24+		預計 16個工作天	核友型號：st60358361	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NPBF INFINEON	1,000	21+		預計 8個工作天	核友型號：st70572727	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647277	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NSTRLPBF INFINEON	11,237	20+		預計 11個工作天	核友型號：st71361754	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540NSTRLPBF INFINEON	2			預計 11個工作天	核友型號：st75141192	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF540NSTRLPBF INFINEON	48,650	25+		預計 16個工作天	核友型號：st49404352	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	33A(Tc)	1960 pF @ 25 V	130W(Tc)	44mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250μA	71 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540PBF VISHAY	4	11+		預計 4個工作天	核友型號：st74845042
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540ZPBF INFINEON	38	1844+		預計 4個工作天	核友型號：st74840127	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	36A(Tc)	1770 pF @ 25 V	92W(Tc)	26.5mOhms @ 22A, 10V	4V @ 250μA	63 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF540ZPBF INFINEON	13			預計 11個工作天	核友型號：st75141194	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	36A(Tc)	1770 pF @ 25 V	92W(Tc)	26.5mOhms @ 22A, 10V	4V @ 250μA	63 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證	來自供應商的訂	IRF5801TRPBF INFINEON	14,640	23+		預計 16個工作天	核友型號：st60358364	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	600mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	2.2Ohms @ 360mA, 10V	5.5V @ 250μA	3.9 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5802TRPBF INFINEON	169			預計 11個工作天	核友型號：st75141195	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	150V	10V	900mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	1.2Ohms @ 540mA, 10V	5.5V @ 250μA	6.8 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF5802TRPBF INFINEON	10,500	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49404354	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	150V	10V	900mA(TA)	88 pF @ 25 V	2W(Ta)	1.2Ohms @ 540mA, 10V	5.5V @ 250μA	6.8 nC @ 10 V	±30V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5803TRPBF INFINEON	12,000	22+		預計 4個工作天	核友型號：st74840089	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5803TRPBF INFINEON	2,357			預計 11個工作天	核友型號：st75141196	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5803TRPBF INFINEON	3,000	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361755	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF5803TRPBF INFINEON	34,109	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49404356	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	40V	4.5V, 10V	3.4A(TA)	1110 pF @ 25 V	2W(Ta)	112mOhms @ 3.4A, 10V	3V @ 250μA	37 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF5806TRPBF INFINEON	1,035			預計 11個工作天	核友型號：st75141197	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	20V	2.5V, 4.5V	4A(TA)	594 pF @ 15 V	2W(Ta)	86mOhms @ 4A, 4.5V	1.2V @ 250μA	11.4 nC @ 4.5 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	Micro6?(TSOP-6)	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF60DM206 INFINEON	32			預計 11個工作天	核友型號：st75141198	Infineon Technologies	StrongIRFET?	N-Channel	60V	6V, 10V	130A(Tc)	6530 pF @ 25 V	96W(Tc)	2.9mOhms @ 80A, 10V	3.7V @ 150μA	200 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DirectFET? Isometric ME	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF60SC241ARMA1 INFINEON	200			預計 11個工作天	核友型號：st75141199	Infineon Technologies	StrongIRFET?	N-Channel	60V	6V, 10V	360A(Tc)	16000 pF @ 30 V	2.4W(Ta), 417W(Tc)	1.3mOhms @ 100A, 10V	3.7V @ 250μA	388 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	PG-TO263-7	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF610PBF VISHAY	22			預計 11個工作天	核友型號：st75141200
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF610PBF VISHAY	74	1027		預計 11個工作天	核友型號：st65417924
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF610PBF VISHAY	30	24+		預計 11個工作天	核友型號：st75024895
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF6215PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	30			預計 11個工作天	核友型號：st65359218	INTERNATIONAL RECTIFIER	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	13A(Tc)	860 pF @ 25 V	110W(Tc)	290mOhms @ 6.6A, 10V	4V @ 250μA	66 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF6216TRPBF INFINEON	45			預計 11個工作天	核友型號：st75141201	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	2.2A(TA)	1280 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	240mOhms @ 1.3A, 10V	5V @ 250μA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF6216TRPBF-1 INFINEON	7,714			預計 8個工作天	核友型號：st73307670	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	2.2A(TA)	1280 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	240mOhms @ 1.3A, 10V	5V @ 250μA	49 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	SOT-223	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF6218PBF INFINEON	1,000	21+		預計 8個工作天	核友型號：st70572728	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	150V	10V	27A(Tc)	2210 pF @ 25 V	250W(Tc)	150mOhms @ 16A, 10V	5V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF630NPBF INFINEON	10,000	20+		預計 11個工作天	核友型號：st71361756	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF630NPBF INFINEON	776			預計 11個工作天	核友型號：st75141203	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF630NPBF INFINEON	29,111	25+		預計 16個工作天	核友型號：st49404366	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	200V	10V	9.3A(Tc)	575 pF @ 25 V	82W(Tc)	300mOhms @ 5.4A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)