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核友管理編號		 Manufacturer Series FET Type Drain to Source Voltage (Vdss) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds Power Dissipation (Max) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Vgs (Max) Technology FET Feature Operating Temperature Range Applications Automotive Mounting Type Device Package
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF630NPBF

IRF630NPBF
INFINEON

RoHS
490  

預計 91個工作天

核友型號：st68903767

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 9.3A(Tc) 575pF @ 25 V 82W(Tc) 300mOhms @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF630NPBF

IRF630NPBF
INFINEON

4,500  

預計 11個工作天

核友型號：st50102709

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 9.3A(Tc) 575pF @ 25 V 82W(Tc) 300mOhms @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF630NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

1,000   MOQ : 1,000
SPQ : 1

預計 11個工作天

核友型號：st70647278

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 9.3A(Tc) 575pF @ 25 V 82W(Tc) 300mOhms @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF630NSTRLPBF
INFINEON

248 21+  

預計 8個工作天

核友型號：st71929293

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 9.3A(Tc) 575pF @ 25 V 82W(Tc) 300mOhms @ 5.4A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640
INTERNATIONAL RECTIFIER

50  

預計 10個工作天

核友型號：st72151619

Infineon Technologies MESH OVERLAY? N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1560pF @ 25 V 125W(Tc) 180mOhms @ 9A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Logic Level Gate 150°C(TJ) Through Hole TO-220
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640
INTERNATIONAL RECTIFIER

2  

預計 91個工作天

核友型號：st68903775

Infineon Technologies MESH OVERLAY? N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1560pF @ 25 V 125W(Tc) 180mOhms @ 9A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Logic Level Gate 150°C(TJ) Through Hole TO-220
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640
INTERNATIONAL RECTIFIER

6  

預計 5個工作天

核友型號：st72204453

Infineon Technologies MESH OVERLAY? N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1560pF @ 25 V 125W(Tc) 180mOhms @ 9A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Logic Level Gate 150°C(TJ) Through Hole TO-220
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
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IRF640
INTERNATIONAL RECTIFIER

90 9618  

預計 7個工作天

核友型號：st42509647

Infineon Technologies MESH OVERLAY? N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1560pF @ 25 V 125W(Tc) 180mOhms @ 9A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Logic Level Gate 150°C(TJ) Through Hole TO-220
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF640NPBF
INFINEON

88 23+  

預計 8個工作天

核友型號：st71926659

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NPBF

IRF640NPBF
INFINEON

2,268  

預計 11個工作天

核友型號：st67960118

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NPBF

IRF640NPBF
INFINEON

50,000 20+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361757

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF640NPBF

IRF640NPBF
INFINEON

50,000 21+  

預計 16個工作天

核友型號：st49404367

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NPBF

IRF640NPBF
INFINEON

2,000 23+  

預計 12個工作天

核友型號：st62776713

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

1,000   MOQ : 1,000
SPQ : 1

預計 11個工作天

核友型號：st70647279

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF640NPBF

IRF640NPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

37 1837  

預計 7個工作天

核友型號：st42509649

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Standard -55°C ~ 175°C(TJ) Through Hole TO-220AB
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

11,209 22+  

預計 8個工作天

核友型號：st71927083

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

2,400 21+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361758

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

396  

預計 11個工作天

核友型號：st67960119

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

6,400 21+  

預計 16個工作天

核友型號：st49404369

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

1,000 24+  

預計 11個工作天

核友型號：st70452952

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

500 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st70710621

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF
INFINEON

14,500  

預計 11個工作天

核友型號：st50102713

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF640NSTRRPBF
INFINEON

500 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st49316197

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 200V 10V 18A(Tc) 1160pF @ 25 V 150W(Tc) 150mOhms @ 11A, 10V 4V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C(TJ) Surface Mount D2PAK
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6609TR1
INFINEON

20  

預計 91個工作天

核友型號：st68903782

質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF6614TRPBF
INFINEON

4,200 21+  

預計 16個工作天

核友型號：st49404372

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 40V 4.5V, 10V 12.7A(TA), 55A(Tc) 2560pF @ 20 V 2.1W(Ta), 42W(Tc) 8.3mOhms @ 12.7A, 10V 2.25V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? ST
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF6614TRPBF
INFINEON

9,600  

預計 11個工作天

核友型號：st50102715

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 40V 4.5V, 10V 12.7A(TA), 55A(Tc) 2560pF @ 20 V 2.1W(Ta), 42W(Tc) 8.3mOhms @ 12.7A, 10V 2.25V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? ST
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6617TRPBF
INFINEON

287 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st62787175

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 30V 4.5V, 10V 14A(TA), 55A(Tc) 1300pF @ 15 V 2.1W(Ta), 42W(Tc) 8.1mOhms @ 15A, 10V 2.35V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? ST
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6620TRPBF
INFINEON

100 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st64280026

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 20V 4.5V, 10V 27A(TA), 150A(Tc) 4130pF @ 10 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 2.7mOhms @ 27A, 10V 2.45V @ 250µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MX
質量保證
C-1 		來自供應商的訂

IRF6645TRPBF
INFINEON / IR

4,800 19+  

預計 11個工作天

核友型號：st71715919

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 100V 10V 5.7A(TA), 25A(Tc) 890pF @ 25 V 2.2W(Ta), 42W(Tc) 35mOhms @ 5.7A, 10V 4.9V @ 50µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? SJ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF6645TRPBF
INFINEON

9,600  

預計 11個工作天

核友型號：st50102716

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 100V 10V 5.7A(TA), 25A(Tc) 890pF @ 25 V 2.2W(Ta), 42W(Tc) 35mOhms @ 5.7A, 10V 4.9V @ 50µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? SJ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6646TRPBF
INFINEON

4,770 16+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361759

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 80V 10V 12A(TA), 68A(Tc) 2060pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 9.5mOhms @ 12A, 10V 4.9V @ 150µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MN
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF6646TRPBF
INFINEON

4,790 21+  

預計 8個工作天

核友型號：st71929852

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 80V 10V 12A(TA), 68A(Tc) 2060pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 9.5mOhms @ 12A, 10V 4.9V @ 150µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MN
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6648TR1PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

RoHS
386  

預計 91個工作天

核友型號：st68903783

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 60V 10V 86A(Tc) 2120pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 7mOhms @ 17A, 10V 4.9V @ 150µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) Standard -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MN
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF
INFINEON

2,000 17+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361760

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 60V 10V 86A(Tc) 2120pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 7mOhms @ 17A, 10V 4.9V @ 150µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MN
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6662TRPBF
INFINEON

385 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st64280028

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 100V 10V 8.3A(TA), 47A(Tc) 1360pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 22mOhms @ 8.2A, 10V 4.9V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MZ
質量保證
C-1 		來自供應商的訂

IRF6668TR1PBF
INFINEON

42,643  

預計 7個工作天

核友型號：st67290277

質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6668TRPBF
INFINEON

14,400 17+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361761

質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6668TRPBF
INFINEON

1,275 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st62787335

質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF6668TRPBF
INFINEON

14,400 21+  

預計 8個工作天

核友型號：st71928860

質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6712STRPBF
INFINEON

644 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st62787189

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 25V 4.5V, 10V 17A(TA), 68A(Tc) 1570pF @ 13 V 2.2W(Ta), 36W(Tc) 4.9mOhms @ 17A, 10V 2.4V @ 50µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? SQ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF6713STRPBF
INFINEON

12,000 15+  

預計 16個工作天

核友型號：st50161455

Infineon Technologies DirectFET? N-Channel 25V 4.5V, 10V 22A(TA), 95A(Tc) 2880pF @ 13 V 2.2W(Ta), 42W(Tc) 3mOhms @ 22A, 10V 2.4V @ 50µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? SQ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF6721STRPBF
INFINEON

30,000 16+  

預計 16個工作天

End of Life 核友型號：st49404383

Infineon Technologies DirectFET? N-Channel 30V 4.5V, 10V 14A(TA), 60A(Tc) 1430pF @ 15 V 2.2W(Ta), 42W(Tc) 7.3mOhms @ 14A, 10V 2.4V @ 25µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? SQ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6727MTRPBF
INFINEON

253 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st64540958

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 30V 4.5V, 10V 32A(TA), 180A(Tc) 6190pF @ 15 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 1.7mOhms @ 32A, 10V 2.35V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MX
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6775MTRPBF
INFINEON

8,000 18+  

預計 11個工作天

核友型號：st71361762

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 150V 10V 4.9A(TA), 28A(Tc) 1411pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 56mOhms @ 5.6A, 10V 5V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MZ
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF6775MTRPBF
INFINEON

3,071 21+  

預計 8個工作天

核友型號：st71929686

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 150V 10V 4.9A(TA), 28A(Tc) 1411pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 56mOhms @ 5.6A, 10V 5V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MZ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6775MTRPBF
INFINEON

180 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st64280029

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 150V 10V 4.9A(TA), 28A(Tc) 1411pF @ 25 V 2.8W(Ta), 89W(Tc) 56mOhms @ 5.6A, 10V 5V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MZ
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF6795MTRPBF
INFINEON

427 21+  

預計 12個工作天

核友型號：st64280030

Infineon Technologies HEXFETR N-Channel 25V 4.5V, 10V 32A(TA), 160A(Tc) 4280pF @ 13 V 2.8W(Ta), 75W(Tc) 1.8mOhms @ 32A, 10V 2.35V @ 100µA ±20V Mosfet (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount DIRECTFET? MX
質量保證
B-1 		來自供應商的訂

IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF
INFINEON

962  

預計 11個工作天

核友型號：st67960120

Infineon Technologies HEXFETR 50V 3A 290pF @ 25V 2W 130mOhms @ 3A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount 8-SO
質量保證
B-2 		來自供應商的訂

IRF7103TRPBF
INFINEON

40,000 22+  

預計 8個工作天

核友型號：st71927871

Infineon Technologies HEXFETR 50V 3A 290pF @ 25V 2W 130mOhms @ 3A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount 8-SO
質量保證
B-1 		來自供應商的訂
海外位置

IRF7103TRPBF

IRF7103TRPBF
INFINEON

9,600  

預計 11個工作天

核友型號：st50012280

Infineon Technologies HEXFETR 50V 3A 290pF @ 25V 2W 130mOhms @ 3A, 10V 3V @ 250μA 30nC @ 10V MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C(TJ) Surface Mount 8-SO

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