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搜尋結果(Excel)

庫存類別供應商排名	庫存所在位置	型號 / 製造商 / 其他	庫存量	生產年份/批號	最低訂貨數量 / 後續訂購數量	預定出貨日	資訊核友管理編號	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Operating Temperature Range	Mounting Type	Device Package	Technology	FET Feature
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9321TRPBF INFINEON	10,870	22+		預計 16個工作天	核友型號：st62881801	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	15A(TA)	2590 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	7.2mOhms @ 15A, 10V	2.4V @ 50μA	98 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9321TRPBF INFINEON	1,000			預計 8個工作天	核友型號：st73307694	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	15A(TA)	2590 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	7.2mOhms @ 15A, 10V	2.4V @ 50μA	98 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9321TRPBF INFINEON	18			預計 11個工作天	核友型號：st75141299	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	15A(TA)	2590 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	7.2mOhms @ 15A, 10V	2.4V @ 50μA	98 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9333TRPBF INFINEON	11,596	22+		預計 16個工作天	核友型號：st76078879	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	9.2A(TA)	1110 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	19.4mOhms @ 9.2A, 10V	2.4V @ 25μA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9335TRPBF INFINEON	30			預計 11個工作天	核友型號：st75141300	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	4.5V, 10V	5.4A(TA)	386 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	59mOhms @ 5.4A, 10V	2.4V @ 10μA	14 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9358PBF INFINEON	2,774	18+		預計 11個工作天	核友型號：st73659565	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	9.2 A	1740pF @ 25V	2W	16.3mOhms @ 9.2A, 10V	2.4V @ 25μA	38nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	2Pチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9358TRPBF INFINEON	13			預計 11個工作天	核友型號：st75141301
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF9362TRPBF INFINEON	4,375	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49404463	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	8 A	1300pF @ 25V	2W	21mOhms @ 8A, 10V	2.4V @ 25μA	39nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	2Pチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9362TRPBF INFINEON	53			預計 11個工作天	核友型號：st75141302
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9388TRPBF INFINEON	15			預計 11個工作天	核友型號：st75141303	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	12A(TA)	1680 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	8.5mOhms @ 12A, 20V	2.4V @ 25μA	52 nC @ 10 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF9389TRPBF INFINEON	53,075	23+		預計 16個工作天	核友型號：st49404464	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	6.8A, 4.6A	398pF @ 15V	2W	27mOhms @ 6.8A, 10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9389TRPBF INFINEON	30			預計 11個工作天	核友型號：st75141304	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	6.8A, 4.6A	398pF @ 15V	2W	27mOhms @ 6.8A, 10V	2.3V @ 10μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9392TRPBF INFINEON	13			預計 11個工作天	核友型號：st75141305	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	9.8A(TA)	1270 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	12.1mOhms @ 7.8A, 20V	2.4V @ 25μA	14 nC @ 4.5 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9393TRPBF INFINEON	15			預計 11個工作天	核友型號：st75141306	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	30V	10V, 20V	9.2A(TA)	1110 pF @ 25 V	2.5W(Ta)	13.3mOhms @ 9.2A, 20V	2.4V @ 25μA	38 nC @ 10 V	±25V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9395MTRPBF INFINEON	5			預計 11個工作天	核友型號：st75141307	Infineon Technologies	DirectFET?	30 V	14 A	3241pF @ 15V	2.1W	7mOhms @ 14A, 10V	2.4V @ 50μA	64nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	2Pチャンネル(デュアル)	Logic Level Gate	-40°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	DIRECTFET? MC
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9520PBF VISHAY	3,000	17+		預計 11個工作天	核友型號：st75024671
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9530NPBF INFINEON	1,000	21+		預計 8個工作天	核友型號：st70572729	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF9530NPBF INFINEON	36,595	24+		預計 16個工作天	核友型號：st49404467	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9530NPBF INFINEON	700			預計 11個工作天	核友型號：st75141308	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF9530NSTRLPBF INFINEON	5,972	22+		預計 16個工作天	核友型號：st49404468	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647285	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	14A(Tc)	760 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 79W(Tc)	200mOhms @ 8.4A, 10V	4V @ 250μA	58 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9530PBF VISHAY	1,594	23+		預計 16個工作天	核友型號：st76083664
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9530PBF VISHAY	5			預計 11個工作天	核友型號：st75141309
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742476	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W(Tc)	117mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)	Standard
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NPBF INFINEON	2,665			預計 11個工作天	核友型號：st75141310	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W(Tc)	117mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NPBF INFINEON	33,619	26+		預計 16個工作天	核友型號：st76078880	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1300 pF @ 25 V	140W(Tc)	117mOhms @ 11A, 10V	4V @ 250μA	97 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	100	22+		預計 11個工作天	核友型號：st75027777	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	13	1727+		預計 4個工作天	核友型號：st74840151	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NSTRLPBF INFINEON	299			預計 11個工作天	核友型號：st75141311	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st70647286	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	23A(Tc)	1450 pF @ 25 V	3.1W(Ta), 110W(Tc)	117mOhms @ 14A, 10V	4V @ 250μA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9640PBF VISHAY	3,000	20+		預計 11個工作天	核友型號：st75026773
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9952TRPBF INFINEON	10			預計 11個工作天	核友型號：st75141313	Infineon Technologies	HEXFETR	30 V	3.5A, 2.3A	190pF @ 15V	2W	100mOhms @ 2.2A, 10V	1V @ 250μA	14nC @ 10V	MOSFET (Metal Oxide)	NおよびPチャンネル	Logic Level Gate	-55°C ~ 150°C(TJ)	Surface Mount	8-SO
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9Z24NPBF INFINEON	788			預計 11個工作天	核友型號：st75141314	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	預計 11個工作天	核友型號：st72742478	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON	2,000	1935+		預計 11個工作天	End of Life 核友型號：st50400605	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	12A(Tc)	350 pF @ 25 V	3.8W(Ta), 45W(Tc)	175mOhms @ 7.2A, 10V	4V @ 250μA	19 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Surface Mount	D2PAK	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9Z34NPBF INFINEON	6,200	21+		預計 11個工作天	核友型號：st71361774	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9Z34NPBF INFINEON	3,211	22+		預計 16個工作天	核友型號：st76078881	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRF9Z34NPBF INFINEON	4			預計 11個工作天	核友型號：st75141315	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	19A(Tc)	620 pF @ 25 V	68W(Tc)	100mOhms @ 10A, 10V	4V @ 250μA	35 nC @ 10 V	±20V	-55°C ~ 175°C(TJ)	Through Hole	TO-220AB	Mosfet (Metal Oxide)