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Search Results：76394～ / Part Number： / Stock Type：ALL / Quantity：0PCS~

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Stock Location	Part number / Manufacturer / More information	Description CoreStaff Part Number	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	技術	用途	車載対応
Partner Stock	DMG1012TQ-7 N/A	Nチャンネル 20 V 630mA（Ta） 280mW（Ta）面実装 SOT-523											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1012TQ-7 N/A	Nチャンネル 20 V 630mA（Ta） 280mW（Ta）面実装 SOT-523											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1012UW-7 DIODES INCORPORATED	Nチャンネル 20 V 1A（Ta） 290mW（Ta）面実装 SOT-323											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1012UW-7 DIODES INCORPORATED	Nチャンネル 20 V 1A（Ta） 290mW（Ta）面実装 SOT-323											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1012UWQ-7 N/A	Nチャンネル 20 V 950mA（Ta） 460mW 面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1012UWQ-7 N/A	Nチャンネル 20 V 950mA（Ta） 460mW 面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013T-7 DIODES INCORPORATED	Pチャンネル 20 V 460mA（Ta） 270mW（Ta）面実装 SOT-523											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1013T-7 DIODES INCORPORATED	Pチャンネル 20 V 460mA（Ta） 270mW（Ta）面実装 SOT-523											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1013TQ-7 N/A	Pチャンネル 20 V 460mA（Ta） 270mW（Ta）面実装 SOT-523											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013TQ-7 N/A	Pチャンネル 20 V 460mA（Ta） 270mW（Ta）面実装 SOT-523											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013UW-7 DIODES INCORPORATED	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1013UW-7 DIODES INCORPORATED	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											Diodes Incorporated
Partner Stock	DMG1013UWQ-13 N/A	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013UWQ-13 N/A	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013UWQ-7 N/A	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1013UWQ-7 N/A	Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323											AEC-Q101
Partner Stock	DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED	MOSFET - アレイ 20V 1.07A、845mA 330mW 面実装 SOT-363	Diodes Incorporated	-	20V	1.07A、845mA	60.67pF @ 10V	330mW	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-363
Partner Stock	DMG1016UDW-7 DIODES INCORPORATED	MOSFET - アレイ 20V 1.07A、845mA 330mW 面実装 SOT-363	Diodes Incorporated	-	20V	1.07A、845mA	60.67pF @ 10V	330mW	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-363
Partner Stock	DMG1016UDWQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.066A（Ta）、845mA（Ta） 330mW（Ta）面実装 SOT-363			20V	1.066A（Ta）、845mA（Ta）	60.67pF @ 10V、59.76pF @ 16V	330mW（Ta）	450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	736.6nC @ 4.5V、0.62nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネルコンプリメンタリ	-	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-363
Partner Stock	DMG1016V-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563			20V	870mA、640mA	60.67pF @ 16V	530mW	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1016V-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563			20V	870mA、640mA	60.67pF @ 16V	530mW	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1016VQ-13 N/A	MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563			20V	870mA、640mA	60.67pF @ 16V	530mW	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1016VQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563			20V	870mA、640mA	60.67pF @ 16V	530mW	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1016VQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 870mA、640mA 530mW 面実装 SOT-563			20V	870mA、640mA	60.67pF @ 16V	530mW	400ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	NおよびPチャンネル	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1023UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.03A 530mW 面実装 SOT-563			20V	1.03A	59.76pF @ 16V	530mW	750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	0.62nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1023UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.03A 530mW 面実装 SOT-563			20V	1.03A	59.76pF @ 16V	530mW	750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	0.62nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1023UVQ-13 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.03A（Ta） 530mW（Ta）面実装 SOT-563			20V	1.03A（Ta）	59pF @ 16V	530mW（Ta）	750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	0.622nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1023UVQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.03A（Ta） 530mW（Ta）面実装 SOT-563			20V	1.03A（Ta）	59pF @ 16V	530mW（Ta）	750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	0.622nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1023UVQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.03A（Ta） 530mW（Ta）面実装 SOT-563			20V	1.03A（Ta）	59pF @ 16V	530mW（Ta）	750ミリオーム @ 430mA、4.5V	1V @ 250µA	0.622nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2Pチャンネル（デュアル）	-	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1024UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.38A 530mW 面実装 SOT-563			20V	1.38A	60.67pF @ 16V	530mW	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1024UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 20V 1.38A 530mW 面実装 SOT-563			20V	1.38A	60.67pF @ 16V	530mW	450ミリオーム @ 600mA、4.5V	1V @ 250µA	0.74nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1026UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 60V 410mA 580mW 面実装 SOT-563			60V	410mA	32pF @ 25V	580mW	1.8オーム @ 500mA、10V	1.8V @ 250µA	0.45nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1026UV-7 N/A	MOSFET - アレイ 60V 410mA 580mW 面実装 SOT-563			60V	410mA	32pF @ 25V	580mW	1.8オーム @ 500mA、10V	1.8V @ 250µA	0.45nC @ 10V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1026UVQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 60V 440mA（Ta） 650mW 面実装 SOT-563			60V	440mA（Ta）	32pF @ 25V	650mW	1.8オーム @ 500mA、10V	1.8V @ 250µA	0.45pC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563
Partner Stock	DMG1026UVQ-7 N/A	MOSFET - アレイ 60V 440mA（Ta） 650mW 面実装 SOT-563			60V	440mA（Ta）	32pF @ 25V	650mW	1.8オーム @ 500mA、10V	1.8V @ 250µA	0.45pC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C（TJ）	面実装	SOT-563

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Pチャンネル 20 V 460mA（Ta） 270mW（Ta）面実装 SOT-523

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

Pチャンネル 20 V 820mA（Ta） 310mW（Ta）面実装 SOT-323

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A 530mW 面実装 SOT-563

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