FETs

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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMC3016LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.2A、6.2A 1.2W 面実装 8-SO

30V 8.2A、6.2A 1415pF @ 15V 1.2W 16ミリオーム @ 12A、10V 2.3V @ 250µA 25.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 1.18W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXD)

30V 20A (Tc), 17A (Tc) 383pF @ 15V, 782pF @ 15V 1.18W(Ta) 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXD)
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 1.18W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXD)

30V 20A (Tc), 17A (Tc) 383pF @ 15V, 782pF @ 15V 1.18W(Ta) 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXD)
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DMC3021LK4-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 9.4A、6.8A 2.7W 面実装 TO-252-4L

30V 9.4A、6.8A 751pF @ 10V 2.7W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 17.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル、コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L
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DMC3021LK4-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 9.4A、6.8A 2.7W 面実装 TO-252-4L

30V 9.4A、6.8A 751pF @ 10V 2.7W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 17.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル、コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L
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DMC3021LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.5A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.5A、7A 767pF @ 10V 2.5W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 16.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3021LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.5A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.5A、7A 767pF @ 10V 2.5W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 16.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3021LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.5A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.5A、7A 767pF @ 10V 2.5W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 16.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3021LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.5A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.5A、7A 767pF @ 10V 2.5W 21ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 16.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3025LDV-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 15A(Tc) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXC)

15A(Tc) 500pF @ 15V、1188pF @ 15V 25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXC)
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DMC3025LDV-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 15A(Tc) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXC)

15A(Tc) 500pF @ 15V、1188pF @ 15V 25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUXC)
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DMC3025LDV-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 15A(Tc) 面実装 PowerDI3333-8

15A(Tc) 500pF @ 15V、1188pF @ 15V 25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3025LNS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.2A(Ta)、6.8A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 7.2A(Ta)、6.8A(Ta) 500pF @ 15V、1188pF @ 15V 1.2W(Ta) 25ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3025LNS-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.2A(Ta)、6.8A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 7.2A(Ta)、6.8A(Ta) 500pF @ 15V、1188pF @ 15V 1.2W(Ta) 25ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13
DIODES INCORPORATED

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A、4.2A 1.2W 面実装 8-SO

Diodes Incorporated - 30V 6.5A、4.2A 501pF @ 15V 1.2W 20ミリオーム @ 7.4A、10V 2V @ 250µA 9.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3025LSD-13

DMC3025LSD-13
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A、4.2A 1.2W 面実装 8-SO

Diodes Incorporated - 30V 6.5A、4.2A 501pF @ 15V 1.2W 20ミリオーム @ 7.4A、10V 2V @ 250µA 9.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3025LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A(Ta)、4.2A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6.5A(Ta)、4.2A(Ta) 501pF @ 15V、590pF @ 25V 1.2W(Ta) 20ミリオーム @ 7.4A、10V、45ミリオーム @ 5.2A、10V 2V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、5.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3025LSDQ-13

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MOSFET - アレイ 30V 6.5A(Ta)、4.2A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6.5A(Ta)、4.2A(Ta) 501pF @ 15V、590pF @ 25V 1.2W(Ta) 20ミリオーム @ 7.4A、10V、45ミリオーム @ 5.2A、10V 2V @ 250µA 4.6nC @ 4.5V、5.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3026LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.2A(Ta)、8A(Ta) 1.6W 面実装 8-SO

30V 8.2A(Ta)、8A(Ta) 641pF @ 15V、1241pF @ 15V 1.6W 25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 6nC @ 4.5V、10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3026LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.2A(Ta)、8A(Ta) 1.6W 面実装 8-SO

30V 8.2A(Ta)、8A(Ta) 641pF @ 15V、1241pF @ 15V 1.6W 25ミリオーム @ 6A、10V、28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 6nC @ 4.5V、10.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6.6A、6.8A 1.8W 面実装 8-SO

30V 6.6A、6.8A 472pF @ 15V 1.8W 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6.6A、6.8A 1.8W 面実装 8-SO

30V 6.6A、6.8A 472pF @ 15V 1.8W 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSDX-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A、5.8A 1.2W 面実装 8-SO

30V 5.5A、5.8A 641pF @ 15V 1.2W 27ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 13.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSDX-13

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A、5.8A 1.2W 面実装 8-SO

30V 5.5A、5.8A 641pF @ 15V 1.2W 27ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 13.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSDXQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A、5.8A 1.2W 面実装 8-SO

30V 5.5A、5.8A 641pF @ 15V 1.2W 27ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 13.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3028LSDXQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 5.5A、5.8A 1.2W 面実装 8-SO

30V 5.5A、5.8A 641pF @ 15V 1.2W 27ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 13.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3032LFDB-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A(Ta)、3.4A(Ta) 800mW 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

30V 5.3A(Ta)、3.4A(Ta) 500pF @ 15V、336pF @ 25V 800mW 30ミリオーム @ 5.8A、10V、70ミリオーム @ 3.8A、10V 2V @ 250µA、2.1V @ 250µA 10.6nC @ 10V、7.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC3032LFDB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A(Ta)、3.4A(Ta) 800mW 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

30V 5.3A(Ta)、3.4A(Ta) 500pF @ 15V、336pF @ 25V 800mW 30ミリオーム @ 5.8A、10V、70ミリオーム @ 3.8A、10V 2V @ 250µA、2.1V @ 250µA 10.6nC @ 10V、7.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC3032LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.1A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.1A、7A 404.5pF @ 15V 2.5W 32ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 9.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3032LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 8.1A、7A 2.5W 面実装 8-SO

30V 8.1A、7A 404.5pF @ 15V 2.5W 32ミリオーム @ 7A、10V 2.1V @ 250µA 9.2nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC3060LVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 830mW 面実装 TSOT-23-6

30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 395pF @ 15V、324pF @ 15V 830mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.1V @ 250µA 11.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC3060LVT-7

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MOSFET - アレイ 30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 830mW 面実装 TSOT-23-6

30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 395pF @ 15V、324pF @ 15V 830mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.1V @ 250µA 11.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC3060LVT-7

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MOSFET - アレイ 30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 830mW 面実装 TSOT-23-6

30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 395pF @ 15V、324pF @ 15V 830mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.1V @ 250µA 11.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC3060LVTQ-13

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MOSFET - アレイ 30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 830mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 395pF @ 15V、324pF @ 15V 830mW(Ta) 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.1V @ 250µA 11.3nC @ 10V、8.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3060LVTQ-7

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MOSFET - アレイ 30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 830mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 3.6A(Ta)、2.8A(Ta) 395pF @ 15V、324pF @ 15V 830mW(Ta) 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.1V @ 250µA 11.3nC @ 10V、8.6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3061SVTQ-13

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 880mW 面実装 TSOT-26

30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 278pF @ 15V、287pF @ 15V 880mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.2V @ 250µA 6.6nC @ 10V、6.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3061SVTQ-7

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 880mW 面実装 TSOT-26

30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 278pF @ 15V、287pF @ 15V 880mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.2V @ 250µA 6.6nC @ 10V、6.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26

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