FETs

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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMG6898LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 9.5A 1.28W 面実装 8-SO

20V 9.5A 1149pF @ 10V 1.28W 16ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG6898LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 9.5A 1.28W 面実装 8-SO

20V 9.5A 1149pF @ 10V 1.28W 16ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG6968U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-23-3

151 pF @ 10 V
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DMG6968U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-23-3

151 pF @ 10 V
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DMG6968UDM-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 6.5A 850mW 面実装 SOT-26

20V 6.5A 143pF @ 10V 850mW 24ミリオーム @ 6.5A、4.5V 900mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMG6968UDM-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 6.5A 850mW 面実装 SOT-26

20V 6.5A 143pF @ 10V 850mW 24ミリオーム @ 6.5A、4.5V 900mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMG6968UQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-23-3

151 pF @ 10 V
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DMG6968UQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 SOT-23-3

151 pF @ 10 V
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DMG6968UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.2A 1W 面実装 8-TSSOP

20V 5.2A 143pF @ 10V 1W 23ミリオーム @ 6.5A、4.5V 950mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMG6968UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.2A 1W 面実装 8-TSSOP

20V 5.2A 143pF @ 10V 1W 23ミリオーム @ 6.5A、4.5V 950mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMG7401SFG-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.8A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

2987 pF @ 15 V
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DMG7401SFG-13

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.8A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

2987 pF @ 15 V
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DMG7401SFG-7

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.8A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

2987 pF @ 15 V
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DMG7401SFG-7

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 9.8A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

2987 pF @ 15 V
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DMG7408SFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7A(Ta) 1W(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

478.9 pF @ 15 V
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DMG7408SFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7A(Ta) 1W(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

478.9 pF @ 15 V
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DMG7408SFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7A(Ta) 1W(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

478.9 pF @ 15 V
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DMG7430LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

1281 pF @ 15 V
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DMG7430LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

1281 pF @ 15 V
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DMG7430LFGQ-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

AEC-Q101
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DMG7430LFGQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10.5A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

AEC-Q101
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DMG7702SFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 890mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

4310 pF @ 15 V
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DMG7702SFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 890mW(Ta) 面実装 POWERDI3333-8

4310 pF @ 15 V
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DMG8601UFG-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 6.1A 920mW 面実装 U-DFN3030-8

20V 6.1A 143pF @ 10V 920mW 23ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.05V @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8
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DMG8601UFG-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 6.1A 920mW 面実装 U-DFN3030-8

20V 6.1A 143pF @ 10V 920mW 23ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.05V @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8
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DMG8822UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 4.9A(Ta) 870mW 面実装 8-TSSOP

20V 4.9A(Ta) 841pF @ 10V 870mW 25ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 9.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMG9926UDM-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 4.2A 980mW 面実装 SOT-26

20V 4.2A 856pF @ 10V 980mW 28ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 8.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMG9926UDM-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 4.2A 980mW 面実装 SOT-26

20V 4.2A 856pF @ 10V 980mW 28ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 8.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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DMG9926USD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 8A 1.3W 面実装 8-SO

20V 8A 867pF @ 15V 1.3W 24ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG9926USD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 8A 1.3W 面実装 8-SO

20V 8A 867pF @ 15V 1.3W 24ミリオーム @ 8.2A、4.5V 900mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG9933USD-13

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MOSFET - アレイ 20V 4.6A 1.15W 面実装 8-SO

20V 4.6A 608.4pF @ 6V 1.15W 75ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.1V @ 250µA 6.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG9933USD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 4.6A 1.15W 面実装 8-SO

20V 4.6A 608.4pF @ 6V 1.15W 75ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.1V @ 250µA 6.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG9N65CT

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Nチャンネル 650 V 9A(Tc) 165W(Tc) スルーホール TO-220-3

2310 pF @ 25 V
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DMGD7N45SSD-13

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MOSFET - アレイ 450V 500mA(Ta) 1.64W 面実装 8-SO

450V 500mA(Ta) 256pF @ 25V 1.64W 4オーム @ 400mA、10V 4.5V @ 1mA 6.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO

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