FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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DMG4800LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.44A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8

798 pF @ 10 V
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DMG4800LFG-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 7.44A(Ta) 940mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8

798 pF @ 10 V
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DMG4800LK3-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.71W(Ta) 面実装 TO-252-3

798 pF @ 10 V
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DMG4800LK3-13

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 10A(Ta) 1.71W(Ta) 面実装 TO-252-3

798 pF @ 10 V
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DMG4800LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SO

30V 7.5A 798pF @ 10V 1.17W 16ミリオーム @ 9A、10V 1.6V @ 250µA 8.56nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG4800LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SO

30V 7.5A 798pF @ 10V 1.17W 16ミリオーム @ 9A、10V 1.6V @ 250µA 8.56nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG4800LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.5A(Ta) 1.17W 面実装 8-SOP

30V 7.5A(Ta) 798pF @ 10V 1.17W 16ミリオーム @ 9A、10V 1.6V @ 250µA 8.56nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOP
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DMG4800LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 7.5A(Ta) 1.17W 面実装 8-SOP

30V 7.5A(Ta) 798pF @ 10V 1.17W 16ミリオーム @ 9A、10V 1.6V @ 250µA 8.56nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOP
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DMG4822SSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 10A 1.42W 面実装 8-SO

30V 10A 478.9pF @ 16V 1.42W 20ミリオーム @ 8.5A、10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG4822SSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 10A 1.42W 面実装 8-SO

30V 10A 478.9pF @ 16V 1.42W 20ミリオーム @ 8.5A、10V 3V @ 250µA 10.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG4822SSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO

30V 10A(Ta) 478.9pF @ 16V 1.42W(Ta) 21ミリオーム @ 8.5A、10V 3V @ 250µA 5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG4822SSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 10A(Ta) 1.42W(Ta) 面実装 8-SO

30V 10A(Ta) 478.9pF @ 16V 1.42W(Ta) 21ミリオーム @ 8.5A、10V 3V @ 250µA 5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG5802LFX-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 6.5A 980mW 面実装 W-DFN5020-6

24V 6.5A 1066.4pF @ 15V 980mW 15ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 31.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 W-DFN5020-6
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DMG5802LFX-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 6.5A 980mW 面実装 W-DFN5020-6

24V 6.5A 1066.4pF @ 15V 980mW 15ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 31.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 W-DFN5020-6
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DMG6301UDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 240mA 300mW 面実装 SOT-363

25V 240mA 27.9pF @ 10V 300mW 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.36nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6301UDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 240mA 300mW 面実装 SOT-363

25V 240mA 27.9pF @ 10V 300mW 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.36nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6301UDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 240mA 300mW 面実装 SOT-363

25V 240mA 27.9pF @ 10V 300mW 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.36nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6301UDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 240mA 300mW 面実装 SOT-363

25V 240mA 27.9pF @ 10V 300mW 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.36nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6302UDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 150mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-363

25V 150mA(Ta) 30.7pF @ 10V 310mW(Ta) 10オーム @ 140mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.34nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6302UDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 150mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 SOT-363

25V 150mA(Ta) 30.7pF @ 10V 310mW(Ta) 10オーム @ 140mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.34nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMG6402LDM-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.3A(Ta) 1.12W(Ta) 面実装 SOT-26

404 pF @ 15 V
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DMG6402LDM-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 5.3A(Ta) 1.12W(Ta) 面実装 SOT-26

404 pF @ 15 V
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DMG6402LVT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 6A(Ta) 1.75W(Ta) 面実装 TSOT-26

498 pF @ 15 V
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DMG6402LVT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 6A(Ta) 1.75W(Ta) 面実装 TSOT-26

498 pF @ 15 V
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.8A、2.5A 850mW 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 3.8A、2.5A 422pF @ 15V 850mW 55ミリオーム @ 3.4A、10V 1.5V @ 250µA 12.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.8A、2.5A 850mW 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 3.8A、2.5A 422pF @ 15V 850mW 55ミリオーム @ 3.4A、10V 1.5V @ 250µA 12.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A、2.8A 840mW 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 3.4A、2.8A 400pF @ 15V 840mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、4.5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A、2.8A 840mW 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 3.4A、2.8A 400pF @ 15V 840mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル ロジックレベルゲート、4.5V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVTQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A、2.8A 840mW 面実装 TSOT-26

30V 3.4A、2.8A 400pF @ 15V 840mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVTQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A、2.8A 840mW 面実装 TSOT-26

30V 3.4A、2.8A 400pF @ 15V 840mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVTX-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A(Ta)、2.8A(Ta) 840mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 3.4A(Ta)、2.8A(Ta) 400pF @ 15V、420pF @ 15V 840mW(Ta) 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V、9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6602SVTX-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A(Ta)、2.8A(Ta) 840mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 3.4A(Ta)、2.8A(Ta) 400pF @ 15V、420pF @ 15V 840mW(Ta) 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 250µA 13nC @ 10V、9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMG6898LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 9.5A 1.28W 面実装 8-SO

20V 9.5A 1149pF @ 10V 1.28W 16ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMG6898LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 9.5A 1.28W 面実装 8-SO

20V 9.5A 1149pF @ 10V 1.28W 16ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO

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