FETs

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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMGD7N45SSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 450V 500mA(Ta) 1.64W 面実装 8-SO

450V 500mA(Ta) 256pF @ 25V 1.64W 4オーム @ 400mA、10V 4.5V @ 1mA 6.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC10H170SFJ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 2.9A、2.3A 2.1W 面実装 V-DFN5045-12

100V 2.9A、2.3A 1167pF @ 25V 2.1W 160ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9.7nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12
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DMHC10H170SFJ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 100V 2.9A、2.3A 2.1W 面実装 V-DFN5045-12

100V 2.9A、2.3A 1167pF @ 25V 2.1W 160ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9.7nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12
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DMHC3025LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.2A 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6A、4.2A 590pF @ 15V, 631pF @ 15V 1.5W(Ta) 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC3025LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.2A 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6A、4.2A 590pF @ 15V, 631pF @ 15V 1.5W(Ta) 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC3025LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.2A 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6A、4.2A 590pF @ 15V, 631pF @ 15V 1.5W(Ta) 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC3025LSDQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.2A 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

30V 6A、4.2A 590pF @ 15V, 631pF @ 15V 1.5W(Ta) 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V 2V @ 250µA 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC4035LSD-13

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MOSFET - アレイ 40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 574pF @ 20V、587pF @ 20V 1.5W(Ta) 45ミリオーム @ 3.9A、10V、65ミリオーム @ 4.2A、10V 3V @ 250µA 12.5nC @ 10V、11.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC4035LSD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SO

40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 574pF @ 20V、587pF @ 20V 1.5W(Ta) 45ミリオーム @ 3.9A、10V、65ミリオーム @ 4.2A、10V 3V @ 250µA 12.5nC @ 10V、11.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC4035LSDQ-13

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MOSFET - アレイ 40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC

40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 574pF @ 20V、587pF @ 20V 1.5W(Ta) 45ミリオーム @ 3.9A、10V、65ミリオーム @ 4.2A、10V 3V @ 250µA 12.5nC @ 10V、11.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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DMHC4035LSDQ-13

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MOSFET - アレイ 40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC

40V 4.5A(Ta)、3.7A(Ta) 574pF @ 20V、587pF @ 20V 1.5W(Ta) 45ミリオーム @ 3.9A、10V、65ミリオーム @ 4.2A、10V 3V @ 250µA 12.5nC @ 10V、11.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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DMHC6070LSD-13

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MOSFET - アレイ 60V 3.1A、2.4A 1.6W 面実装 8-SO

60V 3.1A、2.4A 731pF @ 20V、618pF @ 20V 1.6W 100ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 11.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMHC6070LSD-13

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MOSFET - アレイ 60V 3.1A、2.4A 1.6W 面実装 8-SO

60V 3.1A、2.4A 731pF @ 20V、618pF @ 20V 1.6W 100ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 11.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nおよび2 Pチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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MOSFET - アレイ 100V 6A(Ta) 900mW 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)

100V 6A(Ta) 683pF @ 50V 900mW 33ミリオーム @ 6A、10V 2.5V @ 250µA 11.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)
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MOSFET - アレイ 30V 13A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)

30V 13A(Ta) 1171pF @ 15V 1.3W(Ta) 10ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 13A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)

30V 13A(Ta) 1171pF @ 15V 1.3W(Ta) 10ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12(タイプC)
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DMHT6016LFJ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 14.8A(Ta) 面実装 V-DFN5045-12

60V 14.8A(Ta) 864pF @ 30V 22ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12
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DMHT6016LFJ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 60V 14.8A(Ta) 面実装 V-DFN5045-12

60V 14.8A(Ta) 864pF @ 30V 22ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 8.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 4個のNチャンネル(フルブリッジ) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN5045-12
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DMJ7N70SK3-13

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Nチャンネル 700 V 3.9A(Tc) 28W(Tc) 面実装 TO-252-3

351 pF @ 50 V
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 20A(Ta) 1W 面実装 X2-TSN1820-10

12V 20A(Ta) 2865pF @ 6V 1W 3.55ミリオーム @ 5A、4.5V 1.4V @ 870µA 29nC @ 4V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-TSN1820-10
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 20A(Ta) 1W 面実装 X2-TSN1820-10

12V 20A(Ta) 2865pF @ 6V 1W 3.55ミリオーム @ 5A、4.5V 1.4V @ 870µA 29nC @ 4V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-TSN1820-10
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DMN1002UCA6-7

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MOSFET - アレイ 1.1W 面実装 X4-DSN3118-6

- - - 1.1W - - 68.6nC @ 4V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X4-DSN3118-6
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DMN1003UCA6-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 2.67W 面実装 X3-DSN3518-6

- - 3315pF @ 6V 2.67W - 1.3V @ 1mA 56.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X3-DSN3518-6
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DMN1003UCA6-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 2.67W 面実装 X3-DSN3518-6

- - 3315pF @ 6V 2.67W - 1.3V @ 1mA 56.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X3-DSN3518-6
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DMN1003UFDE-13

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Nチャンネル 12 V 22A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプE)

2551 pF @ 6 V
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DMN1003UFDE-7

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 22A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプE)

2551 pF @ 6 V
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RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 15A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 15A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 15A(Ta) 2.1W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFV-13

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 70A(Tc) 1.9W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUX)

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFV-13

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 70A(Tc) 1.9W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUX)

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFV-7

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 70A(Tc) 1.9W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUX)

2385 pF @ 6 V
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DMN1004UFV-7

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 70A(Tc) 1.9W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8(タイプUX)

2385 pF @ 6 V
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DMN1006UCA6-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 2.4W 面実装 X3-DSN2718-6

- - 2360pF @ 6V 2.4W - 1.3V @ 1mA 35.2nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X3-DSN2718-6
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DMN1008UFDF-13

RoHS
   

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Nチャンネル 12 V 12.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

AEC-Q101

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