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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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MOSFET - アレイ 20V 4.7A、3.2A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.7A、3.2A 713pF @ 10V 1.4W 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.4V @ 250µA 15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 820mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 820mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、75ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 10V、12.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 820mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 820mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、75ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 10V、12.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 820mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 820mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、75ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 10V、12.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 820mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.6A(Ta)、3.1A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 820mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、75ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 7.7nC @ 10V、12.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4.6A(Ta)、3.2A(Ta) 369pF @ 10V、440pF @ 10V 700mW(Ta) 35ミリオーム @ 5A、4.5V、74ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1V @ 250µA 3.6nC @ 4.5V、5.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4A(Ta)、3.3A(Ta) 416pF @ 10V、536pF @ 10V 700mW(Ta) 42ミリオーム @ 5A、4.5V、70ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1.2V @ 250µA、1V @ 250µA 10.5nC @ 10V、6.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 4A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

20V 4A(Ta)、3.3A(Ta) 416pF @ 10V、536pF @ 10V 700mW(Ta) 42ミリオーム @ 5A、4.5V、70ミリオーム @ 3.5A、4.5V 1.2V @ 250µA、1V @ 250µA 10.5nC @ 10V、6.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 455mA(Ta)、 328mA(Ta) 300mW 面実装 X2-DFN0806-6

20V 455mA(Ta)、 328mA(Ta) 31pF @ 15V、 28.5pF @ 15V 300mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.41nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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MOSFET - アレイ 20V 455mA(Ta)、 328mA(Ta) 300mW 面実装 X2-DFN0806-6

20V 455mA(Ta)、 328mA(Ta) 31pF @ 15V、 28.5pF @ 15V 300mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.41nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2400UV-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A(Ta)、700mA(Ta) 450mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.03A(Ta)、700mA(Ta) 37.1pF @ 10V、46.1pF @ 10V 450mW(Ta) 480ミリオーム @ 200mA、5V、970ミリオーム @ 100mA、5V 900mV @ 250µA、1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A(Ta)、700mA(Ta) 450mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.03A(Ta)、700mA(Ta) 37.1pF @ 10V、46.1pF @ 10V 450mW(Ta) 480ミリオーム @ 200mA、5V、970ミリオーム @ 100mA、5V 900mV @ 250µA、1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 20V 1.03A、700mA 450mW 面実装 SOT-563

20V 1.03A、700mA 37.1pF @ 10V 450mW 480ミリオーム @ 200mA、5V 900mV @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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MOSFET - アレイ 25V、30V 400mA、3.2A 1.2W 面実装 TSOT-23-6

25V、30V 400mA、3.2A 26.2pF @ 10V 1.2W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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MOSFET - アレイ 25V、30V 400mA、3.2A 1.2W 面実装 TSOT-23-6

25V、30V 400mA、3.2A 26.2pF @ 10V 1.2W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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MOSFET - アレイ 25V、30V 400mA、3.2A 1.2W 面実装 TSOT-23-6

25V、30V 400mA、3.2A 26.2pF @ 10V 1.2W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.7nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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MOSFET - アレイ 25V、12V 500mA、3.9A 1.3W 面実装 TSOT-26

25V、12V 500mA、3.9A 27.6pF @ 10V 1.3W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 25V、12V 500mA、3.9A 1.3W 面実装 TSOT-26

25V、12V 500mA、3.9A 27.6pF @ 10V 1.3W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 25V、12V 500mA、3.9A 1.3W 面実装 TSOT-26

25V、12V 500mA、3.9A 27.6pF @ 10V 1.3W 4オーム @ 400mA、4.5V 1.5V @ 250µA 0.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 1.34A、1.14A 1.12W 面実装 SOT-26

20V 1.34A、1.14A 60.67pF @ 16V 1.12W 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 1.34A、1.14A 1.12W 面実装 SOT-26

20V 1.34A、1.14A 60.67pF @ 16V 1.12W 400ミリオーム @ 600mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 1.34A(Ta)、1.14A(Ta) 1.12W(Ta) 面実装 SOT-26

20V 1.34A(Ta)、1.14A(Ta) 60.67pF @ 16V、59.76pF @ 16V 1.12W(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V、0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 1.34A(Ta)、1.14A(Ta) 1.12W(Ta) 面実装 SOT-26

20V 1.34A(Ta)、1.14A(Ta) 60.67pF @ 16V、59.76pF @ 16V 1.12W(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.74nC @ 4.5V、0.62nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-26
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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363

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