FETs

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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMC2710UDW-7

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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2710UDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2710UDWQ-13

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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2710UDWQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2710UDWQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

20V 750mA(Ta)、600mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 290mW(Ta) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V、750ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2710UV-13

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UV-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UV-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UVQ-13

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UVQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UVQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 460mW(Ta) 面実装 SOT-563

20V 1.1A(Ta)、800mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 460mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-563
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DMC2710UVT-13

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MOSFET - アレイ 20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 TSOT-23-6

20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 500mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC2710UVT-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 TSOT-23-6

20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 500mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC2710UVT-7

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MOSFET - アレイ 20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 TSOT-23-6

20V 1.2A(Ta)、900mA(Ta) 42pF @ 16V、49pF @ 16V 500mW(Ta) 400ミリオーム @ 600mA、4.5V、700ミリオーム @ 430mA、4.5V 1V @ 250µA 0.6nC @ 4.5V、0.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC2990UDJ-7

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MOSFET - アレイ 20V 450mA、310mA 350mW 面実装 SOT-963

20V 450mA、310mA 27.6pF @ 15V 350mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2990UDJ-7

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MOSFET - アレイ 20V 450mA、310mA 350mW 面実装 SOT-963

20V 450mA、310mA 27.6pF @ 15V 350mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2990UDJQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 27.6pF @ 15V、28.7pF @ 15V 350mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2990UDJQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 27.6pF @ 15V、28.7pF @ 15V 350mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2990UDJQ-7B

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 27.6pF @ 15V、28.7pF @ 15V 350mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2990UDJQ-7B

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 450mA(Ta)、310mA(Ta) 27.6pF @ 15V、28.7pF @ 15V 350mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.5nC @ 4.5V、0.4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2991UDA-7B

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MOSFET - アレイ 20V 480mA(Ta)、350mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

20V 480mA(Ta)、350mA(Ta) 21.5pF @ 16V、17pF @ 15V 350mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMC2991UDJ-7

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 21.5pF @ 15V、17pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2991UDJ-7

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 21.5pF @ 15V、17pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2991UDJ-7B

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 21.5pF @ 15V、17pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2991UDJ-7B

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 21.5pF @ 15V、17pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC2991UDR4-7

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 14.6pF @ 16V、17pF @ 16V 370mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.28nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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DMC2991UDR4-7

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta)、360mA(Ta) 14.6pF @ 16V、17pF @ 16V 370mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V、1.9オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.28nC @ 4.5V、0.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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DMC3016LDV-13

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MOSFET - アレイ 30V 21A(Tc)、15A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 21A(Tc)、15A(Tc) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 900mW(Ta) 12ミリオーム @ 7A、10V、25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LDV-13

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MOSFET - アレイ 30V 21A(Tc)、15A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 21A(Tc)、15A(Tc) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 900mW(Ta) 12ミリオーム @ 7A、10V、25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LDV-7

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MOSFET - アレイ 30V 21A(Tc)、15A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 21A(Tc)、15A(Tc) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 900mW(Ta) 12ミリオーム @ 7A、10V、25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LDV-7

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MOSFET - アレイ 30V 21A(Tc)、15A(Tc) 900mW(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 21A(Tc)、15A(Tc) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 900mW(Ta) 12ミリオーム @ 7A、10V、25ミリオーム @ 7A、10V 2.4V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LNS-13

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MOSFET - アレイ 30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 1.3W(Ta) 16ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LNS-7

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MOSFET - アレイ 30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 1.3W(Ta) 16ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LNS-7

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MOSFET - アレイ 30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 PowerDI3333-8

30V 9A(Ta)、6.8A(Ta) 1184pF @ 15V、1188pF @ 15V 1.3W(Ta) 16ミリオーム @ 7A、10V、28ミリオーム @ 7A、10V 2V @ 250µA 9.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8
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DMC3016LSD-13

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MOSFET - アレイ 30V 8.2A、6.2A 1.2W 面実装 8-SO

30V 8.2A、6.2A 1415pF @ 15V 1.2W 16ミリオーム @ 12A、10V 2.3V @ 250µA 25.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO

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