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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMC3061SVTQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 880mW 面実装 TSOT-26

30V 3.4A(Ta)、2.7A(Ta) 278pF @ 15V、287pF @ 15V 880mW 60ミリオーム @ 3.1A、10V、95ミリオーム @ 2.7A、10V 1.8V @ 250µA、2.2V @ 250µA 6.6nC @ 10V、6.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3071LVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 190pF @ 15V、254pF @ 15V 700mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V、95ミリオーム @ 3.8A、10V 2.5V @ 250µA 4.5nC @ 10V、6.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3071LVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 190pF @ 15V、254pF @ 15V 700mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V、95ミリオーム @ 3.8A、10V 2.5V @ 250µA 4.5nC @ 10V、6.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 190pF @ 15V、254pF @ 15V 700mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V、95ミリオーム @ 3.8A、10V 2.5V @ 250µA 4.5nC @ 10V、6.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3071LVT-7

DMC3071LVT-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 TSOT-26

Diodes Incorporated - 30V 4.6A(Ta)、3.3A(Ta) 190pF @ 15V、254pF @ 15V 700mW(Ta) 50ミリオーム @ 3.5A、10V、95ミリオーム @ 3.8A、10V 2.5V @ 250µA 4.5nC @ 10V、6.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC31D5UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 400mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

30V 400mA(Ta) 22.6pF @ 15V 370mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMC31D5UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 400mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

30V 400mA(Ta) 22.6pF @ 15V 370mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMC31D5UDAQ-7B

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MOSFET - アレイ 30V 400mA(Ta)、220mA(Ta) 370mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

30V 400mA(Ta)、220mA(Ta) 22.6pF @ 15V、21.8pF @ 15V 370mW(Ta) 1.5オーム @ 100mA、4.5V、5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V、0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 220mA、200mA 350mW 面実装 SOT-963

Diodes Incorporated - 30V 220mA、200mA 22.6pF @ 15V 350mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7
DIODES INCORPORATED

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 220mA、200mA 350mW 面実装 SOT-963

Diodes Incorporated - 30V 220mA、200mA 22.6pF @ 15V 350mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC31D5UDJ-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 220mA、200mA 350mW 面実装 SOT-963

30V 220mA、200mA 22.6pF @ 15V 350mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC31D5UDJ-7B

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MOSFET - アレイ 30V 220mA、200mA 350mW 面実装 SOT-963

30V 220mA、200mA 22.6pF @ 15V 350mW 1.5オーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.38nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMC3400SDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 650mA、450mA 310mW 面実装 SOT-363

30V 650mA、450mA 55pF @ 15V 310mW 400ミリオーム @ 590mA、10V 1.6V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3400SDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 650mA、450mA 310mW 面実装 SOT-363

30V 650mA、450mA 55pF @ 15V 310mW 400ミリオーム @ 590mA、10V 1.6V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3400SDW-7

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MOSFET - アレイ 30V 650mA、450mA 310mW 面実装 SOT-363

30V 650mA、450mA 55pF @ 15V 310mW 400ミリオーム @ 590mA、10V 1.6V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3400SDW-7

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MOSFET - アレイ 30V 650mA、450mA 310mW 面実装 SOT-363

30V 650mA、450mA 55pF @ 15V 310mW 400ミリオーム @ 590mA、10V 1.6V @ 250µA 1.4nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3401LDW-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 50pF @ 15V、19pF @ 15V 290mW(Ta) 400ミリオーム @ 590mA、10V、900ミリオーム @ 420mA、10V 1.6V @ 250µA、2.6V @ 250µA 1.2nC @ 10V、800pC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3401LDW-13

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MOSFET - アレイ 30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 50pF @ 15V、19pF @ 15V 290mW(Ta) 400ミリオーム @ 590mA、10V、900ミリオーム @ 420mA、10V 1.6V @ 250µA、2.6V @ 250µA 1.2nC @ 10V、800pC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3401LDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 50pF @ 15V、19pF @ 15V 290mW(Ta) 400ミリオーム @ 590mA、10V、900ミリオーム @ 420mA、10V 1.6V @ 250µA、2.6V @ 250µA 1.2nC @ 10V、800pC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3401LDW-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-363

30V 800mA(Ta)、550mA(Ta) 50pF @ 15V、19pF @ 15V 290mW(Ta) 400ミリオーム @ 590mA、10V、900ミリオーム @ 420mA、10V 1.6V @ 250µA、2.6V @ 250µA 1.2nC @ 10V、800pC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC3730UFL3-7

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A、700mA 390mW 面実装 X2-DFN1310-6(タイプB)

30V 1.1A、700mA 65.9pF @ 25V 390mW 460ミリオーム @ 200mA、4.5V 950mV @ 250µA 0.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1310-6(タイプB)
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DMC3730UFL3-7

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A、700mA 390mW 面実装 X2-DFN1310-6(タイプB)

30V 1.1A、700mA 65.9pF @ 25V 390mW 460ミリオーム @ 200mA、4.5V 950mV @ 250µA 0.9nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1310-6(タイプB)
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DMC3730UVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 700mW 面実装 TSOT-26

25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 50pF @ 10V、63pF @ 10V 700mW 450ミリオーム @ 500mA、4.5V、1.1オーム @ 500mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.64nC @ 4.5V、1.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~175°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3730UVT-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 700mW 面実装 TSOT-26

25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 50pF @ 10V、63pF @ 10V 700mW 450ミリオーム @ 500mA、4.5V、1.1オーム @ 500mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.64nC @ 4.5V、1.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~175°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3730UVT-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 700mW 面実装 TSOT-26

25V 680mA(Ta)、460mA(Ta) 50pF @ 10V、63pF @ 10V 700mW 450ミリオーム @ 500mA、4.5V、1.1オーム @ 500mA、4.5V 1.1V @ 250µA 1.64nC @ 4.5V、1.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~175°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3732UVT-13

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 540mW 面実装 TSOT-26

30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 40.8pF @ 25V、54pF @ 15V 540mW 460ミリオーム @ 200mA, 4.5V、1オーム @ 400mA、4.5V 0.95V @ 250µA、1.1V @ 250µA 0.9nC @ 4.5V、1.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3732UVT-7

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 540mW 面実装 TSOT-26

30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 40.8pF @ 25V、54pF @ 15V 540mW 460ミリオーム @ 200mA, 4.5V、1オーム @ 400mA、4.5V 0.95V @ 250µA、1.1V @ 250µA 0.9nC @ 4.5V、1.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3732UVTQ-13

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 40.8pF @ 25V、54pF @ 15V 540mW(Ta) 460ミリオーム @ 200mA, 4.5V、1オーム @ 400mA、4.5V 0.95V @ 250µA、1.1V @ 250µA 0.9nC @ 4.5V、1.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC3732UVTQ-7

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MOSFET - アレイ 30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 540mW(Ta) 面実装 TSOT-26

30V 1.1A(Ta)、700mA(Ta) 40.8pF @ 25V、54pF @ 15V 540mW(Ta) 460ミリオーム @ 200mA, 4.5V、1オーム @ 400mA、4.5V 0.95V @ 250µA、1.1V @ 250µA 0.9nC @ 4.5V、1.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC4015SSD-13

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MOSFET - アレイ 40V 8.6A、6.2A 1.2W 面実装 8-SO

40V 8.6A、6.2A 1810pF @ 20V 1.2W 15ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC4015SSD-13

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MOSFET - アレイ 40V 8.6A、6.2A 1.2W 面実装 8-SO

40V 8.6A、6.2A 1810pF @ 20V 1.2W 15ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 40nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC4028SSD-13

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MOSFET - アレイ 40V 6.5A、4.8A 1.8W 面実装 8-SO

40V 6.5A、4.8A 604pF @ 20V 1.8W 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 12.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC4028SSD-13

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MOSFET - アレイ 40V 6.5A、4.8A 1.8W 面実装 8-SO

40V 6.5A、4.8A 604pF @ 20V 1.8W 28ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 12.9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC4028SSDQ-13

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MOSFET - アレイ 40V 5.4A(Ta)、4A(Ta) 1.25W(Ta) 面実装 8-SOP

40V 5.4A(Ta)、4A(Ta) 604pF @ 20V、674pF @ 20V 1.25W(Ta) 28ミリオーム @ 6A、10V、50ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 12.9nC @ 10V、14nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOP
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DMC4029SK4-13

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MOSFET - アレイ 40V 8.3A 1.5W 面実装 TO-252-4L

40V 8.3A 1060pF @ 20V 1.5W 24ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 19.1nC @ 20V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L
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DMC4029SK4-13

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MOSFET - アレイ 40V 8.3A 1.5W 面実装 TO-252-4L

40V 8.3A 1060pF @ 20V 1.5W 24ミリオーム @ 6A、10V 3V @ 250µA 19.1nC @ 20V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252-4L

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