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メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 削除
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DMC1028UFDB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V、20V 6A、3.4A 1.36W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V、20V 6A、3.4A 787pF @ 6V 1.36W 25ミリオーム @ 5.2A、4.5V 1V @ 250µA 18.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1028UVT-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 800mW 面実装 TSOT-26

12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 787pF @ 6V、576pF @ 10V 800mW 25ミリオーム @ 5.2A、4.5V、80ミリオーム @ 3.8A、4.5V 1V @ 250µA 18.5nC @ 8V、11.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC1028UVT-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 800mW 面実装 TSOT-26

12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 787pF @ 6V、576pF @ 10V 800mW 25ミリオーム @ 5.2A、4.5V、80ミリオーム @ 3.8A、4.5V 1V @ 250µA 18.5nC @ 8V、11.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC1028UVT-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 800mW 面実装 TSOT-26

12V、20V 6.1A(Ta)、3.5A(Ta) 787pF @ 6V、576pF @ 10V 800mW 25ミリオーム @ 5.2A、4.5V、80ミリオーム @ 3.8A、4.5V 1V @ 250µA 18.5nC @ 8V、11.5nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC1029UFDB-13

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1029UFDB-7

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1029UFDB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDB-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1.36W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1003pF @ 6V、1028pF @ 6V 1.36W(Ta) 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V、59ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1V @ 250µA 12.2nC @ 4.5V、13nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1.36W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1003pF @ 6V、1028pF @ 6V 1.36W(Ta) 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V、59ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1V @ 250µA 12.2nC @ 4.5V、13nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDB-7

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1.36W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A(Ta)、3.9A(Ta) 1003pF @ 6V、1028pF @ 6V 1.36W(Ta) 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V、59ミリオーム @ 3.6A、4.5V 1V @ 250µA 12.2nC @ 4.5V、13nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDBQ-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A 1.36W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A 1003pF @ 6V 1.36W 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V 1V @ 250µA 23.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDBQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A 1.36W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A 1003pF @ 6V 1.36W 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V 1V @ 250µA 23.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1030UFDBQ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.1A 1.36W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.1A 1003pF @ 6V 1.36W 34ミリオーム @ 4.6A、4.5V 1V @ 250µA 23.1nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC10H172SSD-13

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MOSFET - アレイ 100V 2A(Ta)、1.7A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SO

100V 2A(Ta)、1.7A(Ta) 1145pF @ 50V、1030pF @ 50V 1.1W(Ta) 160ミリオーム @ 1.6A、10V、250ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 19.6nC @ 10V、18nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC10H220LSD-13

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MOSFET - アレイ 100V 1.7A(Ta) 1W(Ta) 面実装 8-SO

100V 1.7A(Ta) 340pF @ 50V、1030pF @ 50V 1W(Ta) 220ミリオーム @ 1.6A、10V、250ミリオーム @ 1A、10V 3V @ 250µA 8.3nC @ 10V、17.5nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC1229UFDB-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1229UFDB-13

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1229UFDB-7

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V - NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC1229UFDB-7

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MOSFET - アレイ 12V 5.6A、3.8A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

12V 5.6A、3.8A 914pF @ 6V 1.4W 29ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 19.6nC @ 8V - NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2004DWK-7

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-363

20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2004DWK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 540mA、430mA 250mW 面実装 SOT-363

20V 540mA、430mA 150pF @ 16V 250mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-363
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DMC2004LPK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 750mA、600mA 500mW 面実装 DFN1612-6

20V 750mA、600mA 150pF @ 16V 500mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1612-6
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DMC2004LPK-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 750mA、600mA 500mW 面実装 DFN1612-6

20V 750mA、600mA 150pF @ 16V 500mW 550ミリオーム @ 540mA、4.5V 1V @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -65°C~150°C(TJ) 面実装 DFN1612-6
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DMC2020USD-13

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MOSFET - アレイ 20V 7.8A、6.3A 1.8W 面実装 8-SO

20V 7.8A、6.3A 1149pF @ 10V 1.8W 20ミリオーム @ 7A、4.5V 1.5V @ 250µA 11.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC2020USD-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 7.8A、6.3A 1.8W 面実装 8-SO

20V 7.8A、6.3A 1149pF @ 10V 1.8W 20ミリオーム @ 7A、4.5V 1.5V @ 250µA 11.6nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
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DMC2025UFDB-13

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2025UFDB-7

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2025UFDB-7

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2025UFDBQ-13

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2025UFDBQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2025UFDBQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 700mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 6A(Ta)、3.5A(Ta) 486pF @ 10V、642pF @ 10V 700mW(Ta) 25ミリオーム @ 4A、4.5V、75ミリオーム @ 2.9A、4.5V 1V @ 250µA、1.4V @ 250µA 12.3nC @ 10V、15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2038LVT-7

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MOSFET - アレイ 20V 3.7A、2.6A 800mW 面実装 TSOT-26

20V 3.7A、2.6A 530pF @ 10V 800mW 35ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC2038LVT-7

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MOSFET - アレイ 20V 3.7A、2.6A 800mW 面実装 TSOT-26

20V 3.7A、2.6A 530pF @ 10V 800mW 35ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 17nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-26
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DMC2038LVTQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 3.7A(Ta)、2.6A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 TSOT-23-6

20V 3.7A(Ta)、2.6A(Ta) 530pF @ 10V、705pF @ 10V 800mW(Ta) 35ミリオーム @ 4A、4.5V、74ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 250µA 5.7nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、1.8V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC2038LVTQ-7

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MOSFET - アレイ 20V 3.7A(Ta)、2.6A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 TSOT-23-6

20V 3.7A(Ta)、2.6A(Ta) 530pF @ 10V、705pF @ 10V 800mW(Ta) 35ミリオーム @ 4A、4.5V、74ミリオーム @ 3A、4.5V 1V @ 250µA 5.7nC @ 4.5V、10nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネルコンプリメンタリ ロジックレベルゲート、1.8V駆動 -55°C~150°C(TJ) 面実装 TSOT-23-6
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DMC2041UFDB-13

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MOSFET - アレイ 20V 4.7A、3.2A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.7A、3.2A 713pF @ 10V 1.4W 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.4V @ 250µA 15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)
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DMC2041UFDB-7

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MOSFET - アレイ 20V 4.7A、3.2A 1.4W 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

20V 4.7A、3.2A 713pF @ 10V 1.4W 40ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.4V @ 250µA 15nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2020-6(タイプB)

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