FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR882BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 16.5A(Ta)、67.5A(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR882BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 16.5A(Ta)、67.5A(Tc) 3762 pF @ 50 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 8.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR882BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 16.5A(Ta)、67.5A(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR882BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 16.5A(Ta)、67.5A(Tc) 3762 pF @ 50 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 8.3ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR882DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR882DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1930 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 8.7ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR882DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR882DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1930 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 8.7ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA00DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA00DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 11700 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 220 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA00DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA00DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 11700 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 220 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA00DP-T1-RE3

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA00DP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 11700 pF @ 15 V 104W(Tc) 1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 220 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA01DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 26A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA01DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 26A(Ta)、60A(Tc) 3490 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 112 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA01DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 26A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA01DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 26A(Ta)、60A(Tc) 3490 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 112 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA02DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA02DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 6150 pF @ 15 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 117 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA02DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA02DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 6150 pF @ 15 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 117 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA04DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 2.15ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA04DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 2.15ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA06DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA06DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 2.5ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA06DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA06DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 2.5ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA10BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA10BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Ta)、60A(Tc) 1710 pF @ 15 V 5W(Ta)、43W(Tc) 3.6ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36.2 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA10BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA10BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Ta)、60A(Tc) 1710 pF @ 15 V 5W(Ta)、43W(Tc) 3.6ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36.2 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA10DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 5W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA10DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2425 pF @ 15 V 5W(Ta)、40W(Tc) 3.7ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 51 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA10DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 5W(Ta)、40W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA10DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2425 pF @ 15 V 5W(Ta)、40W(Tc) 3.7ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 51 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA12BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 27A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、38W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA12BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 27A(Ta)、60A(Tc) 1470 pF @ 15 V 5W(Ta)、38W(Tc) 4.3ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA12BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 27A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、38W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA12BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 27A(Ta)、60A(Tc) 1470 pF @ 15 V 5W(Ta)、38W(Tc) 4.3ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA12DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 25A(Tc) 4.5W(Ta)、31W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA12DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 25A(Tc) 2070 pF @ 15 V 4.5W(Ta)、31W(Tc) 4.3ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 45 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA12DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 25A(Tc) 4.5W(Ta)、31W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA12DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 25A(Tc) 2070 pF @ 15 V 4.5W(Ta)、31W(Tc) 4.3ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 45 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA14BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta)、64A(Tc) 3.7W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 21A(Ta)、64A(Tc) 917 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、36W(Tc) 5.38ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 22 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA14BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta)、64A(Tc) 3.7W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 21A(Ta)、64A(Tc) 917 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、36W(Tc) 5.38ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 22 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA14DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 58A(Tc) 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 58A(Tc) 1450 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 5.1ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 29 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA14DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 58A(Tc) 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 58A(Tc) 1450 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 5.1ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 29 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA16DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA16DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2060 pF @ 15 V - 6.8ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 47 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA18ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.6A(Tc) 14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.6A(Tc) 1000 pF @ 15 V 14.7W(Tc) 8.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.6A(Tc) 14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.6A(Tc) 1000 pF @ 15 V 14.7W(Tc) 8.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 33A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 33A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA18DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 33A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 33A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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