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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SIRA90DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA90DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA90DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA90DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA96DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA96DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1385 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA96DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA96DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1385 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA99DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 6.35W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA99DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 10955 pF @ 15 V 6.35W(Ta)、104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA99DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 6.35W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA99DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 10955 pF @ 15 V 6.35W(Ta)、104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRB40DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 40A(Tc) 46.2W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRB40DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 40A(Tc) 4290pF @ 20V 46.2W 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 45nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
他社在庫

SIRB40DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 40A(Tc) 46.2W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRB40DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 40A(Tc) 4290pF @ 20V 46.2W 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 45nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
他社在庫

SIRC04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC04DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2850 pF @ 15 V 50W(Tc) 2.45ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC04DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2850 pF @ 15 V 50W(Tc) 2.45ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC06DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 32A(Ta)、 60A(Tc) 5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC06DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 32A(Ta)、 60A(Tc) 2455 pF @ 15 V 5W(Ta)、50W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 58 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC10DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC10DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1873 pF @ 15 V 43W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC10DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC10DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1873 pF @ 15 V 43W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC16DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC16DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRC16DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC16DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRC16DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 57A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRC16DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 57A(Ta)、60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 5W(Ta)、54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC16DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 57A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRC16DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 57A(Ta)、60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 5W(Ta)、54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC18DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC18DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5060 pF @ 15 V 54.3W(Tc) 1.1ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 111 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC18DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC18DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5060 pF @ 15 V 54.3W(Tc) 1.1ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 111 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫
RoHS

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Pチャンネル 30 V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4301DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 19750 pF @ 15 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Pチャンネル 30 V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 19750 pF @ 15 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4302DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 87A(Ta)、478A(Tc) 6.9W(Ta)、208W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4302DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 87A(Ta)、478A(Tc) 10150 pF @ 15 V 6.9W(Ta)、208W(Tc) 0.57ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4302DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 87A(Ta)、478A(Tc) 6.9W(Ta)、208W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4302DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 87A(Ta)、478A(Tc) 10150 pF @ 15 V 6.9W(Ta)、208W(Tc) 0.57ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4400DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 77A(Ta)、440A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4400DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 77A(Ta)、440A(Tc) 13730 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 0.69ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4400DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 77A(Ta)、440A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4400DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 77A(Ta)、440A(Tc) 13730 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 0.69ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4401DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 21850 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 588 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4401DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4401DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 21850 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 588 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4600DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 58A(Ta)、334A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4600DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 58A(Ta)、334A(Tc) 7655 pF @ 30 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS4600DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 58A(Ta)、334A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS4600DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 58A(Ta)、334A(Tc) 7655 pF @ 30 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS5100DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 39A(Ta)、225A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 39A(Ta)、225A(Tc) 5400 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 2.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS5100DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 39A(Ta)、225A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 39A(Ta)、225A(Tc) 5400 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 2.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 150 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5700DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 25A (Ta), 144A (Tc) 5455 pF @ 75 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 5.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 150 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5700DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 25A (Ta), 144A (Tc) 5455 pF @ 75 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 5.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS5800DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 46A(Ta)、265A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 46A(Ta)、265A(Tc) 6190 pF @ 40 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRS5800DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 46A(Ta)、265A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 46A(Ta)、265A(Tc) 6190 pF @ 40 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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