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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR632DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 29A(Tc) 69.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR632DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 29A(Tc) 740 pF @ 75 V 69.5W(Tc) 34.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR632DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 29A(Tc) 69.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR632DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 29A(Tc) 740 pF @ 75 V 69.5W(Tc) 34.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 17 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR638ADP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR638ADP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 9100 pF @ 100 V 104W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR638ADP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR638ADP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 9100 pF @ 100 V 104W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR638DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR638DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 104W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR638DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR638DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 104W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR638DP-T1-RE3-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 104W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR640ADP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 41.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR640ADP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 41.6A(Ta)、100A(Tc) 4240 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR640ADP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 41.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR640ADP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 41.6A(Ta)、100A(Tc) 4240 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2ミリオーム @ 20A、10V 2V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR662DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR662DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4365 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR662DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR662DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4365 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR664DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR664DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 1750 pF @ 30 V 6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR664DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR664DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 1750 pF @ 30 V 6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR668ADP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 93.6A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR668ADP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 93.6A(Tc) 3750 pF @ 50 V 104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR668ADP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 93.6A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR668ADP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 93.6A(Tc) 3750 pF @ 50 V 104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR668DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 95A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR668DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 83 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR668DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 95A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR668DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 83 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR670DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR670DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2815 pF @ 30 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 63 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680ADP-T1-RE3

   

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Nチャンネル 80 V 30.7A(Ta)、125A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR680ADP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 30.7A(Ta)、125A(Tc) 4415 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.88ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680ADP-T1-RE3

   

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Nチャンネル 80 V 30.7A(Ta)、125A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR680ADP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 30.7A(Ta)、125A(Tc) 4415 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.88ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR680DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 104W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 81 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR680DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 104W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 81 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680LDP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 31.8A(Ta)、130A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR680LDP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 31.8A(Ta)、130A(Tc) 7250 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR680LDP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 31.8A(Ta)、130A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR680LDP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 31.8A(Ta)、130A(Tc) 7250 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR681DP-T1-RE3

   

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Pチャンネル 80 V 17.6A(Ta)、71.9A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND@0

Pチャンネル 80 V 17.6A(Ta)、71.9A(Tc) 4850 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 11.2ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR681DP-T1-RE3

   

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Pチャンネル 80 V 17.6A(Ta)、71.9A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND@0

Pチャンネル 80 V 17.6A(Ta)、71.9A(Tc) 4850 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 11.2ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR688DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR688DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3105 pF @ 30 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 3.5ミリオーム @ 20A、10V 2.7V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR688DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR688DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3105 pF @ 30 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 3.5ミリオーム @ 20A、10V 2.7V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR690DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 200 V 34.4A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR690DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 34.4A(Tc) 1935 pF @ 100 V 104W(Tc) 35ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 37 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR690DP-T1-GE3

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Nチャンネル 200 V 34.4A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR690DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 34.4A(Tc) 1935 pF @ 100 V 104W(Tc) 35ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 37 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 200 V 34.4A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR690DP-T1-RE3-ND@0

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 34.4A(Tc) 1935 pF @ 100 V 104W(Tc) 35ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR692DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 250 V 24.2A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR692DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 250 V 7.5V、10V 24.2A(Tc) 1405 pF @ 125 V 104W(Tc) 63ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR692DP-T1-RE3

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Nチャンネル 250 V 24.2A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR692DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 250 V 7.5V、10V 24.2A(Tc) 1405 pF @ 125 V 104W(Tc) 63ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR696DP-T1-GE3

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Nチャンネル 125 V 60A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
核友型号:zp2216-SIR696DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 125 V 7.5V、10V 60A(Tc) 1410 pF @ 75 V 104W(Tc) 11.5ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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