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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIS472ADN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 24A(Tc) 28W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS472ADN-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 24A(Tc) 1515 pF @ 15 V 28W(Tc) 8.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS472BDN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15.3A(Ta)、38.3A(Tc) 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS472BDN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15.3A(Ta)、38.3A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS472BDN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15.3A(Ta)、38.3A(Tc) 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS472BDN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15.3A(Ta)、38.3A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS472DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 20A(Tc) 3.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS472DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 20A(Tc) 997 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、28W(Tc) 8.9リオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS472DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 20A(Tc) 3.5W(Ta)、28W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS472DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 20A(Tc) 997 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、28W(Tc) 8.9リオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS476DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS476DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 2.5ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS476DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS476DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3595 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 2.5ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 77 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS488DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS488DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1330 pF @ 20 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS488DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS488DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1330 pF @ 20 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS606BDN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 9.4A(Ta)、35.3A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS606BDN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 9.4A(Ta)、35.3A(Tc) 1470 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 17.4ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS606BDN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 9.4A(Ta)、35.3A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS606BDN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 9.4A(Ta)、35.3A(Tc) 1470 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 17.4ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS698DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 6.9A(Tc) 19.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS698DN-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 6.9A(Tc) 210 pF @ 50 V 19.8W(Tc) 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS780DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Tc) 27.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS780DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 722 pF @ 15 V 27.7W(Tc) 13.5ミリオーム @ 15A、 10V 2.3V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIS780DN-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Tc) 27.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS780DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 722 pF @ 15 V 27.7W(Tc) 13.5ミリオーム @ 15A、 10V 2.3V @ 250µA 24.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIS782DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 41W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS782DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1025 pF @ 15 V 41W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 30.5 nC @ 10 V ±20V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIS782DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 41W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS782DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1025 pF @ 15 V 41W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 30.5 nC @ 10 V ±20V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIS822DNT-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 12A(Tc) 15.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS822DNT-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Tc) 435 pF @ 15 V 15.6W(Tc) 24ミリオーム @ 7.8A、10V 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS862ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 15.8A(Ta)、52A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS862ADN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.8A(Ta)、52A(Tc) 1235 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 7.2ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS862ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 15.8A(Ta)、52A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS862ADN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.8A(Ta)、52A(Tc) 1235 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 7.2ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS862DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS862DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1320 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 8.5ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS862DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 40A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS862DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1320 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 8.5ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS888DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS888DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 20.2A(Tc) 420 pF @ 75 V 52W(Tc) 58ミリオーム @ 10A、10V 4.2V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TA) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS888DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS888DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 20.2A(Tc) 420 pF @ 75 V 52W(Tc) 58ミリオーム @ 10A、10V 4.2V @ 250µA 14.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TA) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS890ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 7.6A(Ta)、24.7A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.6A(Ta)、24.7A(Tc) 1330 pF @ 50 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 25.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS890ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 7.6A(Ta)、24.7A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.6A(Ta)、24.7A(Tc) 1330 pF @ 50 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 25.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS890DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 30A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS890DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 30A(Tc) 802 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 23.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS890DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 30A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS890DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 30A(Tc) 802 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 23.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS892ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS892ADN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 28A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 33ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS892ADN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 28A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS892ADN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 28A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 33ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS892DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 30A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS892DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 30A(Tc) 611 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 29ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS892DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 30A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS892DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 30A(Tc) 611 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 29ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIS903DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS903DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A(Tc) 2565pF @ 10V 2.6W(Ta)、23W(Tc) 20.1ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 42nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SIS903DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A(Tc) 2.6W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS903DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A(Tc) 2565pF @ 10V 2.6W(Ta)、23W(Tc) 20.1ミリオーム @ 5A、4.5V 1V @ 250µA 42nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SIS932EDN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A(Tc) 2.6W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIS932EDN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A(Tc) 1000pF @ 15V 2.6W(Ta)、23W(Tc) 22ミリオーム @ 10A、4.5V 1.4V @ 250µA 14nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル

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