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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIRC10DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC10DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1873 pF @ 15 V 43W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC10DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC10DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1873 pF @ 15 V 43W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 36 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC16DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC16DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRC16DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC16DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 48 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRC16DP-T1-RE3

   

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Nチャンネル 25 V 57A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRC16DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 57A(Ta)、60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 5W(Ta)、54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC16DP-T1-RE3

   

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Nチャンネル 25 V 57A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRC16DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 57A(Ta)、60A(Tc) 5150 pF @ 10 V 5W(Ta)、54.3W(Tc) 0.96ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC18DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC18DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5060 pF @ 15 V 54.3W(Tc) 1.1ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 111 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC18DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 54.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIRC18DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5060 pF @ 15 V 54.3W(Tc) 1.1ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 111 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 19750 pF @ 15 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4301DP-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 53.7A(Ta)、227A(Tc) 19750 pF @ 15 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 255 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4302DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 87A(Ta)、478A(Tc) 6.9W(Ta)、208W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4302DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 87A(Ta)、478A(Tc) 10150 pF @ 15 V 6.9W(Ta)、208W(Tc) 0.57ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4302DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 87A(Ta)、478A(Tc) 6.9W(Ta)、208W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4302DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 87A(Ta)、478A(Tc) 10150 pF @ 15 V 6.9W(Ta)、208W(Tc) 0.57ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 230 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4400DP-T1-RE3

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Nチャンネル 40 V 77A(Ta)、440A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4400DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 77A(Ta)、440A(Tc) 13730 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 0.69ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4400DP-T1-RE3

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Nチャンネル 40 V 77A(Ta)、440A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4400DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 77A(Ta)、440A(Tc) 13730 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 0.69ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 295 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4401DP-T1-GE3

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Pチャンネル 40 V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4401DP-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 21850 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 588 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4401DP-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4401DP-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 46.8A(Ta)、198A(Tc) 21850 pF @ 20 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 2.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 588 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4600DP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 58A(Ta)、334A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4600DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 58A(Ta)、334A(Tc) 7655 pF @ 30 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS4600DP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 58A(Ta)、334A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS4600DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 58A(Ta)、334A(Tc) 7655 pF @ 30 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS5100DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 39A(Ta)、225A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5100DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 39A(Ta)、225A(Tc) 5400 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 2.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS5100DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 39A(Ta)、225A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5100DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 39A(Ta)、225A(Tc) 5400 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 2.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 150 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5700DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 25A (Ta), 144A (Tc) 5455 pF @ 75 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 5.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS
   

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Nチャンネル 150 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5700DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 25A (Ta), 144A (Tc) 5455 pF @ 75 V 8.3W(Ta)、278W(Tc) 5.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS5800DP-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 46A(Ta)、265A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 46A(Ta)、265A(Tc) 6190 pF @ 40 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS5800DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 46A(Ta)、265A(Tc) 7.4W(Ta)、240W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 46A(Ta)、265A(Tc) 6190 pF @ 40 V 7.4W(Ta)、240W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS700DP-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 30A(Ta)、127A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS700DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 30A(Ta)、127A(Tc) 5950 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 3.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRS700DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 30A(Ta)、127A(Tc) 7.4W(Ta)、132W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIRS700DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 30A(Ta)、127A(Tc) 5950 pF @ 50 V 7.4W(Ta)、132W(Tc) 3.5ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS106DN-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 9.8A(Ta)、16A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIS106DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 9.8A(Ta)、16A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS106DN-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 9.8A(Ta)、16A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIS106DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 9.8A(Ta)、16A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta)、16A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIS108DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 6.7A(Ta)、16A(Tc) 545 pF @ 40 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 34ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta)、16A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIS108DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 6.7A(Ta)、16A(Tc) 545 pF @ 40 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 34ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS110DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 5.2A(Ta)、14.2A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIS110DN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 5.2A(Ta)、14.2A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 54ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS110DN-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 5.2A(Ta)、14.2A(Tc) 3.2W(Ta)、24W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIS110DN-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 5.2A(Ta)、14.2A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.2W(Ta)、24W(Tc) 54ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIS112LDN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIS112LDN-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 355 pF @ 50 V 3.2W(Ta)、19.8W(Tc) 119ミリオーム @ 3.5A、10V 2.5V @ 250µA 11.8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -

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