FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SISS46DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 12.5A(Ta)、45.3A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS46DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 12.5A(Ta)、45.3A(Tc) 2140 pF @ 50 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 12.8ミリオーム @ 10A、10V 3.4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS50DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 45 V 29.7A(Ta)、108A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS50DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 29.7A(Ta)、108A(Tc) 4000 pF @ 20 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 2.83ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS50DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 45 V 29.7A(Ta)、108A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS50DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 29.7A(Ta)、108A(Tc) 4000 pF @ 20 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 2.83ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 15.4A(Ta)、55.9A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5108DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.4A(Ta)、55.9A(Tc) 1150 pF @ 50 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 10.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5108DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 15.4A(Ta)、55.9A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5108DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.4A(Ta)、55.9A(Tc) 1150 pF @ 50 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 10.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5110DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 13.4A(Ta)、46.4A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5110DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 13.4A(Ta)、46.4A(Tc) 920 pF @ 50 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 8.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5110DN-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 13.4A(Ta)、46.4A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5110DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 13.4A(Ta)、46.4A(Tc) 920 pF @ 50 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 8.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
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SISS5112DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11A(Ta)、40.7A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5112DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 11A(Ta)、40.7A(Tc) 790 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 14.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5112DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11A(Ta)、40.7A(Tc) 3.7W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5112DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 11A(Ta)、40.7A(Tc) 790 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、52W(Tc) 14.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
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SISS52DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 47.1A(Ta)、162A(Tc) 4.8W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS52DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.1A(Ta)、162A(Tc) 2950 pF @ 15 V 4.8W(Ta)、57W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 65 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS52DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 47.1A(Ta)、162A(Tc) 4.8W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS52DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.1A(Ta)、162A(Tc) 2950 pF @ 15 V 4.8W(Ta)、57W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 65 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8SH MOSFET(金属酸化物) -
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SISS54DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 51.1A(Ta)、185.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS54DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 51.1A(Ta)、185.6A(Tc) 3450 pF @ 15 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 1.06ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 72 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS54DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 51.1A(Ta)、185.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS54DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 51.1A(Ta)、185.6A(Tc) 3450 pF @ 15 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 1.06ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 72 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
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SISS5623DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 10.5A(Ta)、36.3A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 10.5A(Ta)、36.3A(Tc) 1575 pF @ 30 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 24ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5623DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 10.5A(Ta)、36.3A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 10.5A(Ta)、36.3A(Tc) 1575 pF @ 30 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 24ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5708DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 9.3A (Ta)、33.8A (Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5708DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 9.3A (Ta)、33.8A (Tc) 975 pF @ 75 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 23ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5708DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 9.3A (Ta)、33.8A (Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5708DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 9.3A (Ta)、33.8A (Tc) 975 pF @ 75 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 23ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
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SISS5710DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 7.2A (Ta)、26.2A (Tc) 4.1W (Ta)、54.3W (Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5710DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 7.2A (Ta)、26.2A (Tc) 770 pF @ 75 V 4.1W (Ta)、54.3W (Tc) 31.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5710DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 7.2A (Ta)、26.2A (Tc) 4.1W (Ta)、54.3W (Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5710DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 7.2A (Ta)、26.2A (Tc) 770 pF @ 75 V 4.1W (Ta)、54.3W (Tc) 31.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5808DN-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 18.3A(Ta)、66.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5808DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 18.3A(Ta)、66.6A(Tc) 1210 pF @ 40 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 119ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS5808DN-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 18.3A(Ta)、66.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS5808DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 18.3A(Ta)、66.6A(Tc) 1210 pF @ 40 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 119ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS588DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 16.9A(Ta)、58.1A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS588DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 16.9A(Ta)、58.1A(Tc) 1380 pF @ 40 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS588DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 16.9A(Ta)、58.1A(Tc) 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS588DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 16.9A(Ta)、58.1A(Tc) 1380 pF @ 40 V 4.8W(Ta)、56.8W(Tc) 8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS60DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50.1A(Ta)、181.8A(Tc) 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS60DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50.1A(Ta)、181.8A(Tc) 3960 pF @ 15 V 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 1.31ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 85.5 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SISS60DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50.1A(Ta)、181.8A(Tc) 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS60DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50.1A(Ta)、181.8A(Tc) 3960 pF @ 15 V 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 1.31ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 85.5 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SISS61DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 30.9A(Ta)、111.9A(Tc) 5W(Ta)、65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS61DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 30.9A(Ta)、111.9A(Tc) 8740 pF @ 10 V 5W(Ta)、65.8W(Tc) 3.5ミリオーム @ 15A、4.5V 900mV @ 250µA 231 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS61DN-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Pチャンネル 20 V 30.9A(Ta)、111.9A(Tc) 5W(Ta)、65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS61DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 30.9A(Ta)、111.9A(Tc) 8740 pF @ 10 V 5W(Ta)、65.8W(Tc) 3.5ミリオーム @ 15A、4.5V 900mV @ 250µA 231 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS63DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 35.1A(Ta)、127.5A(Tc) 5W(Ta)、65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 35.1A(Ta)、127.5A(Tc) 7080 pF @ 10 V 5W(Ta)、65.8W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 236 nC @ 8 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS63DN-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Pチャンネル 20 V 35.1A(Ta)、127.5A(Tc) 5W(Ta)、65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 35.1A(Ta)、127.5A(Tc) 7080 pF @ 10 V 5W(Ta)、65.8W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 236 nC @ 8 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS64DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 57W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS64DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3420 pF @ 15 V 57W(Tc) 2.1ミリオーム @ 10A、 10V 2.2V @ 250µA 68 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS64DN-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 57W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS64DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3420 pF @ 15 V 57W(Tc) 2.1ミリオーム @ 10A、 10V 2.2V @ 250µA 68 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS65DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 25.9A(Ta)、 94A(Tc) 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS65DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.9A(Ta)、 94A(Tc) 4930 pF @ 15 V 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.3V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SISS65DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 25.9A(Ta)、 94A(Tc) 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8S
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SISS65DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.9A(Ta)、 94A(Tc) 4930 pF @ 15 V 5.1W(Ta)、 65.8W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.3V @ 250µA 138 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8S MOSFET(金属酸化物) -

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