FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR582DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 28.9A(Ta)、116A(Tc) 5.6W(Ta)、92.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR582DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 28.9A(Ta)、116A(Tc) 3360 pF @ 40 V 5.6W(Ta)、92.5W(Tc) 3.4ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR582DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 28.9A(Ta)、116A(Tc) 5.6W(Ta)、92.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR582DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 28.9A(Ta)、116A(Tc) 3360 pF @ 40 V 5.6W(Ta)、92.5W(Tc) 3.4ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR584DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 24.7A(Ta)、100A(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR584DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 24.7A(Ta)、100A(Tc) 2800 pF @ 40 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 3.9ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR584DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 24.7A(Ta)、100A(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR584DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 24.7A(Ta)、100A(Tc) 2800 pF @ 40 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 3.9ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR586DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 20.7A(Ta)、78.4A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR586DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 20.7A(Ta)、78.4A(Tc) 1905 pF @ 40 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 5.8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR586DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 20.7A(Ta)、78.4A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR586DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 20.7A(Ta)、78.4A(Tc) 1905 pF @ 40 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 5.8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR588DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 17.2A(Ta)、59.5A(Tc) 5W(Ta)、59.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR588DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 17.2A(Ta)、59.5A(Tc) 1380 pF @ 40 V 5W(Ta)、59.5W(Tc) 8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR588DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 17.2A(Ta)、59.5A(Tc) 5W(Ta)、59.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR588DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 17.2A(Ta)、59.5A(Tc) 1380 pF @ 40 V 5W(Ta)、59.5W(Tc) 8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR606BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 10.9A(Ta)、38.7A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR606BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 10.9A(Ta)、38.7A(Tc) 1470 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 17.4ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR606BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 10.9A(Ta)、38.7A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR606BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 10.9A(Ta)、38.7A(Tc) 1470 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 17.4ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR606DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 37A(Tc) 44.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR606DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 37A(Tc) 1360 pF @ 50 V 44.5W(Tc) 16.2ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 22 nC @ 6 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR606DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 37A(Tc) 44.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR606DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 37A(Tc) 1360 pF @ 50 V 44.5W(Tc) 16.2ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 22 nC @ 6 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR608DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 45 V 51A(Ta)、208A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR608DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 51A(Ta)、208A(Tc) 8900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR608DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 45 V 51A(Ta)、208A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR608DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 51A(Ta)、208A(Tc) 8900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR610DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 35.4A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR610DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 35.4A(Tc) 1380 pF @ 100 V 104W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR610DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 35.4A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR610DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 35.4A(Tc) 1380 pF @ 100 V 104W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR616DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR616DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 20.2A(Tc) 1450 pF @ 100 V 52W(Tc) 50.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR616DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 20.2A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR616DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 20.2A(Tc) 1450 pF @ 100 V 52W(Tc) 50.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 28 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR618DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 14.2A(Tc) 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR618DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 14.2A(Tc) 740 pF @ 100 V 48W(Tc) 95ミリオーム @ 8A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR618DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 14.2A(Tc) 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR618DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 14.2A(Tc) 740 pF @ 100 V 48W(Tc) 95ミリオーム @ 8A、10V 4V @ 250µA 16 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR622DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 51.6A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR622DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 51.6A(Tc) 1516 pF @ 75 V 104W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 31 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR622DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 51.6A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR622DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 51.6A(Tc) 1516 pF @ 75 V 104W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 31 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR622DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 12.6A(Ta)、51.6A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR622DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 12.6A(Ta)、51.6A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR622DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 12.6A(Ta)、51.6A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR622DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 12.6A(Ta)、51.6A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR624DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 18.6A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR624DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 18.6A(Tc) 1110 pF @ 100 V 52W(Tc) 60ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR624DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 18.6A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR624DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 18.6A(Tc) 1110 pF @ 100 V 52W(Tc) 60ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 23 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR624DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 5.7A(Ta)、18.6A(Tc) 5W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR624DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 5.7A(Ta)、18.6A(Tc) 1110 pF @ 100 V 5W(Ta)、52W(Tc) 60ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR624DP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 200 V 5.7A(Ta)、18.6A(Tc) 5W(Ta)、52W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR624DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 5.7A(Ta)、18.6A(Tc) 1110 pF @ 100 V 5W(Ta)、52W(Tc) 60ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR626ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 40.4A(Ta)、165A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR626ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 40.4A(Ta)、165A(Tc) 3770 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.75ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR626ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 40.4A(Ta)、165A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR626ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 40.4A(Ta)、165A(Tc) 3770 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.75ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR626DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR626DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 78 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR626DP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 60 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR626DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 78 nC @ 7.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR626LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 45.6A(Ta)、186A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR626LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 45.6A(Ta)、186A(Tc) 5900 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR626LDP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 45.6A(Ta)、186A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR626LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 45.6A(Ta)、186A(Tc) 5900 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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