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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SIRA14BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 21A(Ta)、64A(Tc) 3.7W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 21A(Ta)、64A(Tc) 917 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、36W(Tc) 5.38ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 22 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA14DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 58A(Tc) 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 58A(Tc) 1450 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 5.1ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 29 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA14DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 58A(Tc) 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA14DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 58A(Tc) 1450 pF @ 15 V 3.6W(Ta)、31.2W(Tc) 5.1ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 29 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA16DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA16DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Ta) 2060 pF @ 15 V - 6.8ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 47 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.6A(Tc) 14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.6A(Tc) 1000 pF @ 15 V 14.7W(Tc) 8.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.6A(Tc) 14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.6A(Tc) 1000 pF @ 15 V 14.7W(Tc) 8.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 33A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 33A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 33A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 33A(Tc) 1000 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA18DP-T1-RE3

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Nチャンネル 30 V 33A(Tc) 14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA18DP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 33A(Tc) 1000 pF @ 15 V 14.7W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 21.5 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA20BDP-T1-GE3

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Nチャンネル 25 V 82A(Ta)、335A(Tc) 6.3W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 82A(Ta)、335A(Tc) 9950 pF @ 15 V 6.3W(Ta)、104W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 186 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA20BDP-T1-GE3

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Nチャンネル 25 V 82A(Ta)、335A(Tc) 6.3W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 82A(Ta)、335A(Tc) 9950 pF @ 15 V 6.3W(Ta)、104W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 186 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA20DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 81.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA20DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 81.7A(Ta)、100A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA20DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 81.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA20DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 81.7A(Ta)、100A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA22DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA22DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 7570 pF @ 10 V 83.3W(Tc) 0.76ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 155 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA24DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA24DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2650 pF @ 10 V 62.5W(Tc) 1.4ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA24DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA24DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2650 pF @ 10 V 62.5W(Tc) 1.4ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA26DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 43.1W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA26DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2247 pF @ 10 V 43.1W(Tc) 2.65ミリオーム @ 15A、 10V 2.5V @ 250µA 44 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA26DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 43.1W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA26DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2247 pF @ 10 V 43.1W(Tc) 2.65ミリオーム @ 15A、 10V 2.5V @ 250µA 44 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA28BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、38A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA28BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、38A(Tc) 582 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 14 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA28BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 18A(Ta)、38A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA28BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Ta)、38A(Tc) 582 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 14 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA32DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA32DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4450 pF @ 10 V 65.7W(Tc) 1.2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 83 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA32DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA32DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4450 pF @ 10 V 65.7W(Tc) 1.2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 83 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA36DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA36DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2815 pF @ 15 V - 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA36DP-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA36DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2815 pF @ 15 V - 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA50ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 54.8A(Ta)、 219A(Tc) 6.25W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA50ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 54.8A(Ta)、 219A(Tc) 7300 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、100W(Tc) 1.04ミリオーム @ 20A、 10V 2.2V @ 250µA 150 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA50ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 54.8A(Ta)、 219A(Tc) 6.25W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA50ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 54.8A(Ta)、 219A(Tc) 7300 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、100W(Tc) 1.04ミリオーム @ 20A、 10V 2.2V @ 250µA 150 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA50DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 62.5A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA50DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 62.5A(Ta)、100A(Tc) 8445 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、100W(Tc) 1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 194 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA50DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 62.5A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA50DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 62.5A(Ta)、100A(Tc) 8445 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、100W(Tc) 1ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 194 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA52ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 41.6A(Ta)、 131A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA52ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 41.6A(Ta)、 131A(Tc) 5500 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.63ミリオーム @ 15A、 10V 2.4V @ 250µA 100 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA52ADP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 40 V 41.6A(Ta)、 131A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA52ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 41.6A(Ta)、 131A(Tc) 5500 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.63ミリオーム @ 15A、 10V 2.4V @ 250µA 100 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA52DP-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA52DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 7150 pF @ 20 V 48W(Tc) 1.7ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 150 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA52DP-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA52DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 7150 pF @ 20 V 48W(Tc) 1.7ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 150 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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