FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR696DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 125 V 60A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR696DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 125 V 7.5V、10V 60A(Tc) 1410 pF @ 75 V 104W(Tc) 11.5ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR698DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 7.5A(Tc) 3.7W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR698DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 7.5A(Tc) 210 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、23W(Tc) 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR698DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 7.5A(Tc) 3.7W(Ta)、23W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR698DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 7.5A(Tc) 210 pF @ 50 V 3.7W(Ta)、23W(Tc) 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR770DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 17.8W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR770DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 900pF @ 15V 17.8W 21ミリオーム @ 8A、10V 2.8V @ 250µA 21nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SIR770DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 17.8W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR770DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 900pF @ 15V 17.8W 21ミリオーム @ 8A、10V 2.8V @ 250µA 21nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SIR800ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 3415 pF @ 10 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 1.35ミリオーム @ 10A、10V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V +12V、 -8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR800ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 3415 pF @ 10 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 1.35ミリオーム @ 10A、10V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V +12V、 -8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR800ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 3415 pF @ 10 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 1.35ミリオーム @ 10A、10V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V +12V、 -8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR800ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50.2A(Ta)、177A(Tc) 3415 pF @ 10 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 1.35ミリオーム @ 10A、10V 1.5V @ 250µA 53 nC @ 10 V +12V、 -8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR800DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50A(Tc) 5125 pF @ 10 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 2.3ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 133 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR800DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50A(Tc) 5125 pF @ 10 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 2.3ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 133 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 20 V 50A(Tc) 69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR800DP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 50A(Tc) 5125 pF @ 10 V 69W(Tc) 2.3ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 133 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR804DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR804DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2450 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR804DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR804DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2450 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 76 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR818DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR818DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3660 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR818DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR818DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3660 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 37.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR820DP-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 3512 pF @ 15 V 37.8W(Tc) 3ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR826ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2800 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR826ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2800 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR826BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 19.8A(Ta)、80.8A(Tc) 5W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 19.8A(Ta)、80.8A(Tc) 3030 pF @ 40 V 5W(Ta)、83W(Tc) 5.1ミリオーム @ 15A、10V 3.8V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR826BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 19.8A(Ta)、80.8A(Tc) 5W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 19.8A(Ta)、80.8A(Tc) 3030 pF @ 40 V 5W(Ta)、83W(Tc) 5.1ミリオーム @ 15A、10V 3.8V @ 250µA 69 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR826DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2900 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR826DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2900 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR826DP-T1-RE3

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR826DP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2900 pF @ 40 V 104W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 80 V 21.3A(Ta)、86A(Tc) 5W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR826LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 10V 21.3A(Ta)、86A(Tc) 3840 pF @ 40 V 5W(Ta)、83W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 80 V 21.3A(Ta)、86A(Tc) 5W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR826LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 10V 21.3A(Ta)、86A(Tc) 3840 pF @ 40 V 5W(Ta)、83W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 91 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR836DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 21A(Tc) 3.9W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR836DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 21A(Tc) 600 pF @ 20 V 3.9W(Ta)、15.6W(Tc) 19ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR836DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 21A(Tc) 3.9W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR836DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 21A(Tc) 600 pF @ 20 V 3.9W(Ta)、15.6W(Tc) 19ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR846ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 60A(Tc) 2350 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 7.8ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR846ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 60A(Tc) 2350 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 7.8ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR846ADP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 6V、10V 60A(Tc) 2350 pF @ 50 V 83W(Tc) 7.8ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 16.1A(Ta)、65.8(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR846BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 16.1A(Ta)、65.8(Tc) 2440 pF @ 50 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 8ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 16.1A(Ta)、65.8(Tc) 5W(Ta)、83.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR846BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 16.1A(Ta)、65.8(Tc) 2440 pF @ 50 V 5W(Ta)、83.3W(Tc) 8ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR846DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR846DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7.8ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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