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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR4409DP-T1-RE3

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 17.2A(Ta)、60.6A(Tc) 4.8W(Ta)、59.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4409DP-T1-RE3CT-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.2A(Ta)、60.6A(Tc) 5670 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、59.5W(Tc) 9ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4409DP-T1-RE3

RoHS
   

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Pチャンネル 40 V 17.2A(Ta)、60.6A(Tc) 4.8W(Ta)、59.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4409DP-T1-RE3TR-ND@0

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 17.2A(Ta)、60.6A(Tc) 5670 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、59.5W(Tc) 9ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 126 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR440DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR440DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 60A(Tc) 6000 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.55ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR440DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR440DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 60A(Tc) 6000 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.55ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR450DP-T1-RE3

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Nチャンネル 45 V 36A(Ta)、113A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR450DP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 36A(Ta)、113A(Tc) 5920 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.8ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 114 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR450DP-T1-RE3

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Nチャンネル 45 V 36A(Ta)、113A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR450DP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 36A(Ta)、113A(Tc) 5920 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.8ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 114 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4602LDP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 15.2A(Ta)、52.1A(Tc) 3.6W(Ta)、43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4602LDP-T1-RE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.2A(Ta)、52.1A(Tc) 1185 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、43W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4602LDP-T1-RE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 15.2A(Ta)、52.1A(Tc) 3.6W(Ta)、43W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4602LDP-T1-RE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.2A(Ta)、52.1A(Tc) 1185 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、43W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4604DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 15.1A(Ta)、49.3A(Tc) 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4604DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 15.1A(Ta)、49.3A(Tc) 960 pF @ 30 V 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4604DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 15.1A(Ta)、49.3A(Tc) 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4604DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 15.1A(Ta)、49.3A(Tc) 960 pF @ 30 V 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4604LDP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 15.6A(Ta)、51A(Tc) 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4604LDP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.6A(Ta)、51A(Tc) 1180 pF @ 30 V 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 8.9ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4604LDP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 15.6A(Ta)、51A(Tc) 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4604LDP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.6A(Ta)、51A(Tc) 1180 pF @ 30 V 3.9W(Ta)、41.6W(Tc) 8.9ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4606DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 10.5A(Ta)、16A(Tc) 3.7W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4606DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 10.5A(Ta)、16A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、31.2W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4606DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 10.5A(Ta)、16A(Tc) 3.7W(Ta)、31.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4606DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 10.5A(Ta)、16A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.7W(Ta)、31.2W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4608DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 13.1A(Ta)、42.8A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4608DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 13.1A(Ta)、42.8A(Tc) 740 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 11.8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4608DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 13.1A(Ta)、42.8A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4608DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 13.1A(Ta)、42.8A(Tc) 740 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 11.8ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4608LDP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 13.3A(Ta)、43.4A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4608LDP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 13.3A(Ta)、43.4A(Tc) 905 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 11.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR4608LDP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 13.3A(Ta)、43.4A(Tc) 3.6W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIR4608LDP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 13.3A(Ta)、43.4A(Tc) 905 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、39W(Tc) 11.5ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR460DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR460DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2071 pF @ 15 V 5W(Ta)、48W(Tc) 4.7ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR460DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR460DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2071 pF @ 15 V 5W(Ta)、48W(Tc) 4.7ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR462DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR462DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1155 pF @ 15 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR462DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR462DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1155 pF @ 15 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR464DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR464DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3545 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 3.1ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR464DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR464DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3545 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 3.1ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR466DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、54W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR466DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2730 pF @ 15 V 5W(Ta)、54W(Tc) 3.5ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR466DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、54W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR466DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2730 pF @ 15 V 5W(Ta)、54W(Tc) 3.5ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR470DP-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR470DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5660 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.3ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR470DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR470DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5660 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.3ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR472ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR472ADP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 1040 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 9ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR472ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 18A(Tc) 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR472ADP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 1040 pF @ 15 V 3.3W(Ta)、14.7W(Tc) 9ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 28 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR474DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 20A(Tc) 3.9W(Ta)、29.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR474DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 20A(Tc) 985 pF @ 15 V 3.9W(Ta)、29.8W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR474DP-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 20A(Tc) 3.9W(Ta)、29.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR474DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 20A(Tc) 985 pF @ 15 V 3.9W(Ta)、29.8W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR474DP-T1-RE3

   

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Nチャンネル 30 V 20A(Tc) 29.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIR474DP-T1-RE3-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 20A(Tc) 985 pF @ 15 V 29.8W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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