FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR846DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR846DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7.8ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR862DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR862DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3800 pF @ 10 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 2.8ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2866 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2866 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2866 pF @ 50 V 104W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2866 pF @ 50 V 104W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 5.4W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR870BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 4870 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、100W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 3V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 5.4W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR870BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 4870 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、100W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 3V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2840 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR870DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR870DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2840 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR871DP-T1-GE3

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Pチャンネル 100 V 48A(Tc) 89W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR871DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 48A(Tc) 3395 pF @ 50 V 89W(Tc) 20ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR871DP-T1-GE3

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Pチャンネル 100 V 48A(Tc) 89W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR871DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 100 V 4.5V、10V 48A(Tc) 3395 pF @ 50 V 89W(Tc) 20ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR872ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR872ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 53.7A(Tc) 1286 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR872ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR872ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 53.7A(Tc) 1286 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR872ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR872ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 53.7A(Tc) 1286 pF @ 75 V 104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR872ADP-T1-RE3

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR872ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 53.7A(Tc) 1286 pF @ 75 V 104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR872DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR872DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 53.7A(Tc) 2130 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR872DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 53.7A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR872DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 53.7A(Tc) 2130 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 18ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR873DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 37A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR873DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 10V 37A(Tc) 1805 pF @ 75 V 104W(Tc) 47.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR873DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 37A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR873DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 10V 37A(Tc) 1805 pF @ 75 V 104W(Tc) 47.5ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR876ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR876ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1630 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 10.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR876ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 40A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR876ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1630 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 10.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR876BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 13.6A(Ta)、51.4A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR876BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 13.6A(Ta)、51.4A(Tc) 3040 pF @ 50 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 10.8ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR876BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 13.6A(Ta)、51.4A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR876BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 13.6A(Ta)、51.4A(Tc) 3040 pF @ 50 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 10.8ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR878BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 12A(Ta)、42.5A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR878BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 12A(Ta)、42.5A(Tc) 1850 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 14.4ミリオーム @ 15A、10V 3.4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR878BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 12A(Ta)、42.5A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR878BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 12A(Ta)、42.5A(Tc) 1850 pF @ 50 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 14.4ミリオーム @ 15A、10V 3.4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR880ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2289 pF @ 40 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 6.3ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR880ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2289 pF @ 40 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 6.3ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 18.6A(Ta)、70.6A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 18.6A(Ta)、70.6A(Tc) 2930 pF @ 40 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 6.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880BDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 18.6A(Ta)、70.6A(Tc) 5W(Ta)、71.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR880BDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 18.6A(Ta)、70.6A(Tc) 2930 pF @ 40 V 5W(Ta)、71.4W(Tc) 6.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR880DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2440 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 5.9ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR880DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR880DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2440 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 5.9ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR882ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR882ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1975 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 8.7ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR882ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR882ADP-T1-GE3TR-ND@0

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Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1975 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 8.7ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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