FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIRA60DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA60DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 7650 pF @ 15 V 57W(Tc) 0.94ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 60 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA60DP-T1-RE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 7650 pF @ 15 V 57W(Tc) 0.94ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 125 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA62DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 51.4A(Ta)、80A(Tc) 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA62DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 51.4A(Ta)、80A(Tc) 4460 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 1.2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA62DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 51.4A(Ta)、80A(Tc) 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA62DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 51.4A(Ta)、80A(Tc) 4460 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 1.2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 93 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 27.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA64DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3420 pF @ 15 V 27.8W(Tc) 2.1ミリオーム @ 10A、 10V 2.2V @ 250µA 65 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA64DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 27.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA64DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3420 pF @ 15 V 27.8W(Tc) 2.1ミリオーム @ 10A、 10V 2.2V @ 250µA 65 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA64DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 27.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA64DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3420 pF @ 15 V 27.8W(Tc) 2.1ミリオーム @ 10A、 10V 2.2V @ 250µA 65 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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RoHS

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Nチャンネル 30 V 50A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA66DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 62.5W(Tc) 2.3ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 1mA 66 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA72DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA72DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3240 pF @ 20 V 56.8W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA72DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 60A(Tc) 56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA72DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 60A(Tc) 3240 pF @ 20 V 56.8W(Tc) 3.5ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA74DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 24A(Ta)、81.2A(Tc) 4.1W(Ta)、46.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA74DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 24A(Ta)、81.2A(Tc) 2000 pF @ 20 V 4.1W(Ta)、46.2W(Tc) 4.2ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 41 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA74DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 24A(Ta)、81.2A(Tc) 4.1W(Ta)、46.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA74DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 24A(Ta)、81.2A(Tc) 2000 pF @ 20 V 4.1W(Ta)、46.2W(Tc) 4.2ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 41 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA80DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA80DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA80DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA80DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA84BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 22A(Ta)、70A(Tc) 3.7W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA84BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 22A(Ta)、70A(Tc) 1050 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、36W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA84BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 22A(Ta)、70A(Tc) 3.7W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA84BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 22A(Ta)、70A(Tc) 1050 pF @ 15 V 3.7W(Ta)、36W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA84DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA84DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1535 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.4V @ 250µA 38 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA84DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA84DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1535 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 4.6ミリオーム@ 15A、10V 2.4V @ 250µA 38 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA88BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA88BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA88BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19A(Ta)、40A(Tc) 3.8W(Ta)、17W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA88BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19A(Ta)、40A(Tc) 680 pF @ 15 V 3.8W(Ta)、17W(Tc) 6.83ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 19 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA88DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 45.5A(Tc) 25W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA88DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 45.5A(Tc) 985 pF @ 15 V 25W(Tc) 6.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 12.5 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA88DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 45.5A(Tc) 25W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA88DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 45.5A(Tc) 985 pF @ 15 V 25W(Tc) 6.7ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 12.5 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA90DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA90DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA90DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA90DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA90DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 100A(Tc) 104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA90DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 104W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRA96DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA96DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1385 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA96DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 16A(Tc) 34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIRA96DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 16A(Tc) 1385 pF @ 15 V 34.7W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 15 nC @ 4.5 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA99DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 6.35W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA99DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 10955 pF @ 15 V 6.35W(Ta)、104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIRA99DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 6.35W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRA99DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 47.9A(Ta)、195A(Tc) 10955 pF @ 15 V 6.35W(Ta)、104W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 260 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIRB40DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 40A(Tc) 46.2W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRB40DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 40A(Tc) 4290pF @ 20V 46.2W 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 45nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SIRB40DP-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 40A(Tc) 46.2W 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRB40DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 40A(Tc) 4290pF @ 20V 46.2W 3.25ミリオーム @ 10A、10V 2.4V @ 250µA 45nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8デュアル
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SIRC04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC04DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2850 pF @ 15 V 50W(Tc) 2.45ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
他社在庫

SIRC04DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC04DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 2850 pF @ 15 V 50W(Tc) 2.45ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 56 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)
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SIRC06DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 32A(Ta)、 60A(Tc) 5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIRC06DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 32A(Ta)、 60A(Tc) 2455 pF @ 15 V 5W(Ta)、50W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、10V 2.1V @ 250µA 58 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) ショットキーダイオード(本体)

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