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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIR184DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 20.7A(Ta)、73A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR184DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 20.7A(Ta)、73A(Tc) 1490 pF @ 30 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 5.8ミリオーム @ 10A、10V 3.4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR184LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 21.5A (Ta)、73A (Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR184LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 21.5A (Ta)、73A (Tc) 1950 pF @ 30 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 5.4ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR184LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 21.5A (Ta)、73A (Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR184LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 21.5A (Ta)、73A (Tc) 1950 pF @ 30 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 5.4ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR186DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 23A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR186DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 23A(Ta)、60A(Tc) 1710 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.5ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR186DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 23A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR186DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 23A(Ta)、60A(Tc) 1710 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.5ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR186LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 23.8A(Ta)、80.3A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR186LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 23.8A(Ta)、80.3A(Tc) 1980 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.4ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR186LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 23.8A(Ta)、80.3A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR186LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 23.8A(Ta)、80.3A(Tc) 1980 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.4ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR188DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 25.5A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR188DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 25.5A(Ta)、60A(Tc) 1920 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.85ミリオーム @ 10A、10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR188DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 25.5A(Ta)、60A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR188DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 25.5A(Ta)、60A(Tc) 1920 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.85ミリオーム @ 10A、10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR188LDP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 25.8A(Ta)、93.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR188LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 25.8A(Ta)、93.6A(Tc) 2300 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.75ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR188LDP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 25.8A(Ta)、93.6A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR188LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 25.8A(Ta)、93.6A(Tc) 2300 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.75ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR401DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 50A(Tc) 5W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR401DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 50A(Tc) 9080 pF @ 10 V 5W(Ta)、39W(Tc) 3.2ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 310 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR401DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 50A(Tc) 5W(Ta)、39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR401DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 50A(Tc) 9080 pF @ 10 V 5W(Ta)、39W(Tc) 3.2ミリオーム @ 15A、10V 1.5V @ 250µA 310 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR402DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 35A(Tc) 4.2W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR402DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 35A(Tc) 1700 pF @ 15 V 4.2W(Ta)、36W(Tc) 6ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR403EDP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR403EDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 4620 pF @ 15 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 6.5ミリオーム @ 13A、10V 2.8V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR403EDP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 40A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIR403EDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 4620 pF @ 15 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 6.5ミリオーム @ 13A、10V 2.8V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR404DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR404DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 8130 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.6ミリオーム @ 20A、10V 1.5V @ 250µA 97 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR404DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR404DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 8130 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.6ミリオーム @ 20A、10V 1.5V @ 250µA 97 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR410DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 35A(Tc) 4.2W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR410DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 35A(Tc) 1600 pF @ 10 V 4.2W(Ta)、36W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR410DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 35A(Tc) 4.2W(Ta)、36W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR410DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 35A(Tc) 1600 pF @ 10 V 4.2W(Ta)、36W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR414DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 50A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR414DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 4750 pF @ 20 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR414DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 50A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR414DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 4750 pF @ 20 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 2.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 117 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR416DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR416DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3350 pF @ 20 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 3.8ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR416DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 50A(Tc) 5.2W(Ta)、69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR416DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 50A(Tc) 3350 pF @ 20 V 5.2W(Ta)、69W(Tc) 3.8ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR418DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR418DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2410 pF @ 20 V 39W(Tc) 5ミリオーム @ 20A、10V 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR418DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 39W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR418DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 2410 pF @ 20 V 39W(Tc) 5ミリオーム @ 20A、10V 2.4V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR422DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 5W(Ta)、34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR422DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1785 pF @ 20 V 5W(Ta)、34.7W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR422DP-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 40 V 40A(Tc) 5W(Ta)、34.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR422DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 40A(Tc) 1785 pF @ 20 V 5W(Ta)、34.7W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR424DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR424DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1250 pF @ 10 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR424DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR424DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1250 pF @ 10 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 5.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR426DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR426DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1160 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 10.5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR426DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 30A(Tc) 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR426DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 30A(Tc) 1160 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、41.7W(Tc) 10.5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 31 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIR438DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR438DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4560 pF @ 10 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIR438DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 60A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIR438DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 60A(Tc) 4560 pF @ 10 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 1.8ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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