FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIB452DK-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 190 V 1.5A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB452DK-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 190 V 1.8V、4.5V 1.5A(Tc) 135 pF @ 50 V 2.4W(Ta)、13W(Tc) 2.4オーム @ 500mA、4.5V 1.5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB452DK-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 190 V 1.5A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB452DK-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 190 V 1.8V、4.5V 1.5A(Tc) 135 pF @ 50 V 2.4W(Ta)、13W(Tc) 2.4オーム @ 500mA、4.5V 1.5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB456DK-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 6.3A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB456DK-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 6.3A(Tc) 130 pF @ 50 V 2.4W(Ta)、13W(Tc) 185ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB456DK-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 6.3A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB456DK-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 6.3A(Tc) 130 pF @ 50 V 2.4W(Ta)、13W(Tc) 185ミリオーム @ 1.9A、10V 3V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB457EDK-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB457EDK-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 4.5V 9A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 35ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB457EDK-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-75-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB457EDK-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 4.5V 9A(Tc) 2.4W(Ta)、13W(Tc) 35ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1V @ 250µA 44 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIB912DK-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1.5A 3.1W 面実装 PowerPAK® SC-75-6Lデュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB912DK-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.5A 95pF @ 10V 3.1W 216ミリオーム @ 1.8A、4.5V 1V @ 250µA 3nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6Lデュアル
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SIB912DK-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 1.5A 3.1W 面実装 PowerPAK® SC-75-6Lデュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIB912DK-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 1.5A 95pF @ 10V 3.1W 216ミリオーム @ 1.8A、4.5V 1V @ 250µA 3nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-75-6Lデュアル
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RoHS

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Nチャンネル 1200 V 18A(Tc) 116W(Tc) 面実装 TO-263-7
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICBG160N120A-TPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 16V, 20V 18A(Tc) 780 pF @ 1000 V 116W(Tc) 140mOhm @ 9A, 20V 3V @ 2.5mA 47 nC @ 18 V +22V, -5V -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-263-7 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 1200 V 80A(Tc) 375W(Tc) スルーホール TO-247-4
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW028N120A4-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 16V, 20V 80A(Tc) 3570 pF @ 1000 V 375W(Tc) 30mOhm @ 40A, 20V 3V @ 15mA 168 nC @ 18 V +22V, -5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 390W(Tc) スルーホール TO-247AB
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW040N120Y-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 20V 63A(Tc) 2225 pF @ 1000 V 390W(Tc) 52ミリオーム @ 40A、20V 3.5V @ 10mA 120 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AB SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 1200 V 63A(Tc) 390W スルーホール TO-247-4
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW040N120Y4-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 20V 63A(Tc) 2225 pF @ 1000 V 390W 52ミリオーム @ 40A、20V 3.5V @ 10mA 120 nC @ 20 V +25V、-10V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 1200 V 38A 220W(Tc) スルーホール TO-247-3
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW080N120Y-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 18V 38A 890 pF @ 1000 V 220W(Tc) 85ミリオーム @ 20A、18V 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-3 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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SICW080N120Y4-BP

RoHS

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Nチャンネル 1200 V 39A 223W(Tc) スルーホール TO-247-4
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW080N120Y4-BP-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 18V 39A 890 pF @ 1000 V 223W(Tc) 85ミリオーム @ 20A、18V 3.6V @ 5mA 41 nC @ 18 V +22V、-8V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247-4 SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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SICW1000N170A-BP

RoHS

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Nチャンネル 1700 V 3A 69W スルーホール TO-247AB
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW1000N170A-BP-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1700 V 15V、20V 3A 124 pF @ 1000 V 69W 1.32オーム @ 1.5A、20V 4.5V @ 1mA 15.5 nC @ 20 V +25V、-5V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AB SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 1200 V 10A(Tc) 97W(Tc) スルーホール TO-247AB
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW280N120A-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1200 V 16V, 20V 10A(Tc) 357 pF @ 1000 V 97W(Tc) 330mOhm @ 5A, 20V 3V @ 1mA 26 nC @ 18 V +22V, -5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AB SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 1700 V 6A(Tc) 125W(Tc) スルーホール TO-247AB
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-353-SICW400N170A-BPTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 1700 V 16V, 20V 6A(Tc) 333 pF @ 1000 V 125W(Tc) 500mOhm @ 3A, 20V 4.5V @ 5mA 31 nC @ 20 V +25V、-5V -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-247AB SiC(炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ) -
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RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 5.4W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR104ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 3250 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、100W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 5.4W(Ta)、100W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR104ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 18.8A(Ta)、81A(Tc) 3250 pF @ 50 V 5.4W(Ta)、100W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR104AEP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 21.1A(Ta)、90.5A(Tc) 6.5W(Ta)、120W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR104AEP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 21.1A(Ta)、90.5A(Tc) 3250 pF @ 50 V 6.5W(Ta)、120W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR104AEP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 21.1A(Ta)、90.5A(Tc) 6.5W(Ta)、120W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR104AEP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 21.1A(Ta)、90.5A(Tc) 3250 pF @ 50 V 6.5W(Ta)、120W(Tc) 6.1ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR140DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 79A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR140DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 79A(Ta)、 100A(Tc) 8150 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.67ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR140DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 25 V 79A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR140DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 79A(Ta)、 100A(Tc) 8150 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.67ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR140DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 79A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR140DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 79A(Ta)、 100A(Tc) 8150 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.67ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR140DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 79A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR140DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 79A(Ta)、 100A(Tc) 8150 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.67ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 170 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR170DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR170DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6195 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR170DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR170DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6195 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 140 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 25 V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 1085 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 5.8ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 25 V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 1085 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 5.8ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR220DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 5.8ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR220DP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 87.7A(Ta)、100A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 5.8ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR220EP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 92.8A(Ta)、415A(Tc) 6.25W(Ta)、415W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 92.8A(Ta)、415A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、415W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR220EP-T1-RE3

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Nチャンネル 25 V 92.8A(Ta)、415A(Tc) 6.25W(Ta)、415W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR220EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 25 V 4.5V、10V 92.8A(Ta)、415A(Tc) 10850 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、415W(Tc) 0.58ミリオーム @ 20A、10V 2.1V @ 250µA 200 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR390DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR390DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR390DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR390DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 30 V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR390DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -

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