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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SIHB22N60AEL-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60AEL-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1757 pF @ 100 V 208W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60E-E3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60E-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 19A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 19A(Tc) 1423 pF @ 100 V 179W(Tc) 182ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60EL-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60EL-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1690 pF @ 100 V 227W(Tc) 197ミリオーム @ 11A、 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N60ET5-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET5-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N65E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N65E-T1-GE3

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Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB22N65E-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N65E-T1-GE3

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Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB22N65E-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB23N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 23A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB23N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 23A(Tc) 2418 pF @ 100 V 227W(Tc) 158オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB24N65E-E3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65E-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB24N65EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2774 pF @ 100 V 250W(Tc) 156オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB24N65EFT1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N65EFT1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2774 pF @ 100 V 250W(Tc) 156オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65EFT1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N65EFT1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2774 pF @ 100 V 250W(Tc) 156オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65ET1-GE3

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65ET1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB24N65ET5-GE3

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65ET5-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB24N80AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 21A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N80AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 21A(Tc) 1836 pF @ 100 V 208W(Tc) 184ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 89 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB25N50E-GE3

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Nチャンネル 500 V 26A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB25N50E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 26A(Tc) 1980 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB28N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 D2PAK
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB28N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2714 pF @ 100 V 250W(Tc) 123ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 D2PAK MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB28N60EF-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB28N60EF-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2714 pF @ 100 V 250W(Tc) 123ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB28N60EF-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB28N60EF-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2714 pF @ 100 V 250W(Tc) 123ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB28N60EF-T5-GE3

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB28N60EF-T5-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2714 pF @ 100 V 250W(Tc) 123ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB28N60EF-T5-GE3

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB28N60EF-T5-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2714 pF @ 100 V 250W(Tc) 123ミリオーム @ 14A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60AEL-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 28A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB30N60AEL-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 28A(Tc) 2565 pF @ 100 V 250W(Tc) 120ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB30N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB30N60ET1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB30N60ET1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60ET5-GE3

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB30N60ET5-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB30N60ET5-GE3

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB30N60ET5-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB33N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB33N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3508 pF @ 100 V 278W(Tc) 99ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB33N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB33N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3454 pF @ 100 V 278W(Tc) 98ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 155 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB33N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB33N60ET1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3508 pF @ 100 V 278W(Tc) 99ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB33N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB33N60ET1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3508 pF @ 100 V 278W(Tc) 99ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB33N60ET5-GE3

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB33N60ET5-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3508 pF @ 100 V 278W(Tc) 99ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB35N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 32A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB35N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 32A(Tc) 2760 pF @ 100 V 250W(Tc) 94ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 132 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB35N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 32A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB35N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 32A(Tc) 2568 pF @ 100 V 250W(Tc) 97ミリオーム @ 17A、10V 4V @ 250µA 134 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB4N80E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 4.3A(Tc) 69W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB4N80E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 4.3A(Tc) 622 pF @ 100 V 69W(Tc) 1.27オーム @ 2A、10V 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB5N80AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 4.4A(Tc) 62.5W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB5N80AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 4.4A(Tc) 321 pF @ 100 V 62.5W(Tc) 1.35オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -

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