FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIDR622DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR622DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR622DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR622DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR622DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR622DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR626DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR626DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 6V、10V 42.8A(Ta)、100A(Tc) 5130 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.7ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 50.8A (Ta)、227A (Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 50.8A (Ta)、227A (Tc) 5130 pF @ 30 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 1.74ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 50.8A (Ta)、227A (Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 50.8A (Ta)、227A (Tc) 5130 pF @ 30 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 1.74ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 102 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 45.6A(Ta)、2.4A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626LDP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 45.6A(Ta)、2.4A(Tc) 5900 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626LDP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 45.6A(Ta)、2.4A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626LDP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 45.6A(Ta)、2.4A(Tc) 5900 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626LEP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 48.7A(Ta)、218A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 48.7A(Ta)、218A(Tc) 5900 pF @ 30 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR626LEP-T1-RE3

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Nチャンネル 60 V 48.7A(Ta)、218A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 48.7A(Ta)、218A(Tc) 5900 pF @ 30 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 1.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR638DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR638DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR638DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 100A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR638DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR638DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR638DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR638DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR638DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 10500 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR668ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.3A(Ta)、104A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.3A(Ta)、104A(Tc) 3750 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR668ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.3A(Ta)、104A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.3A(Ta)、104A(Tc) 3750 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR668DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR668DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR668DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR668DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR668DP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR668DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR668DP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR668DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 23.2A(Ta)、 95A(Tc) 5400 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 4.8ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 108 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 80 V 30.7A(Ta)、137A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR680ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 30.7A(Ta)、137A(Tc) 4415 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.88ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 80 V 30.7A(Ta)、137A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR680ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 30.7A(Ta)、137A(Tc) 4415 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.88ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 83 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR680DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR680DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR680DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR680DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR680DP-T1-RE3

在庫一覧表示

Nチャンネル 80 V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR680DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR680DP-T1-RE3

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Nチャンネル 80 V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR680DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 32.8A(Ta)、 100A(Tc) 5150 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 3.4V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR870ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 95A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR870ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 95A(Tc) 2866 pF @ 50 V 125W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR870ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 95A(Tc) 125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR870ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 95A(Tc) 2866 pF @ 50 V 125W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR870ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 21.8A(Ta)、95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR870ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 21.8A(Ta)、95A(Tc) 2866 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR870ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 21.8A(Ta)、95A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR870ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 21.8A(Ta)、95A(Tc) 2866 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 80 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIE802DF-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 5.2W(Ta)、125W(Tc) 面実装 10-PolarPAK®(L)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIE802DF-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 7000 pF @ 15 V 5.2W(Ta)、125W(Tc) 1.9ミリオーム @ 23.6A、10V 2.7V @ 250µA 160 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 10-PolarPAK®(L) MOSFET(金属酸化物) -

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