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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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Pチャンネル 12 V 2.9A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8819EDB-T2-E1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、 3.7V 2.9A(Ta) 650 pF @ 6 V 900mW(Ta) 80ミリオーム @ 1.5A、 3.7V 900mV @ 250µA 17 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8) MOSFET(金属酸化物) -
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Pチャンネル 12 V 2.9A(Ta) 900mW(Ta) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8819EDB-T2-E1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、 3.7V 2.9A(Ta) 650 pF @ 6 V 900mW(Ta) 80ミリオーム @ 1.5A、 3.7V 900mV @ 250µA 17 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8) MOSFET(金属酸化物) -
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SI8821EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 4-Microfoot
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8821EDB-T2-E1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 2.5V、4.5V 1.6A(Ta) 440 pF @ 15 V 500mW(Ta) 135ミリオーム @ 1A、4.5V 1.3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Microfoot MOSFET(金属酸化物) -
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SI8821EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 30 V 1.6A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 4-Microfoot
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8821EDB-T2-E1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 2.5V、4.5V 1.6A(Ta) 440 pF @ 15 V 500mW(Ta) 135ミリオーム @ 1A、4.5V 1.3V @ 250µA 17 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Microfoot MOSFET(金属酸化物) -
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SI8823EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 20 V 2.7A(Tc) 900mW(Tc) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8823EDB-T2-E1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 2.7A(Tc) 580 pF @ 10 V 900mW(Tc) 95ミリオーム @ 1A、4.5V 800mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8) MOSFET(金属酸化物) -
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SI8823EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 20 V 2.7A(Tc) 900mW(Tc) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8823EDB-T2-E1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 2.7A(Tc) 580 pF @ 10 V 900mW(Tc) 95ミリオーム @ 1A、4.5V 800mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-MICRO FOOT®(0.8x0.8) MOSFET(金属酸化物) -
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SI8824EDB-T2-E1

RoHS

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Nチャンネル 20 V 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 4-Microfoot
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8824EDB-T2-E1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 1.2V、4.5V 2.1A(Ta) 400 pF @ 10 V 500mW(Ta) 75ミリオーム @ 1A、4.5V 800mV @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Microfoot MOSFET(金属酸化物) -
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SI8824EDB-T2-E1

RoHS

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Nチャンネル 20 V 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 4-Microfoot
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8824EDB-T2-E1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 1.2V、4.5V 2.1A(Ta) 400 pF @ 10 V 500mW(Ta) 75ミリオーム @ 1A、4.5V 800mV @ 250µA 6 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 4-Microfoot MOSFET(金属酸化物) -
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SI8851EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 20 V 7.7A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 Power Micro Foot®(2.4x2)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8851EDB-T2-E1TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 7.7A(Ta) 6900 pF @ 10 V 660mW(Ta) 8ミリオーム @ 7A、4.5V 1V @ 250µA 180 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Power Micro Foot®(2.4x2) MOSFET(金属酸化物) -
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SI8851EDB-T2-E1

RoHS

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Pチャンネル 20 V 7.7A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 Power Micro Foot®(2.4x2)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8851EDB-T2-E1CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 7.7A(Ta) 6900 pF @ 10 V 660mW(Ta) 8ミリオーム @ 7A、4.5V 1V @ 250µA 180 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Power Micro Foot®(2.4x2) MOSFET(金属酸化物) -
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MOSFET - アレイ 24V 11A 5.7W 面実装 6-Micro Foot™(1.5x1)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI8902AEDB-T2-E1-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

24V 11A - 5.7W 28ミリオーム @ 1A、 4.5V 900mV @ 250µA - MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-Micro Foot™(1.5x1)
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SI9407BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 4.7A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9407BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.7A(Tc) 600 pF @ 30 V 5W(Tc) 120ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9407BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 4.7A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9407BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.7A(Tc) 600 pF @ 30 V 5W(Tc) 120ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9407BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 4.7A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9407BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.7A(Tc) 600 pF @ 30 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 120ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9407BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 60 V 4.7A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9407BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 60 V 4.5V、10V 4.7A(Tc) 600 pF @ 30 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 120ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9433BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9433BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.7V、4.5V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 40ミリオーム @ 6.2A、4.5V 1.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9433BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9433BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.7V、4.5V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 40ミリオーム @ 6.2A、4.5V 1.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9433BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9433BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.7V、4.5V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 40ミリオーム @ 6.2A、4.5V 1.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI9433BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9433BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.7V、4.5V 4.5A(Ta) 1.3W(Ta) 40ミリオーム @ 6.2A、4.5V 1.5V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9435BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9435BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI9435BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9435BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI9435BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9435BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 10V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI9435BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9435BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 10V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI9634DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 420pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9634DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 420pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9933CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9933CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9933CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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