FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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RoHS

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Nチャンネル 30 V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR390DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 69.9A(Ta)、100A(Tc) 10180 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.8ミリオーム @ 20A、 10V 2V @ 250µA 153 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR392DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 82A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR392DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 82A(Ta)、100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR392DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 82A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR392DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 82A(Ta)、100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR392DP-T1-RE3

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Nチャンネル 30 V 82A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR392DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 82A(Ta)、100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR392DP-T1-RE3

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Nチャンネル 30 V 82A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR392DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 82A(Ta)、100A(Tc) 9530 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.62ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 188 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR402DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR402DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 9100 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR402DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR402DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 9100 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR402DP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR402DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 64.6A(Ta)、100A(Tc) 9100 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR402EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 65.2A(Ta)、291A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR402EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 65.2A(Ta)、291A(Tc) 9100 pF @ 20 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR402EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 65.2A(Ta)、291A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR402EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 65.2A(Ta)、291A(Tc) 9100 pF @ 20 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 0.88ミリオーム @ 20A、 10V 2.3V @ 250µA 165 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR500EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 94A(Ta)、421A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 94A(Ta)、421A(Tc) 8960 pF @ 15 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 0.47ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 180 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR500EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 94A(Ta)、421A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 94A(Ta)、421A(Tc) 8960 pF @ 15 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 0.47ミリオーム @ 20A、10V 2.2V @ 250µA 180 nC @ 10 V +16V、-12V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR5102EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 28.2A(Ta)、126A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR5102EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 28.2A(Ta)、126A(Tc) 2850 pF @ 50 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
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SIDR5102EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 28.2A(Ta)、126A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR5102EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 28.2A(Ta)、126A(Tc) 2850 pF @ 50 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR510EP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 33A(Ta)、148A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR510EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 33A(Ta)、148A(Tc) 4980 pF @ 50 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 3.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR510EP-T1-RE3

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Nチャンネル 100 V 33A(Ta)、148A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR510EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 33A(Ta)、148A(Tc) 4980 pF @ 50 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 3.6ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 81 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR570EP-T1-RE3

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Nチャンネル 150 V 30.8A(Ta)、90.9A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR570EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 30.8A(Ta)、90.9A(Tc) 3740 pF @ 75 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR570EP-T1-RE3

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Nチャンネル 150 V 30.8A(Ta)、90.9A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR570EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 30.8A(Ta)、90.9A(Tc) 3740 pF @ 75 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR578EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 17.4A(Ta)、78A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR578EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 17.4A(Ta)、78A(Tc) 2540 pF @ 75 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 8.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR578EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 17.4A(Ta)、78A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR578EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 17.4A(Ta)、78A(Tc) 2540 pF @ 75 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 8.8ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 49 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR5802EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 34.2A(Ta)、153A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 34.2A(Ta)、153A(Tc) 3020 pF @ 40 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR5802EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 34.2A(Ta)、153A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 34.2A(Ta)、153A(Tc) 3020 pF @ 40 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 2.9ミリオーム @ 20A、10V 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 45 V 51A(Ta)、208A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR608DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 51A(Ta)、208A(Tc) 8900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 45 V 51A(Ta)、208A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR608DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 51A(Ta)、208A(Tc) 8900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR608EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 45 V 56A(Ta)、228A(Tc) 7.5W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR608EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 56A(Ta)、228A(Tc) 8900 pF @ 20 V 7.5W(Ta)、125W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR608EP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 45 V 56A(Ta)、228A(Tc) 7.5W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR608EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 56A(Ta)、228A(Tc) 8900 pF @ 20 V 7.5W(Ta)、125W(Tc) 1.2ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 167 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR610DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610DP-T1-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR610DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610DP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR610DP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610DP-T1-RE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR610DP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR610EP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR610EP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 7.5W(Ta)、150W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIDR610EP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 8.9A(Ta)、 39.6A(Tc) 1380 pF @ 100 V 7.5W(Ta)、150W(Tc) 31.9ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~175°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIDR622DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 6.25W(Ta)、125W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8DC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIDR622DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 7.5V、10V 64.6A(Ta)、56.7A(Tc) 1516 pF @ 75 V 6.25W(Ta)、125W(Tc) 17.7ミリオーム @ 20A、10V 4.5V @ 250µA 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8DC MOSFET(金属酸化物) -

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