FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIHB120N60E-T1-GE3

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Nチャンネル 600 V 25A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB120N60E-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 25A(Tc) 1562 pF @ 100 V 179W(Tc) 120ミリオーム @ 12A、10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB120N60E-T5-GE3

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Nチャンネル 600 V 25A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB120N60E-T5-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 25A(Tc) 1562 pF @ 100 V 179W(Tc) 120ミリオーム @ 12A、10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB120N60E-T5-GE3

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Nチャンネル 600 V 25A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB120N60E-T5-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 25A(Tc) 1562 pF @ 100 V 179W(Tc) 120ミリオーム @ 12A、10V 5V @ 250µA 45 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB125N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 25A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB125N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 25A(Tc) 1533 pF @ 100 V 179W(Tc) 125ミリオーム @ 12A、10V 5V @ 250µA 47 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N50C-E3

RoHS

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Nチャンネル 500 V 12A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N50C-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 12A(Tc) 1375 pF @ 25 V 208W(Tc) 555ミリオーム @ 4A、10V 5V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N50E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 500 V 10.5A(Tc) 114W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N50E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 10.5A(Tc) 886 pF @ 100 V 114W(Tc) 380ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 12A(Tc) 937 pF @ 100 V 147W(Tc) 380ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N60ET1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 12A(Tc) 937 pF @ 100 V 147W(Tc) 380ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N60ET5-GE3

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Nチャンネル 600 V 12A(Tc) 147W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N60ET5-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 12A(Tc) 937 pF @ 100 V 147W(Tc) 380ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB12N65E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 12A(Tc) 156W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB12N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 12A(Tc) 1224 pF @ 100 V 156W(Tc) 380ミリオーム @ 6A、10V 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB150N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 22A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB150N60E-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 22A(Tc) 1514 pF @ 100 V 179W(Tc) 158ミリオーム @ 10A、10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB150N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 22A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB150N60E-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 22A(Tc) 1514 pF @ 100 V 179W(Tc) 158ミリオーム @ 10A、10V 5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB15N50E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 500 V 14.5A(Tc) 156W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB15N50E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 14.5A(Tc) 1162 pF @ 100 V 156W(Tc) 280ミリオーム @ 7.5A、10V 4V @ 250µA 66 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB15N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 15A(Tc) 180W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB15N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 15A(Tc) 1350 pF @ 100 V 180W(Tc) 280ミリオーム @ 8A、10V 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB15N65E-GE3

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Nチャンネル 650 V 15A(Tc) 34W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB15N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 15A(Tc) 1640 pF @ 100 V 34W(Tc) 280ミリオーム @ 8A、10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB15N80AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 13A(Tc) 156W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB15N80AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 13A(Tc) 1093 pF @ 100 V 156W(Tc) 350ミリオーム @ 7.5A、10V 4V @ 250µA 53 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB16N50C-E3

RoHS

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Nチャンネル 500 V 16A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB16N50C-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 16A(Tc) 1900 pF @ 25 V 250W(Tc) 380ミリオーム @ 8A、10V 5V @ 250µA 68 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB17N80AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 15A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB17N80AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 15A(Tc) 1260 pF @ 100 V 179W(Tc) 290ミリオーム @ 8.5A、10V 4V @ 250µA 62 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB17N80E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB17N80E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 15A(Tc) 2408 pF @ 100 V 208W(Tc) 290ミリオーム @ 8.5A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 800 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB17N80E-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 15A(Tc) 2408 pF @ 100 V 208W(Tc) 290ミリオーム @ 8.5A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫
RoHS

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Nチャンネル 800 V 15A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB17N80E-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 15A(Tc) 2408 pF @ 100 V 208W(Tc) 290ミリオーム @ 8.5A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB180N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 19A(Tc) 156W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB180N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 19A(Tc) 1085 pF @ 100 V 156W(Tc) 180ミリオーム @ 9.5A、10V 5V @ 250µA 33 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB186N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 8.4A(Tc) 156W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB186N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 8.4A(Tc) 1081 pF @ 100 V 156W(Tc) 193ミリオーム @ 9.5A、10V 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB18N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 18A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB18N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 18A(Tc) 1640 pF @ 100 V 179W(Tc) 202ミリオーム @ 9A、 10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB20N50E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 500 V 19A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB20N50E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 500 V 10V 19A(Tc) 1640 pF @ 100 V 179W(Tc) 184ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 92 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB21N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB21N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 2030 pF @ 100 V 227W(Tc) 176ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 84 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB21N65EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 21A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB21N65EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 21A(Tc) 2322 pF @ 100 V 208W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 106 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB21N80AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 800 V 17.4A(Tc) 32W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB21N80AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 800 V 10V 17.4A(Tc) 1388 pF @ 100 V 32W(Tc) 235ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60AE-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60AE-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 20A(Tc) 1451 pF @ 100 V 179W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N60AEL-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 208W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60AEL-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1757 pF @ 100 V 208W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 82 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60E-E3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60E-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHB22N60EF-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 19A(Tc) 179W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:バラ品
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 19A(Tc) 1423 pF @ 100 V 179W(Tc) 182ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 96 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60EL-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60EL-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1690 pF @ 100 V 227W(Tc) 197ミリオーム @ 11A、 10V 5V @ 250µA 74 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60ET1-GE3

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Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N60ET5-GE3

在庫一覧表示

Nチャンネル 600 V 21A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N60ET5-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 21A(Tc) 1920 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N65E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB22N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N65E-T1-GE3

在庫一覧表示

Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB22N65E-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB22N65E-T1-GE3

在庫一覧表示

Nチャンネル 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB22N65E-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 22A(Tc) 2415 pF @ 100 V 227W(Tc) 180ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB23N60E-GE3

RoHS

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Nチャンネル 600 V 23A(Tc) 227W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB23N60E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 600 V 10V 23A(Tc) 2418 pF @ 100 V 227W(Tc) 158オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65E-E3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65E-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65E-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N65E-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2740 pF @ 100 V 250W(Tc) 145ミリオーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65EF-GE3

RoHS

在庫一覧表示

Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:スティック
コアスタッフ型名:zp2216-SIHB24N65EF-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2774 pF @ 100 V 250W(Tc) 156オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIHB24N65EFT1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 650 V 24A(Tc) 250W(Tc) 面実装 TO-263(D2PAK)
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIHB24N65EFT1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 650 V 10V 24A(Tc) 2774 pF @ 100 V 250W(Tc) 156オーム @ 12A、10V 4V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-263(D2PAK) MOSFET(金属酸化物) -

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