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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI7862ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 16 V 18A(Ta) 1.9W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7862ADP-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 16 V 2.5V、4.5V 18A(Ta) 7340 pF @ 8 V 1.9W(Ta) 3ミリオーム @ 29A、4.5V 2V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7868ADP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7868ADP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 40A(Tc) 6110 pF @ 10 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 2.25ミリオーム @ 20A、10V 1.6V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7868ADP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7868ADP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 40A(Tc) 6110 pF @ 10 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 2.25ミリオーム @ 20A、10V 1.6V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7868ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7868ADP-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 40A(Tc) 6110 pF @ 10 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 2.25ミリオーム @ 20A、10V 1.6V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7880ADP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7880ADP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 5600 pF @ 15 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 3ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7880ADP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7880ADP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 5600 pF @ 15 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 3ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7880ADP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 40A(Tc) 5.4W(Ta)、83W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7880ADP-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 40A(Tc) 5600 pF @ 15 V 5.4W(Ta)、83W(Tc) 3ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 125 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7884BDP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 58A(Tc) 4.6W(Ta)、46W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7884BDP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 58A(Tc) 3540 pF @ 20 V 4.6W(Ta)、46W(Tc) 7.5ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7884BDP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 58A(Tc) 4.6W(Ta)、46W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7884BDP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 58A(Tc) 3540 pF @ 20 V 4.6W(Ta)、46W(Tc) 7.5ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7884BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 58A(Tc) 4.6W(Ta)、46W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7884BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 58A(Tc) 3540 pF @ 20 V 4.6W(Ta)、46W(Tc) 7.5ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7884BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 58A(Tc) 4.6W(Ta)、46W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7884BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 58A(Tc) 3540 pF @ 20 V 4.6W(Ta)、46W(Tc) 7.5ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7892BDP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7892BDP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 3775 pF @ 15 V 1.8W(Ta) 4.2ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7892BDP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7892BDP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 3775 pF @ 15 V 1.8W(Ta) 4.2ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7892BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7892BDP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 3775 pF @ 15 V 1.8W(Ta) 4.2ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7892BDP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 15A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7892BDP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 15A(Ta) 3775 pF @ 15 V 1.8W(Ta) 4.2ミリオーム @ 25A、10V 3V @ 250µA 40 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7898DP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7898DP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7898DP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7898DP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7898DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7898DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7898DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7898DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 6V、10V 3A(Ta) 1.9W(Ta) 85ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7900AEDN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 1.5W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7900AEDN-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A - 1.5W 26ミリオーム @ 8.5A、4.5V 900mV @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7900AEDN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 1.5W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7900AEDN-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A - 1.5W 26ミリオーム @ 8.5A、4.5V 900mV @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7900AEDN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 1.5W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7900AEDN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A - 1.5W 26ミリオーム @ 8.5A、4.5V 900mV @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7904BDN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 17.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7904BDN-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 860pF @ 10V 17.8W 30ミリオーム @ 7.1A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7904BDN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 17.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7904BDN-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 860pF @ 10V 17.8W 30ミリオーム @ 7.1A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7904BDN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 17.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7904BDN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 860pF @ 10V 17.8W 30ミリオーム @ 7.1A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7904BDN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6A 17.8W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7904BDN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6A 860pF @ 10V 17.8W 30ミリオーム @ 7.1A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 8V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
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SI7913DN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7913DN-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5A - 1.3W 37ミリオーム @ 7.4A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7913DN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7913DN-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5A - 1.3W 37ミリオーム @ 7.4A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7913DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7913DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5A - 1.3W 37ミリオーム @ 7.4A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7913DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 5A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7913DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 5A - 1.3W 37ミリオーム @ 7.4A、4.5V 1V @ 250µA 24nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7922DN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 1.8A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7922DN-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 1.8A - 1.3W 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7922DN-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 1.8A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7922DN-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 1.8A - 1.3W 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7922DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 1.8A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7922DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 1.8A - 1.3W 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
他社在庫

SI7922DN-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 1.8A 1.3W 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7922DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 1.8A - 1.3W 195ミリオーム @ 2.5A、10V 3.5V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8デュアル

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