FET　

ヒット検索結果：77992件 / 型名：指定なし / ステイタス：すべて / 数量：0PCS~ / メーカー：すべて / シリーズ：すべて

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在庫ロケーション	型名メーカー名	情報コアスタッフ型名	ECADモデル	FETタイプ	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	取り付けタイプ	デバイスパッケージ	技術	FET機能
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他社在庫	SIHB30N60ET5-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 29A（Tc） 250W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHB30N60ET5-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	29A（Tc）	2600 pF @ 100 V	250W（Tc）	125ミリオーム @ 15A、10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB30N60ET5-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 29A（Tc） 250W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHB30N60ET5-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	29A（Tc）	2600 pF @ 100 V	250W（Tc）	125ミリオーム @ 15A、10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB33N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB33N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	33A（Tc）	3508 pF @ 100 V	278W（Tc）	99ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB33N60EF-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：バラ品コアスタッフ型名：zp2216-SIHB33N60EF-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	33A（Tc）	3454 pF @ 100 V	278W（Tc）	98ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	155 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB33N60ET1-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIHB33N60ET1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	33A（Tc）	3508 pF @ 100 V	278W（Tc）	99ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB33N60ET1-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIHB33N60ET1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	33A（Tc）	3508 pF @ 100 V	278W（Tc）	99ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB33N60ET5-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 33A（Tc） 278W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-SIHB33N60ET5-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	33A（Tc）	3508 pF @ 100 V	278W（Tc）	99ミリオーム @ 16.5A、10V	4V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB35N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 650 V 32A（Tc） 250W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB35N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	650 V	10V	32A（Tc）	2760 pF @ 100 V	250W（Tc）	94ミリオーム @ 17A、10V	4V @ 250µA	132 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB35N60EF-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 32A（Tc） 250W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：バラ品コアスタッフ型名：zp2216-SIHB35N60EF-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	32A（Tc）	2568 pF @ 100 V	250W（Tc）	97ミリオーム @ 17A、10V	4V @ 250µA	134 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB4N80E-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 4.3A（Tc） 69W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB4N80E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	4.3A（Tc）	622 pF @ 100 V	69W（Tc）	1.27オーム @ 2A、10V	4V @ 250µA	32 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB5N80AE-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 4.4A（Tc） 62.5W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHB5N80AE-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	4.4A（Tc）	321 pF @ 100 V	62.5W（Tc）	1.35オーム @ 1.5A、10V	4V @ 250µA	16.5 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB6N65E-GE3 N/A	Nチャンネル 650 V 7A（Tc） 78W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB6N65E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	650 V	10V	7A（Tc）	820 pF @ 100 V	78W（Tc）	600ミリオーム @ 3A、10V	4V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB6N80AE-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 5A（Tc） 62.5W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHB6N80AE-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	5A（Tc）	422 pF @ 100 V	62.5W（Tc）	950ミリオーム @ 2A、10V	4V @ 250µA	22.5 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB6N80E-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 5.4A（Tc） 78W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB6N80E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	5.4A（Tc）	827 pF @ 100 V	78W（Tc）	940ミリオーム @ 3A、10V	4V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHB8N50D-GE3 N/A	Nチャンネル 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHB8N50D-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	500 V	10V	8.7A（Tc）	527 pF @ 100 V	156W（Tc）	850ミリオーム @ 4A、10V	5V @ 250µA	30 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-263（D2PAK）	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD11N80AE-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc）面実装 TO-252AA 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHD11N80AE-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	8A（Tc）	804 pF @ 100 V	78W（Tc）	450ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	TO-252AA	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD11N80AE-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHD11N80AE-T1-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	8A（Tc）	804 pF @ 100 V	78W（Tc）	450ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD11N80AE-T1-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHD11N80AE-T1-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	8A（Tc）	804 pF @ 100 V	78W（Tc）	450ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD11N80AE-T4-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHD11N80AE-T4-GE3TR-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	8A（Tc）	804 pF @ 100 V	78W（Tc）	450ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD11N80AE-T4-GE3 N/A	Nチャンネル 800 V 8A（Tc） 78W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：テープカットコアスタッフ型名：zp2216-742-SIHD11N80AE-T4-GE3CT-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	800 V	10V	8A（Tc）	804 pF @ 100 V	78W（Tc）	450ミリオーム @ 5.5A、10V	4V @ 250µA	42 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
他社在庫	SIHD12N50E-GE3 N/A	Nチャンネル 550 V 10.5A（Tc） 114W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHD12N50E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	550 V	10V	10.5A（Tc）	886 pF @ 100 V	114W（Tc）	380ミリオーム @ 6A、10V	4V @ 250µA	50 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TA）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
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他社在庫	SIHD14N60E-GE3 N/A	Nチャンネル 600 V 13A（Tc） 147W（Tc）面実装 DPAK 梱包形態：スティックコアスタッフ型名：zp2216-SIHD14N60E-GE3-ND@0	電子CAD:Quadceptで利用可能	Nチャンネル	600 V	10V	13A（Tc）	1205 pF @ 100 V	147W（Tc）	309ミリオーム @ 7A、10V	4V @ 250µA	64 nC @ 10 V	±30V	-55°C～150°C（TJ）	面実装	DPAK	MOSFET（金属酸化物）	-
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FET

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