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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SI9435BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9435BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 10V 4.1A(Ta) 1.3W(Ta) 42ミリオーム @ 5.7A、10V 3V @ 250µA 24 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI9634DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI9634DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 420pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9634DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI9634DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc) 420pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9926CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9926CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9926CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9926CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1200pF @ 10V 3.1W 18ミリオーム @ 8.3A、4.5V 1.5V @ 250µA 33nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9933CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9933CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9933CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4A 665pF @ 10V 3.1W 58ミリオーム @ 4.8A、4.5V 1.4V @ 250µA 26nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI9945BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9945BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI9945BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI9945BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SIA106DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 10A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA106DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 10A(Ta)、12A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIA106DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 10A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA106DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 10A(Ta)、12A(Tc) 540 pF @ 30 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 18.5ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIA108DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.6A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA108DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 6.6A(Ta)、12A(Tc) 545 pF @ 40 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 38ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA108DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.6A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA108DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 7.5V、10V 6.6A(Ta)、12A(Tc) 545 pF @ 40 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 38ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIA110DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 5.4A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA110DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 5.4A(Ta)、12A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 55ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA110DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 5.4A(Ta)、12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA110DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 5.4A(Ta)、12A(Tc) 550 pF @ 50 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 55ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
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SIA112LDJ-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 2.9W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA112LDJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 355 pF @ 50 V 2.9W(Ta)、15.6W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 11.8 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA112LDJ-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 2.9W(Ta)、15.6W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SIA112LDJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 3.5A(Ta)、8.8A(Tc) 355 pF @ 50 V 2.9W(Ta)、15.6W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 11.8 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA400EDJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 12A(Tc) 19.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA400EDJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 2.5V、4.5V 12A(Tc) 1265 pF @ 15 V 19.2W(Tc) 19ミリオーム @ 11A、4.5V 1.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA400EDJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 12A(Tc) 19.2W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 2.5V、4.5V 12A(Tc) 1265 pF @ 15 V 19.2W(Tc) 19ミリオーム @ 11A、4.5V 1.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA413ADJ-T1-GE3

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Pチャンネル 12 V 12A(Tc) 19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA413ADJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 10 V 19W(Tc) 29ミリオーム @ 6.7A、4.5V 1V @ 250µA 57 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA413ADJ-T1-GE3

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Pチャンネル 12 V 12A(Tc) 19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA413ADJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 10 V 19W(Tc) 29ミリオーム @ 6.7A、4.5V 1V @ 250µA 57 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6シングル MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA413DJ-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 12 V 12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA413DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 10 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 29ミリオーム @ 6.7A、4.5V 1V @ 250µA 57 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA413DJ-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 12 V 12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA413DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.5V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 10 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 29ミリオーム @ 6.7A、4.5V 1V @ 250µA 57 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA414DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 8 V 12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA414DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 8 V 1.2V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 4 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 11ミリオーム @ 9.7A、4.5V 800mV @ 250µA 32 nC @ 5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA414DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 8 V 12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA414DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 8 V 1.2V、4.5V 12A(Tc) 1800 pF @ 4 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 11ミリオーム @ 9.7A、4.5V 800mV @ 250µA 32 nC @ 5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA416DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11.3A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA416DJ-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 11.3A(Tc) 295 pF @ 50 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 83ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA416DJ-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11.3A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA416DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 11.3A(Tc) 295 pF @ 50 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 83ミリオーム @ 3.2A、10V 3V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SIA421DJ-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 12A(Tc) 3.5W(Ta)、19W(Tc) 面実装 PowerPAK® SC-70-6
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SIA421DJ-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Tc) 950 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、19W(Tc) 35ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SC-70-6 MOSFET(金属酸化物) -

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