FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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DMN2015UFDE-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 10.5A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプE)

1779 pF @ 10 V
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RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 15.2A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

1439 pF @ 10 V
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RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 15.2A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

1439 pF @ 10 V
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RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 15.2A(Ta) 1.8W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6

1439 pF @ 10 V
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DMN2016LFG-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.2A 770mW 面実装 U-DFN3030-8

20V 5.2A 1472pF @ 10V 770mW 18ミリオーム @ 6A、4.5V 1.1V @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8
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DMN2016LFG-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.2A 770mW 面実装 U-DFN3030-8

20V 5.2A 1472pF @ 10V 770mW 18ミリオーム @ 6A、4.5V 1.1V @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8
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DMN2016LHAB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 1.2W 面実装 U-DFN2030-6(タイプB)

20V 7.5A 1550pF @ 10V 1.2W 15.5ミリオーム @ 4A、4.5V 1.1V @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2030-6(タイプB)
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DMN2016LHAB-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 7.5A 1.2W 面実装 U-DFN2030-6(タイプB)

20V 7.5A 1550pF @ 10V 1.2W 15.5ミリオーム @ 4A、4.5V 1.1V @ 250µA 16nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN2030-6(タイプB)
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DMN2016UFX-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 9.9A(Ta) 1.07W(Ta) 面実装 V-DFN2050-4

24V 9.9A(Ta) 950pF @ 10V 1.07W(Ta) 15ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 14nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 V-DFN2050-4
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DMN2016UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 8.58A 880mW 面実装 8-TSSOP

20V 8.58A 1495pF @ 10V 880mW 14.5ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1V @ 250µA 16.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMN2016UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 8.58A 880mW 面実装 8-TSSOP

20V 8.58A 1495pF @ 10V 880mW 14.5ミリオーム @ 9.4A、4.5V 1V @ 250µA 16.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMN2019UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.4A 780mW 面実装 8-TSSOP

20V 5.4A 143pF @ 10V 780mW 18.5ミリオーム @ 7A、10V 950mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMN2019UTS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 5.4A 780mW 面実装 8-TSSOP

20V 5.4A 143pF @ 10V 780mW 18.5ミリオーム @ 7A、10V 950mV @ 250µA 8.8nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-TSSOP
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DMN2020LSN-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.9A(Ta) 610mW(Ta) 面実装 SC-59-3

1149 pF @ 10 V
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DMN2020LSN-7

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Nチャンネル 20 V 6.9A(Ta) 610mW(Ta) 面実装 SC-59-3

1149 pF @ 10 V
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DMN2020UFCL-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 9A(Ta) 610mW(Ta) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)

1788 pF @ 10 V
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DMN2020UFCL-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 9A(Ta) 610mW(Ta) 面実装 X1-DFN1616-6(タイプE)

1788 pF @ 10 V
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 7.8A(Ta) 1W 面実装 X4-DSN1717-4

24V 7.8A(Ta) 1438pF @ 10V 1W 22ミリオーム @ 3A、4.5V 1.4V @ 1mA 12.5nC @ 4V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル、コモンドレイン 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 X4-DSN1717-4
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DMN2022UFDF-13

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.9A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

907 pF @ 10 V
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DMN2022UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.9A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

907 pF @ 10 V
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DMN2022UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.9A(Ta) 660mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

907 pF @ 10 V
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DMN2022UNS-13

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 10.7A(Ta) 1.2W 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)

20V 10.7A(Ta) 1870pF @ 10V 1.2W 10.8ミリオーム @ 4A、 4.5V 1V @ 250µA 20.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)
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DMN2022UNS-7

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MOSFET - アレイ 20V 10.7A(Ta) 1.2W 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)

20V 10.7A(Ta) 1870pF @ 10V 1.2W 10.8ミリオーム @ 4A、 4.5V 1V @ 250µA 20.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)
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DMN2022UNS-7

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MOSFET - アレイ 20V 10.7A(Ta) 1.2W 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)

20V 10.7A(Ta) 1870pF @ 10V 1.2W 10.8ミリオーム @ 4A、 4.5V 1V @ 250µA 20.3nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerDI3333-8 (タイプUXB)
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DMN2023UCB4-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 6A(Ta) 1.45W 面実装 X1-WLB1818-4

24V 6A(Ta) 3333pF @ 10V 1.45W - 1.3V @ 1mA 37nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X1-WLB1818-4
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DMN2023UCB4-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 6A(Ta) 1.45W 面実装 X1-WLB1818-4

24V 6A(Ta) 3333pF @ 10V 1.45W - 1.3V @ 1mA 37nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X1-WLB1818-4
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DMN2023UCB4-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 24V 6A(Ta) 1.45W 面実装 X1-WLB1818-4

24V 6A(Ta) 3333pF @ 10V 1.45W - 1.3V @ 1mA 37nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X1-WLB1818-4
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MOSFET - アレイ

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DMN2024U-13

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 800mW 面実装 SOT-23-3

647 pF @ 10 V
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DMN2024U-13

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 800mW 面実装 SOT-23-3

647 pF @ 10 V
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DMN2024U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 800mW 面実装 SOT-23-3

647 pF @ 10 V
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DMN2024U-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 6.8A(Ta) 800mW 面実装 SOT-23-3

647 pF @ 10 V
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DMN2024UDH-7

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MOSFET - アレイ 20V 5.2A(Ta) 950mW(Ta) 面実装 U-DFN3030-8

20V 5.2A(Ta) 647pF @ 10V 950mW(Ta) 23ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1V @ 250µA 7.1nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 U-DFN3030-8
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DMN2024UFDF-13

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.1A(Ta) 960mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

647 pF @ 10 V
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DMN2024UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.1A(Ta) 960mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

647 pF @ 10 V
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DMN2024UFDF-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 7.1A(Ta) 960mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

647 pF @ 10 V

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