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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SIHU5N80AE-GE3

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Nチャンネル 800 V 4.4A(Tc) 62.5W(Tc) スルーホール TO-251AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIHU5N80AE-GE3-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 4.4A(Tc) 321 pF @ 100 V 62.5W(Tc) 1.35オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 16.5 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-251AA MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU6N62E-GE3

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Nチャンネル 620 V 6A(Tc) 78W(Tc) スルーホール IPAK(TO-251)
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHU6N62E-GE3-ND@0

Nチャンネル 620 V 10V 6A(Tc) 578 pF @ 100 V 78W(Tc) 900ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 34 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU6N65E-GE3

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Nチャンネル 650 V 7A(Tc) 78W(Tc) スルーホール IPAK(TO-251)
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHU6N65E-GE3-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 7A(Tc) 820 pF @ 100 V 78W(Tc) 600ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU6N80AE-GE3

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Nチャンネル 800 V 5A(Tc) 62.5W(Tc) スルーホール TO-251AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIHU6N80AE-GE3-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 5A(Tc) 422 pF @ 100 V 62.5W(Tc) 950ミリオーム @ 2A、10V 4V @ 250µA 22.5 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-251AA MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU6N80E-GE3

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Nチャンネル 800 V 5.4A(Tc) 78W(Tc) スルーホール IPAK(TO-251)
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHU6N80E-GE3-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 5.4A(Tc) 827 pF @ 100 V 78W(Tc) 940ミリオーム @ 3A、10V 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール IPAK(TO-251) MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU7N60E-E3

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Nチャンネル 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) スルーホール TO-251AA
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHU7N60E-E3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 7A(Tc) 680 pF @ 100 V 78W(Tc) 600ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-251AA MOSFET(金属酸化物) -
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SIHU7N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 7A(Tc) 78W(Tc) スルーホール TO-251AA
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIHU7N60E-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 7A(Tc) 680 pF @ 100 V 78W(Tc) 600ミリオーム @ 3.5A、10V 4V @ 250µA 40 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-251AA MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW21N80AE-GE3

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Nチャンネル 800 V 17.4A(Tc) 32W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW21N80AE-GE3-ND@0

Nチャンネル 800 V 10V 17.4A(Tc) 1388 pF @ 100 V 32W(Tc) 235ミリオーム @ 11A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW30N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 29A(Tc) 250W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW30N60E-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 29A(Tc) 2600 pF @ 100 V 250W(Tc) 125ミリオーム @ 15A、10V 4V @ 250µA 130 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW33N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 33A(Tc) 278W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW33N60E-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 33A(Tc) 3508 pF @ 100 V 278W(Tc) 99ミリオーム @ 16.5A、10V 4V @ 250µA 150 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW47N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 47A(Tc) 357W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW47N60E-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 47A(Tc) 9620 pF @ 100 V 357W(Tc) 64ミリオーム @ 24A、10V 4V @ 250µA 220 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW47N60EF-GE3

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Nチャンネル 600 V 47A(Tc) 379W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW47N60EF-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 47A(Tc) 4854 pF @ 100 V 379W(Tc) 65ミリオーム @ 24A、10V 4V @ 250µA 225 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW61N65EF-GE3

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Nチャンネル 650 V 64A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW61N65EF-GE3-ND@0

Nチャンネル 650 V 10V 64A(Tc) 7407 pF @ 100 V 520W(Tc) 47ミリオーム @ 30.5A、10V 4V @ 250µA 371 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW70N60EF-GE3

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Nチャンネル 600 V 70A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW70N60EF-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 70A(Tc) 7500 pF @ 100 V 520W(Tc) 38ミリオーム @ 35A、10V 4V @ 250µA 380 nC @ 10 V ±30V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIHW73N60E-GE3

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Nチャンネル 600 V 73A(Tc) 520W(Tc) スルーホール TO-247AD
CoreStaff Part Number:zp2216-SIHW73N60E-GE3-ND@0

Nチャンネル 600 V 10V 73A(Tc) 7700 pF @ 100 V 520W(Tc) 39ミリオーム @ 36A、10V 4V @ 250µA 362 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-247AD MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ128LDP-T1-GE3

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Nチャンネル 80 V 10.2A(Ta)、25.5A(Tc) 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ128LDP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 10.2A(Ta)、25.5A(Tc) 1250 pF @ 40 V 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 15.6ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ128LDP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 10.2A(Ta)、25.5A(Tc) 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ128LDP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 10.2A(Ta)、25.5A(Tc) 1250 pF @ 40 V 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 15.6ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 45 V 30.9A(Ta)、110A(Tc) 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ150DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 30.9A(Ta)、110A(Tc) 4000 pF @ 20 V 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 2.83ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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Nチャンネル 45 V 30.9A(Ta)、110A(Tc) 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ150DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 30.9A(Ta)、110A(Tc) 4000 pF @ 20 V 5.2W(Ta)、65.7W(Tc) 2.83ミリオーム @ 15A、10V 2.3V @ 250µA 70 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ186DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 23A(Ta)、79.4A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ186DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 6V、10V 23A(Ta)、79.4A(Tc) 1710 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.5ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ186DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 23A(Ta)、79.4A(Tc) 5W(Ta)、57W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ186DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 6V、10V 23A(Ta)、79.4A(Tc) 1710 pF @ 30 V 5W(Ta)、57W(Tc) 4.5ミリオーム @ 15A、10V 3.6V @ 250µA 37 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ188DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 25.5A(Ta)、92.4A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ188DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 25.5A(Ta)、92.4A(Tc) 1920 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.85ミリオーム @ 10A、10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ188DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 25.5A(Ta)、92.4A(Tc) 5W(Ta)、65.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ188DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 7.5V、10V 25.5A(Ta)、92.4A(Tc) 1920 pF @ 30 V 5W(Ta)、65.7W(Tc) 3.85ミリオーム @ 10A、10V 3.6V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ4106DP-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 15.8A(Ta)、59A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ4106DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.8A(Ta)、59A(Tc) 3610 pF @ 50 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 8.3ミリオーム @ 15A、10V 3.8V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ4106DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 15.8A(Ta)、59A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ4106DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.8A(Ta)、59A(Tc) 3610 pF @ 50 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 8.3ミリオーム @ 15A、10V 3.8V @ 250µA 64 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ4108DP-T1-GE3

   

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Nチャンネル 100 V 15.2A(Ta)、56.7A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ4108DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.2A(Ta)、56.7A(Tc) 2440 pF @ 50 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 52ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ4108DP-T1-GE3

   

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Nチャンネル 100 V 15.2A(Ta)、56.7A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ4108DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 15.2A(Ta)、56.7A(Tc) 2440 pF @ 50 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 52ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 52 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ438ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 45.3A(Ta)、169A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ438ADP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 45.3A(Ta)、169A(Tc) 7800 pF @ 20 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ438ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 45.3A(Ta)、169A(Tc) 5W(Ta)、69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ438ADP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 45.3A(Ta)、169A(Tc) 7800 pF @ 20 V 5W(Ta)、69.4W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ438DP-T1-GE3

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Nチャンネル 40 V 80A(Tc) 69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ438DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 9400 pF @ 20 V 69.4W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2.4V @ 250µA 182 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ438DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 40 V 80A(Tc) 69.4W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ438DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 80A(Tc) 9400 pF @ 20 V 69.4W(Tc) 1.35ミリオーム @ 20A、 10V 2.4V @ 250µA 182 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ450DP-T1-GE3

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Nチャンネル 45 V 36A(Ta)、113A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ450DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 36A(Ta)、113A(Tc) 5920 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.9ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 114 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ450DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 45 V 36A(Ta)、113A(Tc) 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ450DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 45 V 4.5V、10V 36A(Ta)、113A(Tc) 5920 pF @ 20 V 4.8W(Ta)、 48W(Tc) 1.9ミリオーム @ 10A、10V 2.3V @ 250µA 114 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ462ADP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 60 V 15.8A(Ta)、39.3A(Tc) 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ462ADP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.8A(Ta)、39.3A(Tc) 1235 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 7.2ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ462ADP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 15.8A(Ta)、39.3A(Tc) 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SIJ462ADP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 15.8A(Ta)、39.3A(Tc) 1235 pF @ 30 V 3.6W(Ta)、22.3W(Tc) 7.2ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ462DP-T1-GE3

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Nチャンネル 60 V 46.5A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ462DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 60 V 46.5A(Tc) 1400 pF @ 30 V 8ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ470DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 100 V 58.8A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ470DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 58.8A(Tc) 2050 pF @ 50 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ470DP-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 58.8A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ470DP-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 7.5V、10V 58.8A(Tc) 2050 pF @ 50 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 9.1ミリオーム @ 20A、10V 3.5V @ 250µA 56 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SIJ478DP-T1-GE3

RoHS
   

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Nチャンネル 80 V 60A(Tc) 5W(Ta)、62.5W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
CoreStaff Part Number:zp2216-SIJ478DP-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 80 V 4.5V、10V 60A(Tc) 1855 pF @ 40 V 5W(Ta)、62.5W(Tc) 8ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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