FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 技術 構成 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
他社在庫

SI4931DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4931DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4932DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4932DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 1750pF @ 15V 3.2W 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4932DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4932DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 1750pF @ 15V 3.2W 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 48nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4936ADY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936ADY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936ADY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936ADY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936ADY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 4.4A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936ADY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 4.4A - 1.1W 36ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6.9A 2.8W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6.9A 530pF @ 15V 2.8W 35ミリオーム @ 5.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A 2.3W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936CDY-T1-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A 325pF @ 15V 2.3W 40ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A 2.3W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A 325pF @ 15V 2.3W 40ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4936CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A 2.3W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4936CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A 325pF @ 15V 2.3W 40ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4943BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6.3A - 1.1W 19ミリオーム @ 8.4A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4943BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 6.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 6.3A - 1.1W 19ミリオーム @ 8.4A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4943CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943CDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1945pF @ 10V 3.1W 19.2ミリオーム @ 8.3A、10V 3V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4943CDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943CDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1945pF @ 10V 3.1W 19.2ミリオーム @ 8.3A、10V 3V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4943CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1945pF @ 10V 3.1W 19.2ミリオーム @ 8.3A、10V 3V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4943CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4943CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 8A 1945pF @ 10V 3.1W 19.2ミリオーム @ 8.3A、10V 3V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -50°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4946BEY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946BEY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.5A 840pF @ 30V 3.7W 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4946BEY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946BEY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.5A 840pF @ 30V 3.7W 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4946BEY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946BEY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.5A 840pF @ 30V 3.7W 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4946BEY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.5A 3.7W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946BEY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.5A 840pF @ 30V 3.7W 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4946CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 2W(Ta)、2.8W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 350pF @ 30V 2W(Ta)、2.8W(Tc) 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
他社在庫

SI4946CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 2W(Ta)、2.8W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4946CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 350pF @ 30V 2W(Ta)、2.8W(Tc) 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO
他社在庫

SI4948BEY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 2.4A 1.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4948BEY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 2.4A - 1.4W 120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4948BEY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 2.4A 1.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4948BEY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 2.4A - 1.4W 120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4948BEY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 2.4A 1.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4948BEY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 2.4A - 1.4W 120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4948BEY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 2.4A 1.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4948BEY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 2.4A - 1.4W 120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4963BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4.9A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4963BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4.9A - 1.1W 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4963BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4.9A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4963BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4.9A - 1.1W 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4963BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 4.9A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4963BDY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 4.9A - 1.1W 32ミリオーム @ 6.5A、4.5V 1.4V @ 250µA 21nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI5403DC-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 6A(Tc) 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 面実装 1206-8 ChipFET™
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI5403DC-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6A(Tc) 1340 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、6.3W(Tc) 30ミリオーム @ 7.2A、10V 3V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 1206-8 ChipFET™

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