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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4686DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 18.2A(Tc) 3W(Ta)、5.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4686DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18.2A(Tc) 1220 pF @ 15 V 3W(Ta)、5.2W(Tc) 9.5ミリオーム @ 13.8A、10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4686DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 18.2A(Tc) 3W(Ta)、5.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4686DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18.2A(Tc) 1220 pF @ 15 V 3W(Ta)、5.2W(Tc) 9.5ミリオーム @ 13.8A、10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4686DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 18.2A(Tc) 3W(Ta)、5.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4686DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 18.2A(Tc) 1220 pF @ 15 V 3W(Ta)、5.2W(Tc) 9.5ミリオーム @ 13.8A、10V 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4800BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4800BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 18.5ミリオーム @ 9A、10V 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4800BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4800BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 18.5ミリオーム @ 9A、10V 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4800BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4800BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 18.5ミリオーム @ 9A、10V 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4800BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4800BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 6.5A(Ta) 1.3W(Ta) 18.5ミリオーム @ 9A、10V 1.8V @ 250µA 13 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4804CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4804CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 865pF @ 15V 3.1W 22ミリオーム @ 7.5A、10V 2.4V @ 250µA 23nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4804CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4804CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 865pF @ 15V 3.1W 22ミリオーム @ 7.5A、10V 2.4V @ 250µA 23nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A、8.2A 1W、1.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4816BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A、8.2A - 1W、1.25W 18.5ミリオーム @ 6.8A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A、8.2A 1W、1.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4816BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A、8.2A - 1W、1.25W 18.5ミリオーム @ 6.8A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A、8.2A 1W、1.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4816BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A、8.2A - 1W、1.25W 18.5ミリオーム @ 6.8A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4816BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.8A、8.2A 1W、1.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4816BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.8A、8.2A - 1W、1.25W 18.5ミリオーム @ 6.8A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) Nチャンネル2個(ハーフブリッジ) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4825DDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 14.9A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4825DDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 14.9A(Tc) 2550 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 12.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4825DDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 14.9A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4825DDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 14.9A(Tc) 2550 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 12.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 86 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4835DDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 13A(Tc) 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4835DDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 13A(Tc) 1960 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 18ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4835DDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 13A(Tc) 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4835DDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 13A(Tc) 1960 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 18ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4835DDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 13A(Tc) 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4835DDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 13A(Tc) 1960 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 18ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4835DDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 13A(Tc) 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4835DDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 13A(Tc) 1960 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.6W(Tc) 18ミリオーム @ 10A、10V 3V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4838BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 12 V 34A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4838BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 12 V 1.8V、4.5V 34A(Tc) 5760 pF @ 6 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、4.5V 1V @ 250µA 84 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4838BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 12 V 34A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4838BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 12 V 1.8V、4.5V 34A(Tc) 5760 pF @ 6 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 2.7ミリオーム @ 15A、4.5V 1V @ 250µA 84 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4838DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 12 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4838DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3ミリオーム @ 25A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 60 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4838DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 12 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4838DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3ミリオーム @ 25A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 60 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4838DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 12 V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4838DY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 12 V 2.5V、4.5V 17A(Ta) 1.6W(Ta) 3ミリオーム @ 25A、4.5V 600mV @ 250µA(最小) 60 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4840BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 19A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4840BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 19A(Tc) 2000 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 9ミリオーム @ 12.4A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4840BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 19A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4840BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 19A(Tc) 2000 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 9ミリオーム @ 12.4A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4840BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 19A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4840BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 19A(Tc) 2000 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 9ミリオーム @ 12.4A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4840BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 19A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4840BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 19A(Tc) 2000 pF @ 20 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 9ミリオーム @ 12.4A、10V 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4842BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 28A(Tc) 3W(Ta)、6.25W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4842BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 28A(Tc) 3650 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.25W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4842BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 28A(Tc) 3W(Ta)、6.25W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4842BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 28A(Tc) 3650 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.25W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4842BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 28A(Tc) 3W(Ta)、6.25W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4842BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 28A(Tc) 3650 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.25W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4842BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 28A(Tc) 3W(Ta)、6.25W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4842BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 28A(Tc) 3650 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.25W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4848ADY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4848ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 6V、10V 5.5A(Tc) 335 pF @ 75 V 5W(Tc) 84ミリオーム @ 3.9A、10V 4V @ 250µA 9.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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