FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4136DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 46A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4136DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 46A(Tc) 4560 pF @ 10 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4136DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 46A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4136DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 46A(Tc) 4560 pF @ 10 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 2ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 110 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4143DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 25.3A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4143DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.3A(Tc) 6630 pF @ 15 V 6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 12A、10V 2.5V @ 250µA 167 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TA) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4143DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 25.3A(Tc) 6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4143DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.3A(Tc) 6630 pF @ 15 V 6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 12A、10V 2.5V @ 250µA 167 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TA) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4151DY-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 15.2A(Ta)、20.5A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4151DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15.2A(Ta)、20.5A(Tc) 3250 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4151DY-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 15.2A(Ta)、20.5A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4151DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 15.2A(Ta)、20.5A(Tc) 3250 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 7.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 87 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4153DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 14.3A(Ta)、 19.3A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4153DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 14.3A(Ta)、 19.3A(Tc) 3600 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4153DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 14.3A(Ta)、 19.3A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4153DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 14.3A(Ta)、 19.3A(Tc) 3600 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4154DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 36A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4154DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 36A(Tc) 4230 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4154DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 36A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4154DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 36A(Tc) 4230 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.3ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4155DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 10.2A(Ta)、13.6A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4155DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.2A(Ta)、13.6A(Tc) 1870 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4155DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 10.2A(Ta)、13.6A(Tc) 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4155DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 10.2A(Ta)、13.6A(Tc) 1870 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、4.5W(Tc) 15ミリオーム @ 7A、10V 2.5V @ 250µA 50 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4156DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 24A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4156DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 24A(Tc) 1700 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 6ミリオーム @ 15.7A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4156DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 24A(Tc) 2.5W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4156DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 24A(Tc) 1700 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、6W(Tc) 6ミリオーム @ 15.7A、10V 2.2V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4160DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 25.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4160DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.4A(Tc) 2071 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4160DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 25.4A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4160DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 25.4A(Tc) 2071 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 54 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4162DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19.3A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4162DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.3A(Tc) 1155 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4162DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 19.3A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4162DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.3A(Tc) 1155 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 7.9ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 30 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4164DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4164DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Tc) 3545 pF @ 15 V 3W(Ta)、6W(Tc) 3.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4164DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4164DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30A(Tc) 3545 pF @ 15 V 3W(Ta)、6W(Tc) 3.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4166DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.5A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4166DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.5A(Tc) 2730 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.5W(Tc) 3.9ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4166DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 30.5A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4166DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 30.5A(Tc) 2730 pF @ 15 V 3W(Ta)、6.5W(Tc) 3.9ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 65 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4168DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 24A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4168DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 24A(Tc) 1720 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 5.7ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4168DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 24A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4168DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 24A(Tc) 1720 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 5.7ミリオーム @ 20A、10V 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4174DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 17A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4174DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 17A(Tc) 985 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4174DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 17A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4174DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 17A(Tc) 985 pF @ 15 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 9.5ミリオーム @ 10A、10V 2.2V @ 250µA 27 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4178DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 12A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4178DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Tc) 405 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 21ミリオーム @ 8.4A、10V 2.8V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4178DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 12A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4178DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Tc) 405 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 21ミリオーム @ 8.4A、10V 2.8V @ 250µA 12 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4186DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 35.8A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4186DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 35.8A(Tc) 3630 pF @ 10 V 3W(Ta)、6W(Tc) 2.6ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4186DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 20 V 35.8A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4186DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 20 V 4.5V、10V 35.8A(Tc) 3630 pF @ 10 V 3W(Ta)、6W(Tc) 2.6ミリオーム @ 15A、10V 2.4V @ 250µA 90 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4190ADY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.4A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4190ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 18.4A(Tc) 1970 pF @ 50 V 3W(Ta)、6W(Tc) 8.8ミリオーム @ 15A、10V 2.8V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4190ADY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 18.4A(Tc) 3W(Ta)、6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4190ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 18.4A(Tc) 1970 pF @ 50 V 3W(Ta)、6W(Tc) 8.8ミリオーム @ 15A、10V 2.8V @ 250µA 67 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4190BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 12A(Ta)、17A(Tc) 3.8W(Ta)、8.4W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 12A(Ta)、17A(Tc) 4150 pF @ 50 V 3.8W(Ta)、8.4W(Tc) 9.3ミリオーム @ 10A、 10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4190BDY-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 12A(Ta)、17A(Tc) 3.8W(Ta)、8.4W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 12A(Ta)、17A(Tc) 4150 pF @ 50 V 3.8W(Ta)、8.4W(Tc) 9.3ミリオーム @ 10A、 10V 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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