FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SI4447ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 7.2A(Tc) 4.2W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4447ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 7.2A(Tc) 970 pF @ 20 V 4.2W(Tc) 45ミリオーム @ 5A、10V 2.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4447DY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4447DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 15V、10V 3.3A(Ta) 805 pF @ 20 V 1.1W(Ta) 72ミリオーム @ 4.5A、15V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4447DY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4447DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 15V、10V 3.3A(Ta) 805 pF @ 20 V 1.1W(Ta) 72ミリオーム @ 4.5A、15V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4447DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4447DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 15V、10V 3.3A(Ta) 805 pF @ 20 V 1.1W(Ta) 72ミリオーム @ 4.5A、15V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4447DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 3.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4447DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 15V、10V 3.3A(Ta) 805 pF @ 20 V 1.1W(Ta) 72ミリオーム @ 4.5A、15V 2.2V @ 250µA 14 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4451DY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 12 V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4451DY-T1-E3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 12 V 1.8V、4.5V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8.25ミリオーム @ 14A、4.5V 800mV @ 850µA 120 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4455DY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 2.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4455DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 10V 2.8A(Tc) 1190 pF @ 50 V 3.1W(Ta)、5.9W(Tc) 295ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4455DY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 2.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4455DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 10V 2.8A(Tc) 1190 pF @ 50 V 3.1W(Ta)、5.9W(Tc) 295ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4455DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 2A(Ta) 5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4455DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 6V、10V 2A(Ta) 1190 pF @ 50 V 5.9W(Tc) 295ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4455DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 150 V 2A(Ta) 5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4455DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 150 V 6V、10V 2A(Ta) 1190 pF @ 50 V 5.9W(Tc) 295ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4456DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 33A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4456DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 33A(Tc) 5670 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4456DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 33A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4456DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 33A(Tc) 5670 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4456DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 33A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4456DY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 33A(Tc) 5670 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 29A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 29A(Tc) 6000 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 29A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 29A(Tc) 6000 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3490 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 84 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3490 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 84 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463CDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 4250 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463CDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 4250 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4464DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4464DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4464DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4464DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4465ADY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4465ADY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4465ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4465ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4477DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 26.6A(Tc) 3W(Ta)、6.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4477DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 26.6A(Tc) 4600 pF @ 10 V 3W(Ta)、6.6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4477DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 26.6A(Tc) 3W(Ta)、6.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4477DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 26.6A(Tc) 4600 pF @ 10 V 3W(Ta)、6.6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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