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単価 最低発注数量/以降発注単位 出荷予定日 情報
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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SI4874BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 12A(Ta) 1.6W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4874BDY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 12A(Ta) 3230 pF @ 15 V 1.6W(Ta) 7ミリオーム @ 16A、10V 3V @ 250µA 25 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4890DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4890DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 12ミリオーム @ 11A、10V 800mV @ 250µA(最小) 20 nC @ 5 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4894BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4894BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4894BDY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4894BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4894BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4894BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4894BDY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4894BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 8.9A(Ta) 1580 pF @ 15 V 1.4W(Ta) 11ミリオーム @ 12A、10V 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4896DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4896DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4896DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4896DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4896DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4896DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4896DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 80 V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4896DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 80 V 6V、10V 6.7A(Ta) 1.56W(Ta) 16.5ミリオーム @ 10A、10V 2V @ 250µA(最小) 41 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4900DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4900DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4900DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4900DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4900DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4900DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4900DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4900DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A 665pF @ 15V 3.1W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4904DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4904DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4904DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4904DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4904DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4904DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.25W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4904DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2390pF @ 20V 3.25W 16ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA 85nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4909DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4909DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2000pF @ 20V 3.2W 27ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 63nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4909DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4909DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 2000pF @ 20V 3.2W 27ミリオーム @ 8A、10V 2.5V @ 250µA 63nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4922BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4922BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4922BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4922BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4922BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4922BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4922BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4922BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 2070pF @ 15V 3.1W 16ミリオーム @ 5A、10V 1.8V @ 250µA 62nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4925BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925BDY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4925BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4925BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925BDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 5.3A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4925BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 5.3A - 1.1W 25ミリオーム @ 7.1A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925DDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 5W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4925DDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 1350pF @ 15V 5W 29ミリオーム @ 7.3A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4925DDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 8A 5W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4925DDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 8A 1350pF @ 15V 5W 29ミリオーム @ 7.3A、10V 3V @ 250µA 50nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4931DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4931DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4931DY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4931DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4931DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 12V 6.7A 1.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4931DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

12V 6.7A - 1.1W 18ミリオーム @ 8.9A、4.5V 1V @ 350µA 52nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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