FET 

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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4483ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 19.2A(Tc) 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4483ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.2A(Tc) 3900 pF @ 15 V 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4483ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 19.2A(Tc) 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4483ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.2A(Tc) 3900 pF @ 15 V 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4485DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 6A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4485DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6A(Tc) 590 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 42ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4485DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 6A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4485DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6A(Tc) 590 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 42ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4488DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4488DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4488DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4488DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4490DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4490DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4490DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4490DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4490DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4490DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4490DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4490DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4491EDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 17.3A(Ta) 3.1W(Ta)、6.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4491EDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 17.3A(Ta) 4620 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、6.9W(Tc) 6.5ミリオーム @ 13A、10V 2.8V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4491EDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 17.3A(Ta) 3.1W(Ta)、6.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4491EDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 17.3A(Ta) 4620 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、6.9W(Tc) 6.5ミリオーム @ 13A、10V 2.8V @ 250µA 153 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4497DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 36A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4497DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 36A(Tc) 9685 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.3ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 285 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4497DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 36A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4497DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 36A(Tc) 9685 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.3ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 285 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4532CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.3A 2.78W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4532CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A、4.3A 305pF @ 15V 2.78W 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4532CDY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 6A、4.3A 2.78W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4532CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 6A、4.3A 305pF @ 15V 2.78W 47ミリオーム @ 3.5A、10V 3V @ 250µA 9nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4532DY

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 3.9A、3.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4532DYCT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 3.9A、3.5A 235pF @ 10V 900mW 65ミリオーム @ 3.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4532DY

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 3.9A、3.5A 900mW 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4532DYTR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 3.9A、3.5A 235pF @ 10V 900mW 65ミリオーム @ 3.9A、10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
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SI4534DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc)、3A(Ta)、4.1A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4534DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc)、3A(Ta)、4.1A(Tc) 420pF @ 30V、650pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V、120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4534DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 6.2A(Ta)、8A(Tc)、3A(Ta)、4.1A(Tc) 2W(Ta)、3.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4534DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 6.2A(Ta)、8A(Tc)、3A(Ta)、4.1A(Tc) 420pF @ 30V、650pF @ 30V 2W(Ta)、3.6W(Tc) 29ミリオーム @ 5A、10V、120ミリオーム @ 3.1A、10V 3V @ 250µA 11nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4554DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.1W、3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4554DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 690pF @ 20V 3.1W、3.2W 24ミリオーム @ 6.8A、10V 2.2V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4554DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 8A 3.1W、3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4554DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 8A 690pF @ 20V 3.1W、3.2W 24ミリオーム @ 6.8A、10V 2.2V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4559ADY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A、3.9A 3.1W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4559ADY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A、3.9A 665pF @ 15V、650pF @ 15V 3.1W、3.4W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4559ADY-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A、3.9A 3.1W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4559ADY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A、3.9A 665pF @ 15V、650pF @ 15V 3.1W、3.4W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4559ADY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A、3.9A 3.1W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4559ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A、3.9A 665pF @ 15V、650pF @ 15V 3.1W、3.4W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4559ADY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 60V 5.3A、3.9A 3.1W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4559ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

60V 5.3A、3.9A 665pF @ 15V、650pF @ 15V 3.1W、3.4W 58ミリオーム @ 4.3A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V、22nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4564DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 10A、9.2A 3.1W、3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4564DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 10A、9.2A 855pF @ 20V 3.1W、3.2W 17.5ミリオーム @ 8A、10V 2V @ 250µA 31nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4564DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 10A、9.2A 3.1W、3.2W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4564DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 10A、9.2A 855pF @ 20V 3.1W、3.2W 17.5ミリオーム @ 8A、10V 2V @ 250µA 31nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4590DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 3.4A、2.8A 2.4W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4590DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 3.4A、2.8A 360pF @ 50V 2.4W、3.4W 57ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 250µA 11.5nC @ 10V - NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4590DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 100V 3.4A、2.8A 2.4W、3.4W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4590DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

100V 3.4A、2.8A 360pF @ 50V 2.4W、3.4W 57ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 250µA 11.5nC @ 10V - NおよびPチャンネル - -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4599DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 6.8A、5.8A 3W、3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4599DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 6.8A、5.8A 640pF @ 20V 3W、3.1W 35.5ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC
他社在庫

SI4599DY-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 40V 6.8A、5.8A 3W、3.1W 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4599DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

40V 6.8A、5.8A 640pF @ 20V 3W、3.1W 35.5ミリオーム @ 5A、10V 3V @ 250µA 20nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC

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