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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI4456DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 33A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4456DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 33A(Tc) 5670 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4456DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 40 V 33A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4456DY-T1-GE3-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 40 V 4.5V、10V 33A(Tc) 5670 pF @ 20 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.8V @ 250µA 122 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 29A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 29A(Tc) 6000 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 29A(Tc) 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 29A(Tc) 6000 pF @ 15 V 3.5W(Ta)、7.8W(Tc) 5ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 195 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3490 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 84 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4459BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 面実装 8-SO
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4459BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 20.5A(Ta)、27.8A(Tc) 3490 pF @ 15 V 3.1W(Ta)、5.6W(Tc) 4.9ミリオーム @ 15A、10V 2.2V @ 250µA 84 nC @ 10 V +20V、-16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SO MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463BDY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4463BDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463BDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 9.8A(Ta) 1.5W(Ta) 11ミリオーム @ 13.7A、10V 1.4V @ 250µA 56 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463CDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463CDY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 4250 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4463CDY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 2.7W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4463CDY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 13.6A(Ta)、49A(Tc) 4250 pF @ 15 V 2.7W(Ta)、5W(Tc) 8ミリオーム @ 13A、10V 1.4V @ 250µA 162 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4464DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4464DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4464DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4464DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4464DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 1.7A(Ta) 1.5W(Ta) 240ミリオーム @ 2.2A、10V 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4465ADY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4465ADY-T1-E3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4465ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4465ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4465ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.8V、4.5V 13.7A(Ta)、20A(Tc) 3W(Ta)、6.5W(Tc) 9ミリオーム @ 14A、4.5V 1V @ 250µA 85 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4477DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 26.6A(Tc) 3W(Ta)、6.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4477DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 26.6A(Tc) 4600 pF @ 10 V 3W(Ta)、6.6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4477DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 26.6A(Tc) 3W(Ta)、6.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4477DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、4.5V 26.6A(Tc) 4600 pF @ 10 V 3W(Ta)、6.6W(Tc) 6.2ミリオーム @ 18A、4.5V 1.5V @ 250µA 190 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4483ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 19.2A(Tc) 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4483ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.2A(Tc) 3900 pF @ 15 V 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4483ADY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 19.2A(Tc) 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4483ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 19.2A(Tc) 3900 pF @ 15 V 2.9W(Ta)、5.9W(Tc) 8.8ミリオーム @ 10A、10V 2.6V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4485DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 6A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4485DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6A(Tc) 590 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 42ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4485DY-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 6A(Tc) 2.4W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4485DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 6A(Tc) 590 pF @ 15 V 2.4W(Ta)、5W(Tc) 42ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 21 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4488DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4488DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4488DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4488DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 150 V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4488DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 150 V 10V 3.5A(Ta) 1.56W(Ta) 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
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SI4490DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4490DY-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4490DY-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4490DY-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 2.85A(Ta) 1.56W(Ta) 80ミリオーム @ 4A、10V 2V @ 250µA(最小) 42 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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