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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI7143DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 35A(Tc) 4.2W(Ta)、35.7W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7143DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 35A(Tc) 2230 pF @ 15 V 4.2W(Ta)、35.7W(Tc) 10ミリオーム @ 16.1A、10V 2.8V @ 250µA 71 nC @ 10 V ±20V -50°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7145DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7145DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 15660 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.6ミリオーム @ 25A、10V 2.3V @ 250µA 413 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7145DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7145DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 15660 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 2.6ミリオーム @ 25A、10V 2.3V @ 250µA 413 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7148DP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 28A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7148DP-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 4.5V、10V 28A(Tc) 2900 pF @ 35 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 11ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7148DP-T1-E3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 28A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7148DP-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 4.5V、10V 28A(Tc) 2900 pF @ 35 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 11ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7148DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 28A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7148DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 10V 28A(Tc) 2900 pF @ 35 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 11ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7148DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 28A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7148DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 10V 28A(Tc) 2900 pF @ 35 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 11ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7149ADP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 5W(Ta)、48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7149ADP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 5125 pF @ 15 V 5W(Ta)、48W(Tc) 5.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7149ADP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 5W(Ta)、48W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7149ADP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 5125 pF @ 15 V 5W(Ta)、48W(Tc) 5.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7149DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7149DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 4590 pF @ 15 V 69W(Tc) 5.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 147 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7149DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 50A(Tc) 69W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7149DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 50A(Tc) 4590 pF @ 15 V 69W(Tc) 5.2ミリオーム @ 15A、10V 2.5V @ 250µA 147 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7153DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI7153DN-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3600 pF @ 15 V 52W(Tc) 9.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7153DN-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 30 V 18A(Tc) 52W(Tc) 面実装 PowerPAK® 1212-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI7153DN-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 18A(Tc) 3600 pF @ 15 V 52W(Tc) 9.5ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 93 nC @ 10 V ±25V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® 1212-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7155DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 31A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7155DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 31A(Ta)、100A(Tc) 12900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 3.6ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7155DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 40 V 31A(Ta)、100A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7155DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 40 V 4.5V、10V 31A(Ta)、100A(Tc) 12900 pF @ 20 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 3.6ミリオーム @ 20A、10V 2.3V @ 250µA 330 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7157DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7157DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 22000 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.6ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 625 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7157DP-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7157DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 2.5V、10V 60A(Tc) 22000 pF @ 10 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.6ミリオーム @ 25A、10V 1.4V @ 250µA 625 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7164DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7164DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 10V 60A(Tc) 2830 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6.25ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7164DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7164DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 10V 60A(Tc) 2830 pF @ 30 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 6.25ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 75 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7172ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 5.3A(Ta)、17.2A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7172ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 5.3A(Ta)、17.2A(Tc) 1110 pF @ 100 V - 50ミリオーム @ 10A、10V 3.1V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~125°C 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7172ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 5.3A(Ta)、17.2A(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7172ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 7.5V、10V 5.3A(Ta)、17.2A(Tc) 1110 pF @ 100 V - 50ミリオーム @ 10A、10V 3.1V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~125°C 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7172DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 25A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7172DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 25A(Tc) 2250 pF @ 100 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 70ミリオーム @ 5.9A、10V 4V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7172DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 200 V 25A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7172DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 200 V 6V、10V 25A(Tc) 2250 pF @ 100 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 70ミリオーム @ 5.9A、10V 4V @ 250µA 77 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7174DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7174DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 10V 60A(Tc) 2770 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7174DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 75 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7174DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 75 V 10V 60A(Tc) 2770 pF @ 40 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 7ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7178DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7178DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7178DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7178DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 10V 60A(Tc) 2870 pF @ 50 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 14ミリオーム @ 10A、10V 4.5V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7190ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 250 V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7190ADP-T1-RE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 7.5V、10V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 860 pF @ 100 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 102ミリオーム @ 4.3A、10V 4V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7190ADP-T1-RE3

RoHS

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Nチャンネル 250 V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 5W(Ta)、56.8W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7190ADP-T1-RE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 7.5V、10V 4.3A(Ta)、14.4A(Tc) 860 pF @ 100 V 5W(Ta)、56.8W(Tc) 102ミリオーム @ 4.3A、10V 4V @ 250µA 22.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7190DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 250 V 18.4A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7190DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 6V、10V 18.4A(Tc) 2214 pF @ 125 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 118ミリオーム @ 4.4A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI7190DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 250 V 18.4A(Tc) 5.4W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7190DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 250 V 6V、10V 18.4A(Tc) 2214 pF @ 125 V 5.4W(Ta)、96W(Tc) 118ミリオーム @ 4.4A、10V 4V @ 250µA 72 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7192DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7192DP-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5800 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.9ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -
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SI7192DP-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 30 V 60A(Tc) 6.25W(Ta)、104W(Tc) 面実装 PowerPAK® SO-8
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI7192DP-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 60A(Tc) 5800 pF @ 15 V 6.25W(Ta)、104W(Tc) 1.9ミリオーム @ 20A、10V 2.5V @ 250µA 135 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 PowerPAK® SO-8 MOSFET(金属酸化物) -

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