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ECADモデル メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
他社在庫

SI3493BDV-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 8A(Tc) 2.08W(Ta)、2.97W(Tc) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3493BDV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 8A(Tc) 1805 pF @ 10 V 2.08W(Ta)、2.97W(Tc) 27.5ミリオーム @ 7A、4.5V 900mV @ 250µA 43.5 nC @ 5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3493DDV-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 8A(Tc) 3.6W(Tc) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3493DDV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 8A(Tc) 1825 pF @ 10 V 3.6W(Tc) 24ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3493DDV-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 20 V 8A(Tc) 3.6W(Tc) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3493DDV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 8A(Tc) 1825 pF @ 10 V 3.6W(Tc) 24ミリオーム @ 7.5A、4.5V 1V @ 250µA 30 nC @ 4.5 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3499DV-T1-BE3

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Pチャンネル 8 V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI3499DV-T1-BE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.5V、4.5V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 23ミリオーム @ 7A、4.5V 750mV @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3499DV-T1-BE3

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Pチャンネル 8 V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI3499DV-T1-BE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.5V、4.5V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 23ミリオーム @ 7A、4.5V 750mV @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3499DV-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3499DV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.5V、4.5V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 23ミリオーム @ 7A、4.5V 750mV @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI3499DV-T1-GE3

RoHS

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Pチャンネル 8 V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3499DV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Pチャンネル 8 V 1.5V、4.5V 5.3A(Ta) 1.1W(Ta) 23ミリオーム @ 7A、4.5V 750mV @ 250µA 42 nC @ 4.5 V ±5V -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP MOSFET(金属酸化物) -
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SI3552DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A 1.15W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3552DV-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A - 1.15W 105ミリオーム @ 2.5A、10V 1V @ 250µA(最小) 3.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3552DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A 1.15W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3552DV-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A - 1.15W 105ミリオーム @ 2.5A、10V 1V @ 250µA(最小) 3.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3552DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A 1.15W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3552DV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A - 1.15W 105ミリオーム @ 2.5A、10V 1V @ 250µA(最小) 3.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3552DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A 1.15W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3552DV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A - 1.15W 105ミリオーム @ 2.5A、10V 1V @ 250µA(最小) 3.2nC @ 5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3585CDV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 3.9A、2.1A 1.4W、1.3W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3585CDV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 3.9A、2.1A 150pF @ 10V 1.4W、1.3W 58ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3585CDV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 3.9A、2.1A 1.4W、1.3W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3585CDV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 3.9A、2.1A 150pF @ 10V 1.4W、1.3W 58ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3590DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A、1.7A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3590DV-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A、1.7A - 830mW 77ミリオーム @ 3A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3590DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A、1.7A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3590DV-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A、1.7A - 830mW 77ミリオーム @ 3A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3590DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A、1.7A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3590DV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A、1.7A - 830mW 77ミリオーム @ 3A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3590DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.5A、1.7A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3590DV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 2.5A、1.7A - 830mW 77ミリオーム @ 3A、4.5V 1.5V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) NおよびPチャンネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
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SI3900DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3900DV-T1-E3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 2A - 830mW 125ミリオーム @ 2.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3900DV-T1-E3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3900DV-T1-E3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 2A - 830mW 125ミリオーム @ 2.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3900DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3900DV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 2A - 830mW 125ミリオーム @ 2.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3900DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 20V 2A 830mW 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3900DV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

20V 2A - 830mW 125ミリオーム @ 2.4A、4.5V 1.5V @ 250µA 4nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3932DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 3.7A 1.4W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3932DV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 3.7A 235pF @ 15V 1.4W 58ミリオーム @ 3.4A、10V 2.2V @ 250µA 6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3932DV-T1-GE3

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 3.7A 1.4W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3932DV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

30V 3.7A 235pF @ 15V 1.4W 58ミリオーム @ 3.4A、10V 2.2V @ 250µA 6nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3993CDV-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 2.9A 210pF @ 15V 1.4W 111ミリオーム @ 2.5A、10V 2.2V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3
VISHAY SILICONIX

RoHS

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MOSFET - アレイ 30V 2.9A 1.4W 面実装 6-TSOP
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI3993CDV-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Vishay Siliconix TrenchFET® 30V 2.9A 210pF @ 15V 1.4W 111ミリオーム @ 2.5A、10V 2.2V @ 250µA 8nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2Pチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 6-TSOP
他社在庫

SI4056ADY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 5.9A(Ta)、8.3A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4056ADY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 5.9A(Ta)、8.3A(Tc) 1330 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 29.2ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4056ADY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 5.9A(Ta)、8.3A(Tc) 2.5W(Ta)、5W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-742-SI4056ADY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 5.9A(Ta)、8.3A(Tc) 1330 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、5W(Tc) 29.2ミリオーム @ 5.9A、10V 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4056DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11.1A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4056DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 11.1A(Tc) 900 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 23ミリオーム @ 15A、10V 2.8V @ 250µA 29.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4056DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 100 V 11.1A(Tc) 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4056DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 11.1A(Tc) 900 pF @ 50 V 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 23ミリオーム @ 15A、10V 2.8V @ 250µA 29.5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4058DY-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 10.3A(Tc) 5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4058DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 10.3A(Tc) 690 pF @ 50 V 5.6W(Tc) 26ミリオーム @ 10A、 10V 2.8V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4058DY-T1-GE3

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Nチャンネル 100 V 10.3A(Tc) 5.6W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4058DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 10.3A(Tc) 690 pF @ 50 V 5.6W(Tc) 26ミリオーム @ 10A、 10V 2.8V @ 250µA 18 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4062DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 32.1A(Tc) 7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4062DY-T1-GE3CT-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 32.1A(Tc) 3175 pF @ 30 V 7.8W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -
他社在庫

SI4062DY-T1-GE3

RoHS

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Nチャンネル 60 V 32.1A(Tc) 7.8W(Tc) 面実装 8-SOIC
梱包形態:テープカット
コアスタッフ型名:zp2216-SI4062DY-T1-GE3TR-ND@0

Quadcept 電子CAD:Quadceptで利用可能

Nチャンネル 60 V 4.5V、10V 32.1A(Tc) 3175 pF @ 30 V 7.8W(Tc) 4.2ミリオーム @ 20A、10V 2.6V @ 250µA 60 nC @ 10 V ±20V 面実装 8-SOIC MOSFET(金属酸化物) -

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