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库存类别供应商排名	库存所在位置	型号 / 制造商 / 其他	库存量	生产批次	最低订货数量 / 后续订购数量	预定出货日	资讯核友型号	Manufacturer	Series	FET Type	Drain to Source Voltage (Vdss)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	Power Dissipation (Max)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Vgs (Max)	Technology	FET Feature	Operating Temperature Range	Applications	Mounting Type	Device Package
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF3808PBF INFINEON	20,000	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404334	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF3808PBF INFINEON	13,000	21+		预计 8个工作日	核友型号：st71928829	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF3808PBF INFINEON	2,000	21+		预计 12个工作日	核友型号：st48988759	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF3808PBF INFINEON	12			预计 11个工作日	核友型号：st67960106	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	140A(Tc)	5310pF @ 25 V	330W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF3808STRLPBF INFINEON	3,200	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404335	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	75V	10V	106A(Tc)	5310pF @ 25 V	200W(Tc)	7mOhms @ 82A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF40B207 INFINEON	740	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787202	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	95A(Tc)	2110pF @ 25 V	83W(Tc)	4.5mOhms @ 57A, 10V	3.9V @ 50µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF40H210 INFINEON	3,697	1844+		预计 16个工作日	核友型号：st63691352	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	100A(Tc)	5406pF @ 25 V	125W(Tc)	1.7mOhms @ 100A, 10V	3.7V @ 150µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	8-PQFN(5x6)
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF40R207 INFINEON	500	21+		预计 12个工作日	核友型号：st62787136	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	56A(Tc)	2110pF @ 25 V	83W(Tc)	5.1mOhms @ 55A, 10V	3.9V @ 50µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Surface Mount	PG-TO252-3
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF40R207 INFINEON	20,000	1743+		预计 16个工作日	核友型号：st49404336	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	N-Channel	40V	6V, 10V	56A(Tc)	2110pF @ 25 V	83W(Tc)	5.1mOhms @ 55A, 10V	3.9V @ 50µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Surface Mount	PG-TO252-3
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF4104PBF INFINEON	10,000	21+11+		预计 16个工作日	核友型号：st49404337	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	40V	10V	75A(Tc)	3000pF @ 25 V	140W(Tc)	5.5mOhms @ 75A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905LPBF INFINEON	500			预计 91个工作日	核友型号：st68903698	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 150°C(TJ)		Through Hole	TO-262
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647273	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF4905PBF INFINEON	19,577	23+		预计 8个工作日	核友型号：st71926159	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905PBF INFINEON	575			预计 11个工作日	核友型号：st67960107	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF4905PBF INFINEON	50	1801		预计 7个工作日	核友型号：st47098890	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證	来自供应商的订	IRF4905PBF INFINEON	47,072	1909+		预计 16个工作日	核友型号：st60358342	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905PBF INFINEON	500	24+		预计 12个工作日	核友型号：st62776714	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	74A(Tc)	3400pF @ 25 V	200W(Tc)	20mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON	22	22+		预计 8个工作日	核友型号：st71927457	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON	4,803	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361750	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON	1,408			预计 11个工作日	核友型号：st67960108	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON	2,400	23+		预计 11个工作日	核友型号：st70452948	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON	17,783	21+		预计 16个工作日	核友型号：st61363128	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF4905STRLPBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	核友型号：st50102689	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	800		MOQ : 800 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647274	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	42A(Tc)	3500pF @ 25 V	170W(Tc)	20mOhms @ 42A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520N INFINEON	26	2000		预计 7个工作日	核友型号：st66725231	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)	Standard Product	Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520NPBF INFINEON	1			预计 11个工作日	核友型号：st67960109	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520NPBF INFINEON	330	21+		预计 11个工作日	核友型号：st64104194	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520NPBF INFINEON	6,690	21+		预计 16个工作日	核友型号：st61363129	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520NPBF INFINEON	1,000	23+		预计 12个工作日	核友型号：st62780926	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,000		MOQ : 1,000 SPQ : 1	预计 11个工作日	核友型号：st70647275	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	9.7A(Tc)	330pF @ 25 V	48W(Tc)	200mOhms @ 5.7A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF5210PBF INFINEON	2	21+		预计 8个工作日	核友型号：st71929088	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5210PBF INFINEON	36,205	21+20+		预计 16个工作日	核友型号：st49404342	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5210PBF INFINEON	6,000	21+		预计 12个工作日	核友型号：st48988760	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5210PBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	核友型号：st50102690	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	12	04+		预计 11个工作日	核友型号：st65434572	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	300	1333		预计 7个工作日	核友型号：st71788140	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210PBF INTERNATIONAL RECTIFIER	8			预计 91个工作日	核友型号：st68903713	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	40A(Tc)	2700pF @ 25 V	200W(Tc)	60mOhms @ 24A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF5210SPBF INFINEON	2,775	22+	MOQ : 2,775 SPQ : 1	预计 8个工作日	核友型号：st62600940	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210STRLPBF INFINEON	493			预计 11个工作日	核友型号：st67960110	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210STRLPBF INFINEON	1,841	21+		预计 11个工作日	核友型号：st71361752	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-2	来自供应商的订	IRF5210STRLPBF INFINEON	40	22+		预计 8个工作日	核友型号：st71927844	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5210STRLPBF INFINEON	12,401	17+		预计 16个工作日	核友型号：st49404343	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210STRLPBF INFINEON	510	2343		预计 11个工作日	核友型号：st70452950	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5210STRLPBF INFINEON	6,000			预计 11个工作日	核友型号：st50102691	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5210STRLPBF INFINEON	500	22+		预计 12个工作日	核友型号：st62776723	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	100V	10V	38A(Tc)	2780pF @ 25 V	3.1W(Ta), 170W(Tc)	60mOhms @ 38A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 150°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订海外位置	IRF5305PBF INFINEON	23,280	21+		预计 16个工作日	核友型号：st49404344	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	31A(Tc)	1200pF @ 25 V	110W(Tc)	60mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5305PBF INFINEON	500	23+		预计 12个工作日	核友型号：st62782622	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	31A(Tc)	1200pF @ 25 V	110W(Tc)	60mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5305STRLPBF INFINEON	50			预计 91个工作日	核友型号：st68903724	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	31A(Tc)	1200pF @ 25 V	3.8W(Ta), 110W(Tc)	60mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF5305STRLPBF INFINEON	800	22+		预计 12个工作日	核友型号：st70710613	Infineon Technologies	HEXFETR	P-Channel	55V	10V	31A(Tc)	1200pF @ 25 V	3.8W(Ta), 110W(Tc)	60mOhms @ 16A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)		-55°C ~ 175°C(TJ)		Surface Mount	D2PAK
質量保證 B-1	来自供应商的订	IRF530NPBF INFINEON	10,000	2505		预计 11个工作日	核友型号：st70452951	Infineon Technologies	HEXFETR	N-Channel	100V	10V	17A(Tc)	920pF @ 25 V	70W(Tc)	90mOhms @ 9A, 10V	4V @ 250µA	±20V	Mosfet (Metal Oxide)	Standard	-55°C ~ 175°C(TJ)		Through Hole	TO-220AB