メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 取り付けタイプ デバイスパッケージ

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核友型号
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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IRFH5250TRPBF
INFINEON

4,000 14+  

預計 11個工作天

核友型号:st63405283

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 25V 4.5V、10V 45A(TA)、100A(Tc) 7174pF @ 13 V 3.6W(Ta)、160W(Tc) 1.15ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 110 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5250TRPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型号:st50102807

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 25V 4.5V、10V 45A(TA)、100A(Tc) 7174pF @ 13 V 3.6W(Ta)、160W(Tc) 1.15ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 110 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5300TRPBF

IRFH5300TRPBF
INFINEON

4,000 23  

預計 11個工作天

核友型号:st70452964

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 40A(TA)、100A(Tc) 7200pF @ 15 V 3.6W(Ta)、250W(Tc) 1.4ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA 50 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF
INFINEON

16,000 20+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361788

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 35A(TA)、100A(Tc) 5114pF @ 15 V 3.6W(Ta)、110W(Tc) 1.85ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 77 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5301TRPBF

IRFH5301TRPBF
INFINEON

34,000 12+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404546

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 35A(TA)、100A(Tc) 5114pF @ 15 V 3.6W(Ta)、110W(Tc) 1.85ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 100µA 77 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
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IRFH5406TRPBF

IRFH5406TRPBF
INFINEON

8,000 19+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404548

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 11A(TA)、40A(Tc) 1256pF @ 25 V 3.6W(Ta)、46W(Tc) 14.4ミリオーム @ 24A、10V 4V @ 50µA 23 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF
INFINEON

4,000 21+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404549

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 20V 2.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 10890pF @ 10 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 1.1V @ 150µA ±12V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH6200TRPBF
INFINEON

4,000 21+  

預計 8個工作天

核友型号:st71929777

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 20V 2.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 10890pF @ 10 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 1.1V @ 150µA ±12V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF
INFINEON

100 22+  

預計 12個工作天

核友型号:st70710655

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 20V 2.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 10890pF @ 10 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 1.1V @ 150µA ±12V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7004TRPBF
INFINEON

6,000 22+  

預計 8個工作天

核友型号:st71928124

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 100A(Tc) 6419pF @ 25 V 156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7004TRPBF

IRFH7004TRPBF
INFINEON

12,000 2022+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404550

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 100A(Tc) 6419pF @ 25 V 156W(Tc) 1.4ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF
INFINEON

482 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64540972

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 10V 100A(Tc) 6560pF @ 25 V 156W(Tc) 1.25ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 127 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7084TRPBF

IRFH7084TRPBF
INFINEON

18,000 21+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404551

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 10V 100A(Tc) 6560pF @ 25 V 156W(Tc) 1.25ミリオーム @ 100A、10V 3.9V @ 150µA 127 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF
INFINEON

18,460 19+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361789

Infineon Technologies StrongIRFET? Nチャンネル 60V 6V、10V 100A(Tc) 6460pF @ 25 V 156W(Tc) 3.2ミリオーム @ 75A、10V 3.7V @ 150µA 110 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF
INFINEON

100 1819+1531+  

預計 16個工作天

核友型号:st60772899

Infineon Technologies StrongIRFET? Nチャンネル 60V 6V、10V 100A(Tc) 6460pF @ 25 V 156W(Tc) 3.2ミリオーム @ 75A、10V 3.7V @ 150µA 110 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

3,990  

預計 11個工作天

核友型号:st67960187

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

16,000 20+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361790

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

217 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280066

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

80,836 21+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404556

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-2
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IRFH7440TRPBF
INFINEON

48,000 2102+  

預計 8個工作天

核友型号:st71928506

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-2
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IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

RoHS
20,000 21+   MOQ : 20,000
SPQ : 1

預計 8個工作天

核友型号:st62600962

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFH7440TRPBF

IRFH7440TRPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型号:st50102808

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 4574pF @ 25 V 104W(Tc) 2.4ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA 92 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) 標準 -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
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IRFH7446TRPBF
INFINEON

16,000 21+  

預計 8個工作天

核友型号:st71928997

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 3174pF @ 25 V 78W(Tc) 3.3ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
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IRFH7446TRPBF

IRFH7446TRPBF
INFINEON

100 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280067

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 3174pF @ 25 V 78W(Tc) 3.3ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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IRFH7446TRPBF

IRFH7446TRPBF
INFINEON

40,000 21+  

預計 11個工作天

核友型号:st70577572

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 40V 6V、10V 85A(Tc) 3174pF @ 25 V 78W(Tc) 3.3ミリオーム @ 50A、10V 3.9V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-2
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IRFH7911TRPBF
INFINEON

RoHS
608 2022  

預計 24個工作天

核友型号:st64373546

質量保證
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IRFH7914TRPBF
INFINEON

150 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280069

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 15A(TA)、35A(Tc) 1160pF @ 15 V 3.1W(Ta) 8.7ミリオーム @ 14A、10V 2.35V @ 25µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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IRFH7932TRPBF
INFINEON

4,000 17+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361791

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 24A(TA)、104A(Tc) 4270pF @ 15 V 3.4W(Ta) 3.3ミリオーム @ 25A、10V 2.35V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFH7932TRPBF
INFINEON

4,000 21+  

預計 8個工作天

核友型号:st71929776

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 24A(TA)、104A(Tc) 4270pF @ 15 V 3.4W(Ta) 3.3ミリオーム @ 25A、10V 2.35V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)シングルダイ
質量保證
B-1
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海外位置

IRFH8201TRPBF
INFINEON

4,000 19+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404559

Infineon Technologies HEXFETR, StrongIRFET? Nチャンネル 25V 4.5V、10V 49A(TA)、100A(Tc) 7330pF @ 13 V 3.6W(Ta)、156W(Tc) 0.95ミリオーム @ 50A、10V 2.35V @ 150µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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IRFH8318TRPBF
INFINEON

3,250 1447+  

預計 11個工作天

核友型号:st70577573

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFH8318TRPBF
INFINEON

40,000 21+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404560

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-2
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IRFH8318TRPBF
INFINEON

11,000 20+  

預計 8個工作天

核友型号:st71930600

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFH8318TRPBF
INFINEON

RoHS
3,840  

預計 91個工作天

核友型号:st68903972

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFH8318TRPBF
INFINEON

9,000  

預計 11個工作天

核友型号:st50102809

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 27A(TA)、120A(Tc) 3180pF @ 10 V 3.6W(Ta)、59W(Tc) 3.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订
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IRFH8324TRPBF
INFINEON

4,000 21+  

預計 16個工作天

核友型号:st50161660

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 23A(TA)、90A(Tc) 2380pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFH8324TRPBF
INFINEON

52,000 1927+  

預計 11個工作天

核友型号:st63405298

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 23A(TA)、90A(Tc) 2380pF @ 10 V 3.6W(Ta)、54W(Tc) 4.1ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA 31 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFH8330TRPBF
INFINEON

12,000 22+  

預計 11個工作天

核友型号:st62702170

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 17A(TA)、56A(Tc) 1450pF @ 25 V 3.3W(Ta)、35W(Tc) 6.6ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 20 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
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IRFH8334TRPBF
INFINEON

472 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280071

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(TA)、44A(Tc) 1180pF @ 10 V 3.2W(Ta)、30W(Tc) 9ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 15 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-2
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IRFH8334TRPBF
INFINEON

20,000 19+  

預計 8個工作天

核友型号:st71931898

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 14A(TA)、44A(Tc) 1180pF @ 10 V 3.2W(Ta)、30W(Tc) 9ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 25µA 15 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFH9310TRPBF
INFINEON

12,000 23+  

預計 8個工作天

核友型号:st71925208

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFH9310TRPBF
INFINEON

3,944 1903+  

預計 16個工作天

核友型号:st49404562

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFH9310TRPBF
INFINEON

106 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280072

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFH9310TRPBF
INFINEON

RoHS
20,000 22+   MOQ : 20,000
SPQ : 1

預計 8個工作天

核友型号:st62600963

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 5250pF @ 15 V 3.1W(Ta) 4.6ミリオーム @ 21A、10V 2.4V @ 100µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 PQFN(5x6)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFHM3911TRPBF
INFINEON

130 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st62787382

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 3.2A(TA)、20A(Tc) 760pF @ 50 V 2.8W(Ta)、29W(Tc) 115リオーム @ 6.3A、10V 4V @ 35µA 17 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3x3)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFHM792TRPBF
INFINEON

171 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280073

Infineon Technologies HEXFETR 100V 2.3A 251pF @ 25V 2.3W 195ミリオーム @ 2.9A、10V 4V @ 10μA 6.3nC @ 10V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN(3.3x3.3)、Power33
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFHM830TRPBF
INFINEON

12,000 16+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361792

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFHM830TRPBF
INFINEON

53,808 21+  

預計 8個工作天

核友型号:st71930011

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 30V 4.5V、10V 21A(TA)、40A(Tc) 2155pF @ 25 V 2.7W(Ta)、37W(Tc) 3.8ミリオーム @ 20A、10V 2.35V @ 50µA ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-PQFN-Dual(3.3x3.3)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFHM831TRPBF
INFINEON

3,780 17+  

預計 11個工作天

核友型号:st71361793

質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFHM8330TRPBF
INFINEON

100 21+  

預計 12個工作天

核友型号:st64280074

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