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ประเภทสต็อก
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ซัพพลายเออร์ ที่ตั้งสต็อกสินค้า รูปภาพ หมายเลขชิ้นส่วน  / ผู้ผลิต / More information จำนวน เดทโค้ด /
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ราคาต่อหน่วย ขั้นต่ำ / หลายรายการ ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า รุ่น ECAD คำอธิบาย /
หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ
メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ 技術 FET機能
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SI2365EDS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 5.9A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2365EDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 5.9A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 32ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 36 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2365EDS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 5.9A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2365EDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 5.9A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 32ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 36 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2366DS-T1-BE3

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Nチャンネル 30 V 4.5A(Ta)、5.8A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2366DS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 4.5A(Ta)、5.8A(Tc) 335 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 36ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2366DS-T1-BE3

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Nチャンネル 30 V 4.5A(Ta)、5.8A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2366DS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 4.5V、10V 4.5A(Ta)、5.8A(Tc) 335 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 36ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2366DS-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2366DS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 5.8A(Tc) 335 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 36ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2366DS-T1-GE3

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Nチャンネル 30 V 5.8A(Tc) 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2366DS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 30 V 10V 5.8A(Tc) 335 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.1W(Tc) 36ミリオーム @ 4.5A、10V 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2367DS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 20 V 2.8A(Ta)、3.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2367DS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 2.8A(Ta)、3.8A(Tc) 561 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 66ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1V @ 250µA 23 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2367DS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 20 V 2.8A(Ta)、3.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2367DS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 2.8A(Ta)、3.8A(Tc) 561 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 66ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1V @ 250µA 23 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2367DS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 3.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2367DS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 3.8A(Tc) 561 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 66ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1V @ 250µA 23 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2367DS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 3.8A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2367DS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 3.8A(Tc) 561 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 66ミリオーム @ 2.5A、4.5V 1V @ 250µA 23 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369BDS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 5.6A(Ta)、7.5A(Tc) 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2369BDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 5.6A(Ta)、7.5A(Tc) 745 pF @ 15 V 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 27ミリオーム @ 5A、10V 2.2V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369BDS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 5.6A(Ta)、7.5A(Tc) 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2369BDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 5.6A(Ta)、7.5A(Tc) 745 pF @ 15 V 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 27ミリオーム @ 5A、10V 2.2V @ 250µA 19.5 nC @ 10 V +16V、-20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369DS-T1-BE3

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Pチャンネル 30 V 5.4A(Ta)、7.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2369DS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 5.4A(Ta)、7.6A(Tc) 1295 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 29ミリオーム @ 5.4A、10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369DS-T1-BE3

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Pチャンネル 30 V 5.4A(Ta)、7.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2369DS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 5.4A(Ta)、7.6A(Tc) 1295 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 29ミリオーム @ 5.4A、10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369DS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 7.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2369DS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.6A(Tc) 1295 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 29ミリオーム @ 5.4A、10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2369DS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 7.6A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2369DS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 4.5V、10V 7.6A(Tc) 1295 pF @ 15 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 29ミリオーム @ 5.4A、10V 2.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2371EDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 3.7A(Ta)、4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2371EDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 2.5V、10V 3.7A(Ta)、4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 45ミリオーム @ 3.7A、10V 1.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2371EDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 30 V 3.7A(Ta)、4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2371EDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 2.5V、10V 3.7A(Ta)、4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 45ミリオーム @ 3.7A、10V 1.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2371EDS-T1-GE3

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Pチャンネル 30 V 4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2371EDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 30 V 2.5V、10V 4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 45ミリオーム @ 3.7A、10V 1.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23 MOSFET(金属酸化物) -
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SI2371EDS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 30 V 4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2371EDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 30 V 2.5V、10V 4.8A(Tc) 1W(Ta)、1.7W(Tc) 45ミリオーム @ 3.7A、10V 1.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23 MOSFET(金属酸化物) -
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SI2374DS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 20 V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2374DS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 735 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 30ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2374DS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 20 V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2374DS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 735 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 30ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2374DS-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2374DS-T1-GE3CT-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 735 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 30ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2374DS-T1-GE3

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Nチャンネル 20 V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2374DS-T1-GE3TR-ND@0

Nチャンネル 20 V 1.8V、4.5V 4.5A(Ta)、5.9A(Tc) 735 pF @ 10 V 960mW(Ta)、1.7W(Tc) 30ミリオーム @ 4A、4.5V 1V @ 250µA 20 nC @ 10 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2377EDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 20 V 3.7A(Ta)、4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2377EDS-T1-BE3CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 3.7A(Ta)、4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 61ミリオーム @ 3.2A、4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2377EDS-T1-BE3

   

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Pチャンネル 20 V 3.7A(Ta)、4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2377EDS-T1-BE3TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 3.7A(Ta)、4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 61ミリオーム @ 3.2A、4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2377EDS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2377EDS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 61ミリオーム @ 3.2A、4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2377EDS-T1-GE3

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Pチャンネル 20 V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-SI2377EDS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 20 V 1.5V、4.5V 4.4A(Tc) 1.25W(Ta)、1.8W(Tc) 61ミリオーム @ 3.2A、4.5V 1V @ 250µA 21 nC @ 8 V ±8V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2387DS-T1-GE3

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Pチャンネル 80 V 2.1A(Ta)、3A(Tc) 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2387DS-T1-GE3TR-ND@0

Pチャンネル 80 V 4.5V、10V 2.1A(Ta)、3A(Tc) 395 pF @ 40 V 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 164ミリオーム @ 2.1A、10V 2.5V @ 250µA 10.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2387DS-T1-GE3

RoHS
   

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Pチャンネル 80 V 2.1A(Ta)、3A(Tc) 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2387DS-T1-GE3CT-ND@0

Pチャンネル 80 V 4.5V、10V 2.1A(Ta)、3A(Tc) 395 pF @ 40 V 1.3W(Ta)、2.5W(Tc) 164ミリオーム @ 2.1A、10V 2.5V @ 250µA 10.2 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2392-TP

   

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Nチャンネル 100 V 3A(Ta) 1.2W 面実装 SOT-23
CoreStaff Part Number:zp2216-353-SI2392-TP-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 3A(Ta) 206 pF @ 50 V 1.2W 140ミリオーム @ 3A、10V 3V @ 250µA 4.3 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23 MOSFET(金属酸化物) -
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SI2392ADS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 100 V 2.2A(Ta)、3.1A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2392ADS-T1-BE3CT-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 2.2A(Ta)、3.1A(Tc) 196 pF @ 50 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 126ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -
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SI2392ADS-T1-BE3

   

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Nチャンネル 100 V 2.2A(Ta)、3.1A(Tc) 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 面実装 SOT-23-3(TO-236)
CoreStaff Part Number:zp2216-742-SI2392ADS-T1-BE3TR-ND@0

Nチャンネル 100 V 4.5V、10V 2.2A(Ta)、3.1A(Tc) 196 pF @ 50 V 1.25W(Ta)、2.5W(Tc) 126ミリオーム @ 2A、10V 3V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) MOSFET(金属酸化物) -

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