FETs

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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
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DMN2990UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 250mA(Ta) 320mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

55.2 pF @ 16 V
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DMN2990UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 250mA(Ta) 320mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

55.2 pF @ 16 V
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DMN2991UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

20V 450mA(Ta) 21.5pF @ 16V 310mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMN2991UDA-7B

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 450mA(Ta) 310mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-6

20V 450mA(Ta) 21.5pF @ 16V 310mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN0806-6
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DMN2991UDJ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 520mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 520mA(Ta) 21.5pF @ 15V 400mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN2991UDJ-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 520mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 520mA(Ta) 21.5pF @ 15V 400mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN2991UDJ-7A

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 520mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 520mA(Ta) 21.5pF @ 15V 400mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN2991UDJ-7A

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 520mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 SOT-963

20V 520mA(Ta) 21.5pF @ 15V 400mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.35nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) - -55°C~150°C(TJ) 面実装 SOT-963
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DMN2991UDR4-7

RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta) 14.6pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.28nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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DMN2991UDR4-7

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta) 14.6pF @ 16V 380mW(Ta) 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 0.28nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta) 380mW 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta) 14.6pF @ 16V 380mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 280pC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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RoHS
   

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MOSFET - アレイ 20V 500mA(Ta) 380mW 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)

20V 500mA(Ta) 14.6pF @ 16V 380mW 990ミリオーム @ 100mA、4.5V 1V @ 250µA 280pC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2 Nチャネル 論理レベルゲート -55°C~150°C(TJ) 面実装 X2-DFN1010-6(タイプUXC)
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DMN2991UFA-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 520mA(Ta) 420mW(Ta) 面実装 X2-DFN0806-3

14.6 pF @ 16 V
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DMN2991UFB4-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 500mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

14.6 pF @ 16 V
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DMN2991UFB4Q-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 500mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

AEC-Q101
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DMN2991UFO-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 540mA(Ta) 440mW(Ta) 面実装 X2-DFN0604-3

21.5 pF @ 15 V
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DMN2991UFO-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 540mA(Ta) 440mW(Ta) 面実装 X2-DFN0604-3

21.5 pF @ 15 V
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DMN2991UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 550mA(Ta) 530mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

21.5 pF @ 16 V
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DMN2991UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 550mA(Ta) 530mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

21.5 pF @ 16 V
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DMN2991UFZQ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 550mA(Ta) 450mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

AEC-Q101
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DMN2991UT-13

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

21.5 pF @ 15 V
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DMN2991UT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

21.5 pF @ 15 V
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DMN2991UT-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

21.5 pF @ 15 V
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DMN2991UTQ-13

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

AEC-Q101
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DMN2991UTQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

AEC-Q101
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DMN2991UTQ-7

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 300mA(Ta) 280mW(Ta) 面実装 SOT-523

AEC-Q101
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DMN2992UFB4-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 830mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

15.6 pF @ 16 V
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DMN2992UFB4-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 830mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

15.6 pF @ 16 V
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DMN2992UFB4Q-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 830mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

AEC-Q101
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DMN2992UFB4Q-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 830mA(Ta) 380mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

AEC-Q101
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DMN2992UFZ-7B

RoHS
   

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Nチャンネル 20 V 530mA(Ta) 420mW(Ta) 面実装 X2-DFN0606-3

15.6 pF @ 16 V
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DMN29M9UFDF-13

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Nチャンネル 20 V 11A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

655 pF @ 8 V
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DMN29M9UFDF-7

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Nチャンネル 20 V 11A(Ta) 1.2W(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプF)

655 pF @ 8 V
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MOSFET - アレイ 30V 13A(Ta) 800mW(Ta) 面実装 X4-DSN3519-6

30V 13A(Ta) 2235pF @ 15V 800mW(Ta) 5.5ミリオーム @ 5A、10V 2.2V @ 1mA 17.7nC @ 4.5V MOSFET(金属酸化物) 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン - -55°C~150°C(TJ) 面実装 X4-DSN3519-6
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DMN3007LSSQ-13

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2.5W 面実装 8-SOIC

2714 pF @ 15 V
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DMN3007LSSQ-13

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Nチャンネル 30 V 16A(Ta) 2.5W 面実装 8-SOIC

2714 pF @ 15 V
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Nチャンネル 30 V 14.6A(Ta) 2.7W(Ta)

1476 pF @ 15 V

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