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質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7446PBF INFINEON	2,400	23+		预计 12个工作日	核友型號：st49316199	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	6V、10V	120A(Tc)	3183pF @ 25 V	99W（Tc）	3.3ミリオーム @ 70A、10V	3.9V @ 100µA	62 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7446PBF INFINEON	20			预计 11个工作日	核友型號：st67960181	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	6V、10V	120A(Tc)	3183pF @ 25 V	99W（Tc）	3.3ミリオーム @ 70A、10V	3.9V @ 100µA	62 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7446PBF INFINEON	8			预计 91个工作日	核友型號：st68903931	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	6V、10V	120A(Tc)	3183pF @ 25 V	99W（Tc）	3.3ミリオーム @ 70A、10V	3.9V @ 100µA	62 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證	來自供應商的訂	IRFB7446PBF INFINEON	45,000	21+		预计 16个工作日	核友型號：st60358679	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	40V	6V、10V	120A(Tc)	3183pF @ 25 V	99W（Tc）	3.3ミリオーム @ 70A、10V	3.9V @ 100µA	62 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7530PBF INFINEON	271	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280057	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	195A(Tc)	13703pF @ 25 V	375W（Tc）	2ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	274 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7530PBF INFINEON	4,125	20+		预计 16个工作日	核友型號：st49404523	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	195A(Tc)	13703pF @ 25 V	375W（Tc）	2ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	274 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7530PBF INFINEON	220			预计 11个工作日	核友型號：st67960182	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	195A(Tc)	13703pF @ 25 V	375W（Tc）	2ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	274 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7534PBF INFINEON	88			预计 11个工作日	核友型號：st67960183	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	195A(Tc)	10034pF @ 25 V	294W（Tc）	2.4ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	186 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFB7534PBF INFINEON	20,000	21+	MOQ : 20,000 SPQ : 1	预计 8个工作日	核友型號：st62600960	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	195A(Tc)	10034pF @ 25 V	294W（Tc）	2.4ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	186 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7537PBF INFINEON	30,000	21+		预计 16个工作日	核友型號：st49404525	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	173A(Tc)	7020pF @ 25 V	230W（Tc）	3.3ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 150µA	142 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFB7537PBF INFINEON	30,000	21+	MOQ : 30,000 SPQ : 1	预计 8个工作日	核友型號：st62600961	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	173A(Tc)	7020pF @ 25 V	230W（Tc）	3.3ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 150µA	142 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7537PBF INFINEON	10,000	2123+		预计 8个工作日	核友型號：st70586560	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	173A(Tc)	7020pF @ 25 V	230W（Tc）	3.3ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 150µA	142 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFB7540PBF INFINEON	13,000	21+		预计 8个工作日	核友型號：st71928828	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	110A(Tc)	4555pF @ 25 V	160W（Tc）	5.1リオーム @ 65A、10V	3.7V @ 100µA	88 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7540PBF INFINEON	500	2102		预计 7个工作日	核友型號：st69828632	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	110A(Tc)	4555pF @ 25 V	160W（Tc）	5.1リオーム @ 65A、10V	3.7V @ 100µA	88 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7545PBF INFINEON	182	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280058	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	95A(Tc)	4010pF @ 25 V	125W（Tc）	5.9リオーム @ 57A、10V	3.7V @ 100µA	75 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7545PBF INFINEON	590	19+		预计 16个工作日	核友型號：st49404526	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	95A(Tc)	4010pF @ 25 V	125W（Tc）	5.9リオーム @ 57A、10V	3.7V @ 100µA	75 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7546PBF INFINEON	1,000	2021+		预计 16个工作日	核友型號：st49404527	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	60V	6V、10V	75A(Tc)	3000pF @ 25 V	99W（Tc）	7.3リオーム @ 45A、10V	3.7V @ 100µA	58 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7730PBF INFINEON	4,000	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64540970	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	75V	6V、10V	195A(Tc)	13660pF @ 25 V	375W（Tc）	2.6ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	271 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7730PBF INFINEON	3			预计 11个工作日	核友型號：st67960184	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	75V	6V、10V	195A(Tc)	13660pF @ 25 V	375W（Tc）	2.6ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	271 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFB7734PBF INFINEON	50			预计 11个工作日	核友型號：st67960185	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	75V	6V、10V	183A(Tc)	10150pF @ 25 V	290W（Tc）	3.5ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFB7734PBF INFINEON	13,850	21+		预计 16个工作日	核友型號：st49404528	Infineon Technologies	HEXFETR, StrongIRFET?	Nチャンネル	75V	6V、10V	183A(Tc)	10150pF @ 25 V	290W（Tc）	3.5ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFB7740PBF INFINEON	3,000	22+		预计 8个工作日	核友型號：st71927680	Infineon Technologies	StrongIRFET?	Nチャンネル	75V	6V、10V	87A(Tc)	4650pF @ 25 V	143W（Tc）	7.3ミリオーム @ 52A、10V	3.7V @ 100µA	81 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	TO-220AB
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFD120 INTERNATIONAL RECTIFIER	180			预计 10个工作日	核友型號：st72151638	Infineon Technologies		Nチャンネル	100V	10V	1.3A(TA)	360pF @ 25 V	1.3W（Ta）	270ミリオーム @ 780mA、10V	4V @ 250µA	16 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	4-HVMDIP
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFD120 INTERNATIONAL RECTIFIER	100	1998		预计 7个工作日	核友型號：st66725171	Infineon Technologies		Nチャンネル	100V	10V	1.3A(TA)	360pF @ 25 V	1.3W（Ta）	270ミリオーム @ 780mA、10V	4V @ 250µA	16 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	4-HVMDIP
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFD120 INTERNATIONAL RECTIFIER	706	95		预计 11个工作日	核友型號：st65385205	Infineon Technologies		Nチャンネル	100V	10V	1.3A(TA)	360pF @ 25 V	1.3W（Ta）	270ミリオーム @ 780mA、10V	4V @ 250µA	16 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	4-HVMDIP
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFD120 INTERNATIONAL RECTIFIER	212			预计 5个工作日	核友型號：st72204594	Infineon Technologies		Nチャンネル	100V	10V	1.3A(TA)	360pF @ 25 V	1.3W（Ta）	270ミリオーム @ 780mA、10V	4V @ 250µA	16 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～175°C（TJ）			スルーホール	4-HVMDIP
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH3707TRPBF INFINEON	2,365	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280061	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	30V	4.5V、10V	12A(TA)、29A(Tc)	755pF @ 15 V	2.8W（Ta）	12.4ミリオーム @ 12A、10V	2.35V @ 25µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（3x3）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH4253DTRPBF INFINEON	10,930	20+		预计 11个工作日	核友型號：st71361785	Infineon Technologies	HEXFETR	25V	64A、145A	1314pF @ 13V	31W、50W	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35μA	15nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH4253DTRPBF INFINEON	497	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64540971	Infineon Technologies	HEXFETR	25V	64A、145A	1314pF @ 13V	31W、50W	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35μA	15nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH4253DTRPBF INFINEON	4,000	2020+		预计 16个工作日	核友型號：st49404538	Infineon Technologies	HEXFETR	25V	64A、145A	1314pF @ 13V	31W、50W	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35μA	15nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH4253DTRPBF INFINEON	12,000	20+		预计 8个工作日	核友型號：st71930631	Infineon Technologies	HEXFETR	25V	64A、145A	1314pF @ 13V	31W、50W	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35μA	15nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH4255DTRPBF INFINEON	134	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280062	Infineon Technologies	HEXFETR	25V	64A、105A	1314pF @ 13V	31W、38W	3.2ミリオーム @ 30A、10V	2.1V @ 35μA	15nC @ 4.5V	MOSFET（金属酸化物）	2 Nチャンネル（デュアル）	論理レベルゲート	-55°C～150°C(TJ)			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5006TRPBF INFINEON	9,000			预计 11个工作日	核友型號：st50102805	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	60V	10V	21A(TA)、100A(Tc)	4175pF @ 30 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	4.1ミリオーム @ 50A、10V	4V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5015TRPBF INFINEON	16,000	21+		预计 16个工作日	核友型號：st49404539	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	10A(TA)、56A(Tc)	2300pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	31ミリオーム @ 34A、10V	5V @ 150µA	33 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH5015TRPBF INFINEON	200	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280063	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	10A(TA)、56A(Tc)	2300pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	31ミリオーム @ 34A、10V	5V @ 150µA	33 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH5015TRPBF INFINEON	1,264	21+		预计 8个工作日	核友型號：st71928817	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	10A(TA)、56A(Tc)	2300pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	31ミリオーム @ 34A、10V	5V @ 150µA	33 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH5015TRPBF INFINEON	77			预计 11个工作日	核友型號：st67960186	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	10A(TA)、56A(Tc)	2300pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	31ミリオーム @ 34A、10V	5V @ 150µA	33 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5015TRPBF INFINEON	9,000			预计 11个工作日	核友型號：st50102806	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	10A(TA)、56A(Tc)	2300pF @ 50 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	31ミリオーム @ 34A、10V	5V @ 150µA	33 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）	標準	-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH5020TRPBF INFINEON	1,000	18+		预计 11个工作日	核友型號：st71361786	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	200V	10V	5.1A(TA)	2290pF @ 100 V	3.6W（Ta）、8.3W（Tc）	55ミリオーム @ 7.5A、10V	5V @ 150µA	36 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH5020TRPBF INFINEON	1,042	21+		预计 8个工作日	核友型號：st71928728	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	200V	10V	5.1A(TA)	2290pF @ 100 V	3.6W（Ta）、8.3W（Tc）	55ミリオーム @ 7.5A、10V	5V @ 150µA	36 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5025TRPBF INFINEON	3,000	1929+		预计 16个工作日	核友型號：st49404541	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	250V	10V	3.8A(TA)	2150pF @ 50 V	3.6W（Ta）、8.3W（Tc）	100ミリオーム @ 5.7A、10V	5V @ 150µA	37 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5053TRPBF INFINEON	4,000	19+		预计 16个工作日	核友型號：st49404542	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	10V	9.3A(TA)、46A(Tc)	1510pF @ 50 V	3.1W（Ta）、8.3W（Tc）	18ミリオーム @ 9.3A、10V	4.9V @ 100µA	24 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（5x6）シングルダイ
質量保證	來自供應商的訂	IRFH5110TRPBF INFINEON	18,600	21+		预计 16个工作日	核友型號：st60358714	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	10V	11A(TA)、63A(Tc)	3152pF @ 25 V	3.6W（Ta）、114W（Tc）	12.4ミリオーム @ 37A、10V	4V @ 100µA	54 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5110TRPBF INFINEON	6,000	21+		预计 12个工作日	核友型號：st48988470	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	100V	10V	11A(TA)、63A(Tc)	3152pF @ 25 V	3.6W（Ta）、114W（Tc）	12.4ミリオーム @ 37A、10V	4V @ 100µA	54 nC	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH5210TRPBF INFINEON	4,000	22+		预计 11个工作日	核友型號：st71361787
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH5210TRPBF INFINEON	4,000	20+		预计 8个工作日	核友型號：st71931241
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH5215TRPBF INFINEON	4,000	21+		预计 8个工作日	核友型號：st71929773	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	150V	10V	5A(TA)、27A(Tc)	1350pF @ 50 V	3.6W（Ta）、104W（Tc）	58ミリオーム @ 16A、10V	5V @ 100µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂	IRFH5250DTRPBF INFINEON	100	21+		预计 12个工作日	核友型號：st64280065	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	25V	4.5V、10V	40A(TA)、100A(Tc)	6115pF @ 13 V	3.6W（Ta）、156W（Tc）	1.4ミリオーム @ 50A、10V	2.35V @ 150µA		±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-2	來自供應商的訂	IRFH5250TRPBF INFINEON	12,000	23+		预计 8个工作日	核友型號：st71925207	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	25V	4.5V、10V	45A(TA)、100A(Tc)	7174pF @ 13 V	3.6W（Ta）、160W（Tc）	1.15ミリオーム @ 50A、10V	2.35V @ 150µA	110 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）
質量保證 B-1	來自供應商的訂海外位置	IRFH5250TRPBF INFINEON	6,000	21+		预计 16个工作日	核友型號：st49404543	Infineon Technologies	HEXFETR	Nチャンネル	25V	4.5V、10V	45A(TA)、100A(Tc)	7174pF @ 13 V	3.6W（Ta）、160W（Tc）	1.15ミリオーム @ 50A、10V	2.35V @ 150µA	110 nC@10V	±20V	MOSFET（金属酸化物）		-55°C～150°C（TJ）			面実装	8-PQFN（5x6）