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ประเภทสต็อก อันดับซัพพลายเออร์	ที่ตั้งสต็อกสินค้า	หมายเลขชิ้นส่วน / ผู้ผลิต / More information	จำนวน	เดทโค้ด / Date Code	ขั้นต่ำ / หลายรายการ	ระยะเวลาดำเนินการจัดส่งสินค้า	คำอธิบาย / หมายเลขการจัดการของคอร์สตาฟ	メーカー名	シリーズ	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	電力散逸（最大）	Id、Vgs印加時のRds On（最大）	Id印加時のVgs（th）（最大）	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	Vgs（最大）	使用温度範囲	取り付けタイプ	デバイスパッケージ
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4115TRL7PP INFINEON	4			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141539	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	105A(Tc)	5320 pF @ 50 V	380W（Tc）	11.8ミリオーム @ 63A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4115TRL7PP INFINEON	19,200	18+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361813	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	105A(Tc)	5320 pF @ 50 V	380W（Tc）	11.8ミリオーム @ 63A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRFS4115TRLPBF INFINEON	8,111	25+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404681	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	195A(Tc)	5270 pF @ 50 V	375W（Tc）	12.1ミリオーム @ 62A、10V	5V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4115TRLPBF INFINEON	3,200	22+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76465751	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	195A(Tc)	5270 pF @ 50 V	375W（Tc）	12.1ミリオーム @ 62A、10V	5V @ 250µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4127TRLPBF INFINEON	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141540	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	72A(Tc)	5380 pF @ 50 V	375W（Tc）	22ミリオーム @ 44A、10V	5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4127TRLPBF INFINEON	4,195	23+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078909	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	72A(Tc)	5380 pF @ 50 V	375W（Tc）	22ミリオーム @ 44A、10V	5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4127TRLPBF INFINEON	8,000	16+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76386632	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	72A(Tc)	5380 pF @ 50 V	375W（Tc）	22ミリオーム @ 44A、10V	5V @ 250µA	150 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4227TRLPBF INFINEON	1			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141541	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	62A(Tc)	4600 pF @ 25 V	330W（Tc）	26ミリオーム @ 46A、10V	5V @ 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	-40°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4227TRLPBF INFINEON	8,830	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361814	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	62A(Tc)	4600 pF @ 25 V	330W（Tc）	26ミリオーム @ 46A、10V	5V @ 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	-40°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4227TRLPBF INFINEON	13,980	22+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76473181	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	62A(Tc)	4600 pF @ 25 V	330W（Tc）	26ミリオーム @ 46A、10V	5V @ 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	-40°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4229TRLPBF INFINEON	3,131	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76455014	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	250V	10V	45A(Tc)	4560 pF @ 25 V	330W（Tc）	48ミリオーム @ 26A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	-40°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-3
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4310TRLPBF INFINEON	3			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141542	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	130A(Tc)	7670 pF @ 50 V	300W（Tc）	7ミリオーム @ 75A、10V	4V @ 250µA	250 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4310ZTRLPBF INFINEON	20			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141543	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	120A(Tc)	6860 pF @ 50 V	250W（Tc）	6ミリオーム @ 75A、10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4310ZTRLPBF INFINEON	800	22/23+	MOQ : 800 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76452054	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	120A(Tc)	6860 pF @ 50 V	250W（Tc）	6ミリオーム @ 75A、10V	4V @ 150µA	170 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4321TRLPBF INFINEON	3			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141544	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	85A(Tc)	4460 pF @ 25 V	350W（Tc）	15ミリオーム @ 33A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4321TRLPBF INFINEON	8,000	22+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76469480	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	85A(Tc)	4460 pF @ 25 V	350W（Tc）	15ミリオーム @ 33A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRFS4321TRLPBF INFINEON	2,000	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404686	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	85A(Tc)	4460 pF @ 25 V	350W（Tc）	15ミリオーム @ 33A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	1,600	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681763	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	85A(Tc)	4460 pF @ 25 V	350W（Tc）	15ミリオーム @ 33A、10V	5V @ 250µA	110 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed	Supplier Stock	IRFS4410ZTRLPBF INFINEON	4,800	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st60358918	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	97A(Tc)	4820 pF @ 50 V	230W（Tc）	9ミリオーム @ 58A、10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-3
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4410ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES	4,800	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681764	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	97A(Tc)	4820 pF @ 50 V	230W（Tc）	9ミリオーム @ 58A、10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-3
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4410ZTRLPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141545	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	97A(Tc)	4820 pF @ 50 V	230W（Tc）	9ミリオーム @ 58A、10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-3
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4410ZTRLPBF INFINEON	10,400	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75022533	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	97A(Tc)	4820 pF @ 50 V	230W（Tc）	9ミリオーム @ 58A、10V	4V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-3
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4510 INFINEON	95			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141546	Infineon Technologies	Trench Mosfet	Nチャンネル		100V		61A				4V				面実装	TO-263(D2PAK)
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4610TRLPBF INFINEON	22			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141547	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	73A(Tc)	3550 pF @ 50 V	190W（Tc）	14ミリオーム @ 44A、10V	4V @ 100µA	140 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4610TRLPBF INFINEON	2,511	24+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st63691477	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	100V	10V	73A(Tc)	3550 pF @ 50 V	190W（Tc）	14ミリオーム @ 44A、10V	4V @ 100µA	140 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS4615TRLPBF INFINEON	659			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141548	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	33A(Tc)	1750 pF @ 50 V	144W（Tc）	42ミリオーム @ 21A、10V	5V @ 100µA	40 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4615TRLPBF INFINEON	100	22+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76527646	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	33A(Tc)	1750 pF @ 50 V	144W（Tc）	42ミリオーム @ 21A、10V	5V @ 100µA	40 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS4620TRLPBF INFINEON	8,000	22+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76428735	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	200V	10V	24A(Tc)	1710 pF @ 50 V	144W（Tc）	77.5ミリオーム @ 15A、10V	5V @ 100µA	38 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS52N15DTRLP INFINEON	4			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141549	Infineon Technologies	HEXFET®	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	150V	10V	51A(Tc)	2770 pF @ 25 V	3.8W（Ta）、230W（Tc）	32ミリオーム @ 36A、10V	5V @ 250µA	89 nC @ 10 V	±30V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock Overseas Location	IRFS7430TRL7PP INFINEON	3,200	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st49404690	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	240A(Tc)	13975 pF @ 25 V	375W（Tc）	0.75リオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7430TRLPBF INFINEON	5			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141550	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	14240 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.2ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7430TRLPBF INFINEON	1,220	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078910	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	14240 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.2ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7430TRLPBF INFINEON	5,272	22/23+	MOQ : 250 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76520797	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	14240 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.2ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	460 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7434TRL7PP INFINEON	6,200	22+		Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76078911	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	240A(Tc)	10250 pF @ 25 V	245W（Tc）	1ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	315 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)	面実装	D2PAK-7
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7434TRL7PP INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141551	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	240A(Tc)	10250 pF @ 25 V	245W（Tc）	1ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	315 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)	面実装	D2PAK-7
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7434TRL7PP INFINEON	12,000	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361815	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	240A(Tc)	10250 pF @ 25 V	245W（Tc）	1ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	315 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)	面実装	D2PAK-7
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7434TRL7PP INFINEON	20,000	22/23+	MOQ : 1,000 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76387983	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	240A(Tc)	10250 pF @ 25 V	245W（Tc）	1ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	315 nC @ 10 V	±20V	-55°C～150°C(TJ)	面実装	D2PAK-7
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7434TRLPBF INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141552	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	10820 pF @ 25 V	294W（Tc）	1.6ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 250µA	324 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7437TRL7PP INFINEON	10			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141553	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	7437 pF @ 25 V	231W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7437TRL7PP INFINEON	8,000	21+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361816	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	7437 pF @ 25 V	231W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7437TRL7PP INFINEON	704	22/23+	MOQ : 100 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76522424	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	7437 pF @ 25 V	231W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7437TRLPBF INFINEON	90			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141554	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	7330 pF @ 25 V	230W（Tc）	1.8ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	TO-263AB
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7437TRLPBF INFINEON	3,974	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76476515	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	195A(Tc)	7330 pF @ 25 V	230W（Tc）	1.8ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 150µA	225 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	TO-263AB
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7440TRLPBF INFINEON	100			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141555	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	120A(Tc)	4730 pF @ 25 V	208W（Tc）	2.5ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 100µA	135 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	TO-263（D2PAK）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7440TRLPBF INFINEON	12,800	20+		Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st71361817	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	120A(Tc)	4730 pF @ 25 V	208W（Tc）	2.5ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 100µA	135 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	TO-263（D2PAK）
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7440TRLPBF INFINEON	2,563	22/23+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76495793	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	40V	6V、10V	120A(Tc)	4730 pF @ 25 V	208W（Tc）	2.5ミリオーム @ 100A、10V	3.9V @ 100µA	135 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	TO-263（D2PAK）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7530-7PPBF INFINEON	1			Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st75141556	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	6V、10V	240A(Tc)	12960 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	354 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK（7-Lead）
Quality Guaranteed B-1	Supplier Stock	IRFS7530PBF INFINEON	585	1842		Approx. 7 days	CoreStaff Part Number：st68904108	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	6V、10V	195A(Tc)	13703 pF @ 25 V	375W（Tc）	2ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	411 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	D2PAK
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES	800	N/A	MOQ : 800 SPQ : 800	Approx. 16 days	CoreStaff Part Number：st76681766	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	6V、10V	240A(Tc)	12960 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	354 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-7
Quality Guaranteed B-2	Supplier Stock	IRFS7530TRL7PP INFINEON	2,400	21+	MOQ : 500 SPQ : 1	Approx. 11 days	CoreStaff Part Number：st76474167	Infineon Technologies	HEXFET®, StrongIRFET™	Nチャンネル	MOSFET（金属酸化物）	60V	6V、10V	240A(Tc)	12960 pF @ 25 V	375W（Tc）	1.4ミリオーム @ 100A、10V	3.7V @ 250µA	354 nC @ 10 V	±20V	-55°C～175°C(TJ)	面実装	PG-TO263-7