|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
390
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141228
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
2.3 A
|
290pF @ 15V
|
2W
|
250ミリオーム @ 1A、10V
|
3V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
6,699
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 500
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75848625
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
25 V
|
3.5A、2.3A
|
330pF @ 15V
|
2W
|
100ミリオーム @ 1A、10V
|
3V @ 250μA
|
27nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
15
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141229
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
25 V
|
3.5A、2.3A
|
330pF @ 15V
|
2W
|
100ミリオーム @ 1A、10V
|
3V @ 250μA
|
27nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
海外情報
|
|
|
7,000
|
24+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st49404389
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
25 V
|
3.5A、2.3A
|
330pF @ 15V
|
2W
|
100ミリオーム @ 1A、10V
|
3V @ 250μA
|
27nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
20+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st71361763
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Nチャンネル
|
30V
|
4.5V、10V
|
7.3A(Tc)
|
550 pF @ 25 V
|
2.5W(Tc)
|
30ミリオーム @ 7.3A、10V
|
1V @ 250μA
|
28 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,050
|
00+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st65431493
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
20V
|
4.5V、10V
|
5.3A(TA)
|
860 pF @ 10 V
|
2.5W(Tc)
|
60ミリオーム @ 5.3A、10V
|
2.5V @ 250μA
|
25 nC @ 10 V
|
±12V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証
|
|
取り寄せ
|
|
|
12,000
|
22+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st60358467
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
30V
|
4.5V、10V
|
4.6A(TA)
|
870 pF @ 10 V
|
2.5W(Tc)
|
70ミリオーム @ 4.6A、10V
|
3V @ 250μA
|
40 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
990
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141230
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
30V
|
4.5V、10V
|
4.6A(TA)
|
870 pF @ 10 V
|
2.5W(Tc)
|
70ミリオーム @ 4.6A、10V
|
3V @ 250μA
|
40 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
7,364
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593019
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
40V
|
4.5V、10V
|
10.5A(TA)
|
9250 pF @ 25 V
|
2.5W(Ta)
|
15ミリオーム @ 10.5A、10V
|
3V @ 250μA
|
110 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
12,000
|
25+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st76078867
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
40V
|
4.5V、10V
|
10.5A(TA)
|
9250 pF @ 25 V
|
2.5W(Ta)
|
15ミリオーム @ 10.5A、10V
|
3V @ 250μA
|
110 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
630
|
21+
|
|
最低発注数量 : 630
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75851326
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
40V
|
4.5V、10V
|
6.2A(TA)
|
3220 pF @ 25 V
|
2.5W(Ta)
|
41ミリオーム @ 6.2A、10V
|
3V @ 250μA
|
80 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
12,440
|
22/25+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593020
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
40V
|
4.5V、10V
|
6.2A(TA)
|
3220 pF @ 25 V
|
2.5W(Ta)
|
41ミリオーム @ 6.2A、10V
|
3V @ 250μA
|
80 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
50
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141231
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
Pチャンネル
|
40V
|
4.5V、10V
|
6.2A(TA)
|
3220 pF @ 25 V
|
2.5W(Ta)
|
41ミリオーム @ 6.2A、10V
|
3V @ 250μA
|
80 nC @ 10 V
|
±20V
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
20+
|
|
最低発注数量 : 2,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593021
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4.9 A
|
520pF @ 25V
|
2W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
26
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141232
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4.9 A
|
520pF @ 25V
|
2W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
|
|
最低発注数量 : 4,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st72742472
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4.9 A
|
520pF @ 25V
|
2W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
12,870
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st73307673
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
4.3 A
|
610pF @ 15V
|
2W
|
90ミリオーム @ 2.2A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
22nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,484
|
22+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st76078868
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
3.6 A
|
440pF @ 25V
|
2W
|
100ミリオーム @ 1.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
51
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141233
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
3.6 A
|
440pF @ 25V
|
2W
|
100ミリオーム @ 1.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
3
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141234
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
5.2A、4.3A
|
660pF @ 15V
|
2W
|
50ミリオーム @ 2.6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
20nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
75
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141235
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4A、3A
|
520pF @ 15V
|
1.4W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,190
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141236
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4A、3A
|
520pF @ 15V
|
1.4W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
12,500
|
20+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st71361764
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4A、3A
|
520pF @ 15V
|
1.4W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証
|
|
取り寄せ
|
|
|
10,096
|
24+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st60358477
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4A、3A
|
520pF @ 15V
|
1.4W
|
50ミリオーム @ 2.4A、10V
|
1V @ 250μA
|
25nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
7,000
|
200310
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st69527298
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
13
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141237
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
6.6 A
|
900pF @ 15V
|
2W
|
29ミリオーム @ 6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
27nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
749
|
22+
|
|
最低発注数量 : 749
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593022
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
6.5 A
|
650pF @ 25V
|
2W
|
29ミリオーム @ 5.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
33nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
303
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141238
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
6.5 A
|
650pF @ 25V
|
2W
|
29ミリオーム @ 5.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
33nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
7,869
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 2,500
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593023
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
20+
|
|
最低発注数量 : 2,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593024
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
5.3 A
|
780pF @ 15V
|
2W
|
58ミリオーム @ 2.9A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
29nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
28
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141239
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
5.3 A
|
780pF @ 15V
|
2W
|
58ミリオーム @ 2.9A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
29nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593025
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4.9 A
|
710pF @ 25V
|
2W
|
58ミリオーム @ 4.9A、10V
|
1V @ 250μA
|
34nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,514
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141240
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
4.9 A
|
710pF @ 25V
|
2W
|
58ミリオーム @ 4.9A、10V
|
1V @ 250μA
|
34nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
100
|
18
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st65374295
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
6.6A、5.3A
|
900pF @ 15V
|
2W
|
29ミリオーム @ 6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
27nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,000
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593026
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
6.6A、5.3A
|
900pF @ 15V
|
2W
|
29ミリオーム @ 6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
27nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
93
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141241
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
6.6A、5.3A
|
900pF @ 15V
|
2W
|
29ミリオーム @ 6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
27nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
海外情報
|
|
|
9,824
|
22+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st49404396
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
6.6A、5.3A
|
900pF @ 15V
|
2W
|
29ミリオーム @ 6A、4.5V
|
700mV @ 250μA
|
27nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
25,948
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st73307674
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
-4.9A / 6.5A
|
650pF @ 25V
|
2W
|
29ミリオーム @ 5.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
33nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
1,000
|
25+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75026497
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
-4.9A / 6.5A
|
650pF @ 25V
|
2W
|
29ミリオーム @ 5.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
33nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
16
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141242
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
-4.9A / 6.5A
|
650pF @ 25V
|
2W
|
29ミリオーム @ 5.8A、10V
|
1V @ 250μA
|
33nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
NおよびPチャンネル
|
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
2,000
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593027
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
9 A
|
2940pF @ 15V
|
2W
|
18ミリオーム @ 9A、4.5V
|
1V @ 250μA
|
63nC @ 5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
海外情報
|
|
|
23,880
|
25+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st49404398
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
20 V
|
9 A
|
2940pF @ 15V
|
2W
|
18ミリオーム @ 9A、4.5V
|
1V @ 250μA
|
63nC @ 5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
|
|
最低発注数量 : 4,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st72742473
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
169
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141243
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
30 V
|
8 A
|
2675pF @ 25V
|
2W
|
21ミリオーム @ 8A、10V
|
2.5V @ 250μA
|
78nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
3,497
|
22+
|
|
最低発注数量 : 1,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593028
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
12 V
|
9.2 A
|
3450pF @ 10V
|
2W
|
17ミリオーム @ 9.2A、4.5V
|
900mV @ 250μA
|
57nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
海外情報
|
|
|
10,075
|
22+25+
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st49404400
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
12 V
|
9.2 A
|
3450pF @ 10V
|
2W
|
17ミリオーム @ 9.2A、4.5V
|
900mV @ 250μA
|
57nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
20
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141244
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
12 V
|
9.2 A
|
3450pF @ 10V
|
2W
|
17ミリオーム @ 9.2A、4.5V
|
900mV @ 250μA
|
57nC @ 4.5V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2Pチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
23,192
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 250
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75848627
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
55 V
|
5.1 A
|
780pF @ 25V
|
2.4W
|
50ミリオーム @ 5.1A、10V
|
1V @ 250μA(最小)
|
44nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~175°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-1
|
|
取り寄せ
|
|
|
289
|
|
|

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75141245
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
55 V
|
5.1 A
|
780pF @ 25V
|
2.4W
|
50ミリオーム @ 5.1A、10V
|
1V @ 250μA(最小)
|
44nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
|
-55°C~175°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|
|
|
品質保証 B-2
|
|
取り寄せ
|
|
|
4,000
|
22/23+
|
|
最低発注数量 : 2,000
以降発注単位 : 1

|
納期見積依頼
|
コアスタッフ型名:st75593029
|
電子CAD:Quadceptで利用可能
|
Infineon Technologies
|
HEXFETR
|
55 V
|
4.7 A
|
740pF @ 25V
|
2W
|
50ミリオーム @ 4.7A、10V
|
1V @ 250μA
|
36nC @ 10V
|
MOSFET(金属酸化物)
|
2 Nチャンネル(デュアル)
|
論理レベルゲート
|
-55°C~150°C(TJ)
|
|
|
面実装
|
8-SO
|