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Search Results:77256~  /   Part Number:  /   Stock Type:ALL  /   Quantity:0PCS~

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メーカー名 シリーズ FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ FET機能
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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF
INFINEON

3,000 1745+  

Approx. 4 days

CoreStaff Part Number:st74840145

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 2.7A(TA) 110 pF @ 15 V 1.3W(Ta) 100ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 25µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF
INFINEON

RoHS
6,000 22/23+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76339124

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 2.7A(TA) 110 pF @ 15 V 1.3W(Ta) 100ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 25µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
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IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF
INFINEON

19,051 24+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404784

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 2.7A(TA) 110 pF @ 15 V 1.3W(Ta) 100ミリオーム @ 2.7A、10V 2.3V @ 25µA 1 nC @ 4.5 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

252,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681783

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON

1,599  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141684

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON

12,000 21+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st71361847

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON

RoHS
60,000 22+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76330853

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON

530 2123  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904199

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2060TRPBF
INFINEON

64,000 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404785

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 4.5V、10V 1.2A(TA) 64 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 480ミリオーム @ 1.2A、10V 2.5V @ 25µA 0.67 nC @ 4.5 V ±16V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2244TRPBF

IRLML2244TRPBF
INFINEON

80  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141685

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.3A(TA) 570 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 54ミリオーム @ 4.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 6.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2244TRPBF

IRLML2244TRPBF
INFINEON

22,595 23+  

Approx. 16 days

End of Life CoreStaff Part Number:st49404786

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.3A(TA) 570 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 54ミリオーム @ 4.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 6.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2244TRPBF

IRLML2244TRPBF
INFINEON

RoHS
3,000 22/23+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76344250

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.3A(TA) 570 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 54ミリオーム @ 4.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 6.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2244TRPBF

IRLML2244TRPBF
INFINEON

2,400 2225  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904200

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.3A(TA) 570 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 54ミリオーム @ 4.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 6.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2246TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

132,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681784

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 2.6A(TA) 220 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 135ミリオーム @ 2.6A、4.5V 1.1V @ 10µA 2.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2246TRPBF

IRLML2246TRPBF
INFINEON

201  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141686

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 2.6A(TA) 220 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 135ミリオーム @ 2.6A、4.5V 1.1V @ 10µA 2.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2246TRPBF

IRLML2246TRPBF
INFINEON

1,558 21+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st61363139

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 2.6A(TA) 220 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 135ミリオーム @ 2.6A、4.5V 1.1V @ 10µA 2.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2402TRPBF

IRLML2402TRPBF
INFINEON

60,000 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st61363140

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.7V、4.5V 1.2A(TA) 110 pF @ 15 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 930mA、4.5V 700mV @ 250µA(最小) 3.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2402TRPBF

IRLML2402TRPBF
INFINEON

RoHS
610 22/23+   MOQ : 610
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76339125

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.7V、4.5V 1.2A(TA) 110 pF @ 15 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 930mA、4.5V 700mV @ 250µA(最小) 3.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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IRLML2402TRPBF

IRLML2402TRPBF
INFINEON

2,600 1924  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904203

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.7V、4.5V 1.2A(TA) 110 pF @ 15 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 930mA、4.5V 700mV @ 250µA(最小) 3.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
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9  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141688

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

39,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681785

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF
INFINEON

RoHS
4,540 22+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76325498

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF
INFINEON

4,130  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st72139545

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF
INFINEON

187,000 23+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75021988

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF
INFINEON

500 2045  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904205

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF

IRLML2502TRPBF
INFINEON

30,000 23+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st60359177

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2502TRPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

1,910 NA  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904204

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.2A(TA) 740 pF @ 15 V 1.25W(Ta) 45ミリオーム @ 4.2A、4.5V 1.2V @ 250µA 12 nC @ 5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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15  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141689

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TR
INTERNATIONAL RECTIFIER

1,010 504  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65408398

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF
INFINEON

3,000 22+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75023235

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF
INFINEON

RoHS
6,000 22/23+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76340755

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF
INFINEON

60,000 24+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404789

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

18,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681786

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML2803TRPBF

IRLML2803TRPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

1,629 2002+  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904207

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 1.2A(TA) 85 pF @ 25 V 540mW(Ta) 250ミリオーム @ 910mA、10V 1V @ 250µA 5 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
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IRLML5103TR
INTERNATIONAL RECTIFIER

2,925  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st65351515

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
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IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF
INFINEON

255  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141691

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 540mW(Ta) 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-2
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IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF
INFINEON

RoHS
135,160 22/25+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76326542

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 540mW(Ta) 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF
INFINEON

3,000 22+  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75021255

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 540mW(Ta) 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
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IRLML5103TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

72,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681787

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 540mW(Ta) 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRLML5103TRPBF

IRLML5103TRPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER

1,484 2007-10  

Approx. 7 days

CoreStaff Part Number:st68904208

INTERNATIONAL RECTIFIER HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 760mA(TA) 75 pF @ 25 V 540mW(Ta) 600ミリオーム @ 600mA、10V 1V @ 250µA 5.1 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRLML5203TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

72,000 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681788

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 3A(TA) 510 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 98ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF
INFINEON

RoHS
4,848 22/25+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76325377

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 3A(TA) 510 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 98ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
C-1
Supplier Stock

IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF
INFINEON

12,000 2020+   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st62776118

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 3A(TA) 510 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 98ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

Overseas Location

IRLML5203TRPBF

IRLML5203TRPBF
INFINEON

45,000 26+  

Approx. 16 days

End of Life CoreStaff Part Number:st49404792

Infineon Technologies HEXFET® Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 30V 4.5V、10V 3A(TA) 510 pF @ 25 V 1.25W(Ta) 98ミリオーム @ 3A、10V 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V ±20V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3?/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

Overseas Location

IRLML6244TRPBF

IRLML6244TRPBF
INFINEON

99,592 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st49404793

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 6.3A(TA) 700 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 21ミリオーム @ 6.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 8.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRLML6244TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES

200,283 N/A   MOQ : 3,000
SPQ : 3,000

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76681789

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 6.3A(TA) 700 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 21ミリオーム @ 6.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 8.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRLML6244TRPBF
INFINEON

1,775  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141692

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 6.3A(TA) 700 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 21ミリオーム @ 6.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 8.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-2
Supplier Stock

IRLML6244TRPBF
INFINEON

RoHS
3,000 22+   MOQ : 3,000
SPQ : 1

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st76338927

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 6.3A(TA) 700 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 21ミリオーム @ 6.3A、4.5V 1.1V @ 10µA 8.9 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRLML6246TRPBF

IRLML6246TRPBF
INFINEON

3  

Approx. 11 days

CoreStaff Part Number:st75141693

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.1A(TA) 290 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 46ミリオーム @ 4.1A、4.5V 1.1V @ 5µA 3.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23
Quality Guaranteed
B-1
Supplier Stock

IRLML6246TRPBF

IRLML6246TRPBF
INFINEON

1,405 22+  

Approx. 16 days

CoreStaff Part Number:st76078918

Infineon Technologies HEXFET® Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 20V 2.5V、4.5V 4.1A(TA) 290 pF @ 16 V 1.3W(Ta) 46ミリオーム @ 4.1A、4.5V 1.1V @ 5µA 3.5 nC @ 4.5 V ±12V -55°C~150°C(TJ) 面実装 Micro3™/SOT-23

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