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メーカー名 シリーズ FETタイプ ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力散逸(最大) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) 技術 FET機能 使用温度範囲 用途 車載対応 取り付けタイプ デバイスパッケージ
質量保證
B-2
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IRFR3710ZTRPBF
INFINEON

6,000 21+  

预计 8个工作日

核友型号:st71930074

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 42A(Tc) 2930pF @ 25 V 140W(Tc) 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 69 nC69nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3710ZTRPBF
INFINEON

6,000 1752+  

预计 16个工作日

核友型号:st49404646

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 42A(Tc) 2930pF @ 25 V 140W(Tc) 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 69 nC69nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3710ZTRPBF
INFINEON

8,000 22+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710675

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 42A(Tc) 2930pF @ 25 V 140W(Tc) 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 69 nC69nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3710ZTRPBF
INFINEON

9,000  

预计 11个工作日

核友型号:st50102877

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 42A(Tc) 2930pF @ 25 V 140W(Tc) 18ミリオーム @ 33A、10V 4V @ 250µA 69 nC69nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR3806TRPBF
INFINEON

21,934 22+  

预计 8个工作日

核友型号:st71927453

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 43A(Tc) 1150pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 22 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3806TRPBF
INFINEON

2,000 20+  

预计 11个工作日

核友型号:st71361804

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 43A(Tc) 1150pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 22 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3806TRPBF
INFINEON

1,877  

预计 11个工作日

核友型号:st67960220

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 43A(Tc) 1150pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 22 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3806TRPBF
INFINEON

500 22+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710676

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 43A(Tc) 1150pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 22 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR3806TRPBF
INFINEON

RoHS
90 21+   MOQ : 90
SPQ : 1

预计 8个工作日

核友型号:st62600970

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 60V 10V 43A(Tc) 1150pF @ 50 V 71W(Tc) 15.8ミリオーム @ 25A、10V 4V @ 50µA 22 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR3910TRPBF
INFINEON

10,735 23+  

预计 8个工作日

核友型号:st71925178

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 16A(Tc) 640pF @ 25 V 79W(Tc) 115ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 29.3 nC29.3nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR3910TRPBF
INFINEON

100 22+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710677

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 16A(Tc) 640pF @ 25 V 79W(Tc) 115ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 29.3 nC29.3nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
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IRFR3910TRPBF
INFINEON

4,000 21+  

预计 16个工作日

核友型号:st60358874

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 16A(Tc) 640pF @ 25 V 79W(Tc) 115ミリオーム @ 10A、10V 4V @ 250µA 29.3 nC29.3nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR4104TRPBF
INFINEON

20,920 22+  

预计 8个工作日

核友型号:st71927433

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 10V 42A(Tc) 2950pF @ 25 V 140W(Tc) 5.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 59 nC59nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4104TRPBF
INFINEON

24  

预计 11个工作日

核友型号:st67960221

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 10V 42A(Tc) 2950pF @ 25 V 140W(Tc) 5.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 59 nC59nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4104TRPBF
INFINEON

4,000 22+  

预计 12个工作日

核友型号:st62787348

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 40V 10V 42A(Tc) 2950pF @ 25 V 140W(Tc) 5.5ミリオーム @ 42A、10V 4V @ 250µA 59 nC59nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4105TRPBF
INFINEON

3,919 17+16  

预计 16个工作日

核友型号:st49779455

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 27A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 45ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC22.7nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4105TRPBF
INFINEON

9,000  

预计 11个工作日

核友型号:st50102878

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 27A(Tc) 700pF @ 25 V 68W(Tc) 45ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 22.7 nC22.7nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4105ZTRPBF

IRFR4105ZTRPBF
INFINEON

8,000 1847+  

预计 16个工作日

核友型号:st49404650

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 30A(Tc) 740pF @ 25 V 48W(Tc) 24.5ミリオーム @ 18A、10V 4V @ 250µA 18 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4105ZTRPBF

IRFR4105ZTRPBF
INFINEON

1  

预计 11个工作日

核友型号:st67960222

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 30A(Tc) 740pF @ 25 V 48W(Tc) 24.5ミリオーム @ 18A、10V 4V @ 250µA 18 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4105ZTRPBF

IRFR4105ZTRPBF
INFINEON

RoHS
26  

预计 91个工作日

核友型号:st68904066

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 55V 10V 30A(Tc) 740pF @ 25 V 48W(Tc) 24.5ミリオーム @ 18A、10V 4V @ 250µA 18 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR4510TRPBF
INFINEON

16,013 22+  

预计 8个工作日

核友型号:st71927245

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 56A(Tc) 3031pF @ 50 V 143W(Tc) 13.9ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 100µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF
INFINEON

1  

预计 11个工作日

核友型号:st67960223

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 56A(Tc) 3031pF @ 50 V 143W(Tc) 13.9ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 100µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF
INFINEON

2,500 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710678

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 56A(Tc) 3031pF @ 50 V 143W(Tc) 13.9ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 100µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR4510TRPBF

IRFR4510TRPBF
INFINEON

9,000  

预计 11个工作日

核友型号:st50102879

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 56A(Tc) 3031pF @ 50 V 143W(Tc) 13.9ミリオーム @ 38A、10V 4V @ 100µA 54 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4615TRLPBF
INFINEON

3,000 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st49316201

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 150V 10V 33A(Tc) 1750pF @ 50 V 144W(Tc) 42ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
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IRFR4615TRLPBF
INFINEON

RoHS
10,000 21+   MOQ : 10,000
SPQ : 1

预计 8个工作日

核友型号:st62600971

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 150V 10V 33A(Tc) 1750pF @ 50 V 144W(Tc) 42ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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海外位置

IRFR4615TRLPBF
INFINEON

30,000 21+  

预计 16个工作日

核友型号:st49404653

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 150V 10V 33A(Tc) 1750pF @ 50 V 144W(Tc) 42ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR4615TRLPBF
INFINEON

9,000  

预计 11个工作日

核友型号:st50102880

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 150V 10V 33A(Tc) 1750pF @ 50 V 144W(Tc) 42ミリオーム @ 21A、10V 5V @ 100µA 26 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
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IRFR4615TRLPBF
INFINEON

3,000 21+  

预计 11个工作日

核友型号:st70577577

質量保證
B-1
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IRFR4615TRLPBF
INFINEON

16,774 21+  

预计 11个工作日

核友型号:st71361805

質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4615TRLPBF
INFINEON

2,165  

预计 11个工作日

核友型号:st67960224

質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR4620TRLPBF

IRFR4620TRLPBF
INFINEON

9,000  

预计 11个工作日

核友型号:st50102881

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 200V 10V 24A(Tc) 1710pF @ 50 V 144W(Tc) 78ミリオーム @ 15A、10V 5V @ 100µA 25 nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4620TRLPBF
INFINEON

180  

预计 11个工作日

核友型号:st67960225

質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFR4620TRLPBF
INFINEON

3,000 20+  

预计 8个工作日

核友型号:st71931111

質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4620TRLPBF
INFINEON

3,000 23+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710680

質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR4620TRLPBF
INFINEON

RoHS
40  

预计 91个工作日

核友型号:st68904071

質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305PBF
INFINEON

RoHS
26 1830  

预计 11个工作日

核友型号:st68061122

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF
INFINEON

RoHS
10  

预计 91个工作日

核友型号:st68904073

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR5305TRLPBF

IRFR5305TRLPBF
INFINEON

5,000 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st49776409

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

6,000 21+  

预计 16个工作日

核友型号:st49404656

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

2,000 2414  

预计 11个工作日

核友型号:st70452973

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

500 23+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710681

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFR5305TRPBF
INFINEON

3,000 21+  

预计 8个工作日

核友型号:st71929543

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

RoHS
2,000  

预计 91个工作日

核友型号:st68904074

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF
INFINEON

2,642  

预计 11个工作日

核友型号:st67960226

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 55V 10V 31A(Tc) 1200pF @ 25 V 110W(Tc) 65ミリオーム @ 16A、10V 4V @ 250µA 42 nC42nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订
海外位置

IRFR540ZTRPBF
INFINEON

60,000 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st48988970

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 35A(Tc) 1690pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 39 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-2
来自供应商的订

IRFR540ZTRPBF
INFINEON

9,470 22+  

预计 8个工作日

核友型号:st71928301

Infineon Technologies HEXFETR Nチャンネル 100V 10V 35A(Tc) 1690pF @ 25 V 91W(Tc) 28.5ミリオーム @ 21A、10V 4V @ 50µA 39 nC@10V ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~175°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF
INFINEON

1,000 2338/2339  

预计 11个工作日

核友型号:st70452974

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 100V 10V 13A(Tc) 760pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 38.7 nC38.7nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
来自供应商的订

IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF
INFINEON

30,000 21+  

预计 16个工作日

核友型号:st60358881

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 100V 10V 13A(Tc) 760pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 38.7 nC38.7nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)
質量保證
B-1
来自供应商的订

IRFR5410TRPBF

IRFR5410TRPBF
INFINEON

2,000 21+  

预计 12个工作日

核友型号:st70710682

Infineon Technologies HEXFETR Pチャンネル 100V 10V 13A(Tc) 760pF @ 25 V 66W(Tc) 205ミリオーム @ 7.8A、10V 4V @ 250µA 38.7 nC38.7nC ±20V MOSFET(金属酸化物) -55°C~150°C(TJ) 面実装 TO-252AA (DPAK)

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